metode şi tehnici de studiu a suprafeţelor
DESCRIPTION
Metode şi tehnici de studiu a suprafeţelor. curs opţional C6. Istoric. 1887 – Descoperirea efectului fotoelectric: Heinrich Hertz 1895 – Descoperirea razelor X: Wilhelm Conrad Röntgen - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
1887 – Descoperirea efectului fotoelectric: Heinrich Hertz
1895 – Descoperirea razelor X: Wilhelm Conrad Röntgen1901 – (primul!) Premiu Nobel din istorie: …“ca o recunoastere a contributiei remarcabile a radiatiilor” (denumite ulterior raze X).
1905. E. Einstein – Explicatia efectului fotoelectric, premiul Nobel, 1921.
1887 – Descoperirea efectului fotoelectric: Heinrich Hertz
1895 – Descoperirea razelor X: Wilhelm Conrad Röntgen1901 – (primul!) Premiu Nobel din istorie: …“ca o recunoastere a contributiei remarcabile a radiatiilor” (denumite ulterior raze X).
1905. E. Einstein – Explicatia efectului fotoelectric, premiul Nobel, 1921.
Karl Manne Georg Siegbahn, (1886 – 1978), Univ. din Uppsala, Suedia. premiul Nobel, 1921 pentru rezultatele sale din domeniul spectroscopiei radiatiilor X.
Kai M. Siegbahn (fiul!), 1981 – premiul Nobel : pentru descoperiri in domeniul spectroscopiei de electroni, de inalta rezolutie.
IstoricIstoric
Anii 1950: progrese in domeniul instrumentatiei - rezolutia analizoarelor de energie, - design-ul surselor de raze X 1960: aparitia instrumentelor comerciale
Efectul fotoelectric. Experimentul ESCA
H. Hertz (1880)
Halwachs (1888) & J. J. Thomson (1889)
Robinson& Rawlinson (1914)
Zn
Au
Surse de raze X
Informatii obtinute folosind tehnica XPSInformatii obtinute folosind tehnica XPS
Cea mai puternică tehnică experimentala in domeniul
Ştiinţei Suprafeţelor, pentru:
Identificarea tuturor elementelor chimice, cu exceptia H şi He, în cazul unor concentraţii > 0.1 at. %.Analiza semi-cantitativă a compozitiei chimice din regiunea de suprafaţă (0 – 10 nm); eroare < ± 10 %.Analiza environment-ul molecular (stare de oxidare, atomi legaţi covalent etc.) Determinarea profilului de adâncime al compozitiei chimice (inclusiv în mod non-distructiv).Dispersia unor faze in altele
•Structura de nivele a benzii de valentaIdentificarea unor grupări organice.etc.
Curba “universala” a dependentei inel de energia
- în cazul nostru - a (foto)electronilor
Procese de fotoexcitare, Procese de fotoexcitare, rearanjare şi emisierearanjare şi emisieîn cazul atomului izolat. în cazul atomului izolat.
Fluorescenţă de raze X
Emisie de electroni Auger
polyurethane
Procese de fotoexcitare, Procese de fotoexcitare, rearanjare şi emisierearanjare şi emisieîn cazul suprafeţei solideîn cazul suprafeţei solide
Vac
V
EL2,3
EL1
EK
Vac
3s
2p6
2s2
1s2
UPS
Fotoni UV
Ecin= h - EV -
Raze X
Ecin= h - EL1 -
XPS
Radiaţii X (sau e-)
Ecin=EK - EL1 - EL23 -
AES
Spectroscopii de fotoelectroni: XPS si UPSSpectroscopii de fotoelectroni: XPS si UPS
După ce electronul din pătura inferioara (core level) a
atomului absoarbe (integral!) energia fotonului X, el
paraseste atomul si devine foto-electron, cu energia
cinetică :
Ecin ≈ h – Eb – ,
Procese similare în cazul spectroscopiei de fotoelectroni UV (UPS):
fascicolul incident: fotoni UV, capabili să extragă electroni din banda de valenţă.
Conversia energie cinetică (KE) Conversia energie cinetică (KE) →→ energie de legătură (BE) energie de legătură (BE)
Mg K330 eV
690 eV720 eV
910 eV920 eV
Transformarea (KE) in EB (BE = h KE)
343 eV333 eV534 eV
561 eV
581 eV
673 eV
920 eV
Inte
nsi
ty
N(E
)
Ecin = hν - EB
Energie de legatura, EB (eV)
Nivele “adânci”
0 eV
EF
Banda de valenta
Banda de conductie
http://www.nottingham.ac.uk/~ppzpjm/sect6_1.htm
Spectrul XPSSpectrul XPS
Transferul de sarcina de la un atom la altul
determina “deplasarea” valorilor Eb.
Electronul de pe paturile inferioare “simte” mai
mult prezenţa nucleului, decat electronii de valenta
(din cauza dimensiunilor celor doua tipuri de
orbital).
