electrotehnica -teste tecj

of 24/24
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 1/24 75 Capitolul 5 Tranzistoare cu efect de câmp cu jonc ţiune 1 2p Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune este prezentat ă în figura notată cu: a) S G D B  SiO2 p ++  n ++  n n canal b) S G D B SiO2 n ++ n ++ p canal  c) G D G  canal p p n S n  joncţ iune p-n  joncţ iune p-n d) S G D B SiO 2 n ++ n ++ p n canal  2. 1p Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune. Cu S a fost notat electrodul numit: G D G  canal p p n S n  joncţ iune p-n  joncţ iune p-n Figura 5.1 a)  surs ă ; b) drenă; c) grilă;

Post on 04-Mar-2016

21 views

Category:

Documents

0 download

Embed Size (px)

TRANSCRIPT

  • 75

    Capitolul 5 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    1 2p

    Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp cu jonciune este prezentat n figura notat cu:

    a) S G D

    BS

    SiO2 p++ n++

    n

    n

    canal

    b) S G D

    BS

    SiO2n++ n++

    pcanal

    c) G

    D

    GS

    canal

    p

    p n

    S

    n

    jonciune p-n

    jonciune p-n

    d) S G D

    BS

    SiO2n++ n++

    p

    n

    canal

    2. 1p

    Figura 5.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune. Cu S a fost notat electrodul numit:

    G

    D

    GS

    canal

    p

    p n

    S

    n

    jonciune p-n

    jonciune p-n

    Figura 5.1 a) surs;

    b) dren; c) gril;

  • Elemente de electronic analogic - teste

    76

    d) substrat

    3. 1p

    Figura 5.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune. Cu G a fost notat electrodul numit:

    a) surs; b) dren; c) gril; d) substrat

    4. 1p

    Figura 5.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune. Cu D a fost notat electrodul numit:

    a) surs; b) dren; c) gril; d) substrat

    5. 1p

    Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal p este prezentat n figura notat:

    a)

    S

    G

    D

    B

    b)

    S

    G

    D

    B

    c)

    S

    G

    D

    d)

    S

    G

    D

    6. 1p

    Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal n este prezentat n figura notat:

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    77

    a)

    S

    G

    D

    B

    b)

    S

    G

    D

    B

    c)

    S

    G

    D

    d)

    S

    G

    D

    7. 2p

    Curentul principal din TECJ se stabilete ntre:

    a) gril i dren; b) surs i dren; c) surs i gril; d) gril i dren.

    8. 2p

    Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabilete ntre surs i dren. El este constituit din:

    a) electroni b) goluri; c) ioni pozitivi; d) ioni negativi.

    9. 2p

    Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabilete ntre surs i dren. El este constituit din:

    a) electroni b) goluri; c) ioni pozitivi; d) ioni negativi.

    10. 2p

    Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabilete ntre surs i dren. El este constituit din electroni. n parcursul lor, aceti electroni trec printr-o regiune numit canal. Rezistena canalului este comandat de potenialul grilei. Pentru a se realiza aceast comand este necesar ca

  • Elemente de electronic analogic - teste

    78

    n principiu: a) jonciunea gril-canal s fie polarizat invers;

    b) jonciunea gril-canal s fie polarizat direct; c) jonciunea drena-surs s fie polarizat invers; d) jonciunea drena-surs s fie polarizat direct.

    11. 3p

    Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabilete ntre surs i dren. El este constituit din electroni. n parcursul lor, aceti electroni trec printr-o regiune numit canal. Rezistena canalului este comandat de potenialul grilei. Pentru a se realiza aceast comand este necesar ca n principiu ca jonciunea gril-canal s fie polarizat invers. Mecanismul de comanda este:

    a) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de neutr de tip p ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la modificarea geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca efect modificarea rezistenei canalui; modificarea rezistenei canalui duce n final la efectul dorit i anume la modificarea -la comand a curentului dintre dren i surs.

    b) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de neutr de tip n ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la modificarea geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca efect modificarea rezistenei canalui; modificarea rezistenei canalui duce n final la efectul dorit i anume la modificarea -la comand a curentului dintre dren i surs.

    c) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la modificarea concentratiei de purttori; modificarea geometriei canalului are ca efect modificarea rezistenei canalui; modificarea rezistenei canalui duce n final la efectul dorit i anume la modificarea -la comand a curentului dintre dren i surs.

    d) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la modificarea geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca efect modificarea rezistenei canalui; modificarea rezistenei canalui duce n final la efectul dorit i anume la modificarea -la comand a curentului dintre dren i surs.

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    79

    12. 1p

    Conexiunea surs comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

    a)

    vIN

    vO iIN

    iO

    G

    D

    S

    b)

    vIN vO

    iIN iO S

    G

    D

    c)

    vIN

    vO iIN

    iO

    G

    S

    D

    d)

    vO vIN

    iO iIN S

    G

    D

    13. 1p

    Conexiunea dren comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

    a)

    vIN

    vO iIN

    iO

    G

    D

    S

    b)

    vIN vO

    iIN iO S

    G

    D

    c)

    vIN

    vO iIN

    iO

    G

    S

    D

    d)

    vO vIN

    iO iIN S

    G

    D

    14. 1p

    Conexiunea gril comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

  • Elemente de electronic analogic - teste

    80

    a)

    vIN

    vO iIN

    iO

    G

    D

    S

    b)

    vIN vO

    iIN iO S

    G

    D

    c)

    vIN

    vO iIN

    iO

    G

    S

    D

    d)

    vO

    vIN iO

    iIN

    S

    D

    15. 3p

    Conexiunea surs comun a unui tranzistor cu efect de cmp:

    a) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren;

    b) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de dren;

    c) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de surs;

    d) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren.

    16. 3p

    Conexiunea gril comun a unui tranzistor cu efect de cmp:

    a) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren;

    b) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de dren;

    c) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de surs;

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    81

    d) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren.

    17. 3p

    Conexiunea dren comun a unui tranzistor cu efect de cmp:

    a) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren;

    b) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de dren;

    c) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de surs;

    d) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren.

    18. 3p

    n mod uzual, un tranzistor cu efect de cmp este descris de dou ecuaii de forma:

    a) iG=iG(vGS,vDS) i iD=iD(vGS,vDS) b) iG=iG(vGD,vDS) i iD=iD(vGS,vDS) c) iG=iG(vGS,vDS) i iD=iD(vGD,vDS) d) iG=iG(vGD,vDS) i iD=iD(vGD,vDS)

    9. 2p

    ntruct n funcionarea normal jonciunea grilei a unui TECJ este polarizat invers curentul de gril este:

    a) .

    )(constU

    DSGGGS

    vii=

    =

    b) .

    )(constU

    GSGGGS

    vii=

    =

    c) 0Gi

    d) DS

    DSG

    r

    vi =