Ca urmare, potentialul electrostatic creat de
electronii dintr-o patura de valenta, pe care il
“simte” un electron dintr-o patura adanca este q/rv.
1s2 1s2 1s2
1s2 1 s2
Li2O
2s density
Li LiO
2s2
2p62s2s
Li-metal
1s2
Li: 1s2 2s1
O: 1s2 2s2 2p4
EF
Binding Energy 0
Li-metalLi2O
Ce este si de ce apare deplasarea chimica? Ce este si de ce apare deplasarea chimica?
Deplasarea chimicaDeplasarea chimica
Valorile energiei de legatura sunt afectate, nu numai de structura de nivele energetice specifice, ci şi (intr-o masura mai mica) de starea chimica a atomului.
Deplasarile chimice sunt uzual cuprinse intre 1 si 3 eV.
4.3 eV 2.1 eV
Analiza cantitativă XPS: compozitia elementala relativaAnaliza cantitativă XPS: compozitia elementala relativa
Ii – intensitatea picului p, corespunzatoare elementului I
ni – concentratia medie a elementului i in regiunea de suprafata
I – sectiunea eficace de ionizarere (factorul Scofield)
(valori calculate si tabelate pentru toate elementele si pt Al K si Mg K)
I – drumul liber mediu pentru ciocnirea inelastica a unui fotoelectron din elementul I
K – toti celalti factori care determina randamentul de detectare a fotoelectronilor
θ – unghiul de “decolare” (take-off angle) a fotoelectronilor
Rezultate cu o precizie in limita a 10%
Ii=Fx i(EK) ni i(Ek) K cos θ
Extragerea fondului (background subtraction)Extragerea fondului (background subtraction)
Fond Shirley
[D.A. Shirley, Phys. Rev. B5, 4709, 1972]
Fond liniar
Fond treaptă
Rezultatul calculului procentajului atomic – aria Rezultatul calculului procentajului atomic – aria picurilorpicurilor
VPO Catalyst
Aria (arb. u) ASF Procentaj
Carbon 1853 0.319 22.1%
Oxigen 14240 0.75 62.0%
Vanadiu 3840 2.0 6.3%
Fosfor 1494 0.64 9.6%
N
SampleX
SampleX
Sample
Sample
ASFAreaASFArea
1
1
1
Atomic Percent =
ConcluziiConcluzii
Caracteristici principale ale XPS
Identificare chimica: toate elementele, cu exceptia H si He
Sensibilitate superficiala: 1 – 6 nm
Limita de detectie: 0.1%
Determinarea vecinătăţii moleculare si al stării de oxidare
Determinarea profilului de concentratie in adancime (non-distructiv/distructiv)
Informatii despre proprietatile electrice de suprafata din studiile de incarcare a suprafetei
Rezolutia laterala: zeci de micrometri
Rezolutie energetica: 10 meV
BibliografieBibliografie
1. D. Briggs, M. P. Seah, Practical surface analysis, vol I Willey and Sons, 1990. 2. J. M. Walls, R. Smith, Surface Science Techniques, Pergamon, 1994. 3. H. Lüth, Surfaces and interfaces of solid materials, Springer, 1993.4. J. W. Niemantsverdriet, Spectroscopy in Catalysis – An Introduction, Wiley-VCH, 1995.5. http://www.chem.qmul.ac.uk/surfaces/scc/scat5_3.htm6. C.D. Wagner, W.M. Riggs, L.E. Davis, J.F. Moulter, G.E. Muilenberg, “Handbook of X-ray
Photoelectron Spectroscopy”, Perkin-Elmer Corporation (1978).7. C.D. Wagner, “Practical Surface Analysis”, Vol. 1, 2ª, J.Wiley and Sons (1990).8. W.N. Delgass, G.L. Haller, R. Kellerman, J.H. Lunsford, “Spectroscopy in heterogeneous
catalysis”, Cap. 8: “X-ray Photoelectron Spectroscopy”, Academic Press (1979).9. H.D. Hagstrum, J.E. Rowe, J.C. Tracy, “Electron spectroscopy of solid surfaces”, in
“Experimental methods in catalytic research”, Vol. 3, R.B Anderson y P.T. Dawson (Ed.), Academic Press (1976).
10. C.D. Wagner, L.E. Davis, M.V. Zeller, J.A. Taylor, R.M. Raymond, L.H. Gale, Surf. Interf. Anal. 3 (1981) 21. (Factori de sensibilitate atomica)
11. Moulder, John F., William F. Stickle, Peter E. Sobol, and Kenneth D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, ed. Jill Chastain and Roger C. King Jr. 1995: Physical Electronics, Inc., USA. 11
12. http://seallabs.com/howes1.html13. http://srdata.nist.gov/xps/elm_in_comp_res.asp?elm1=C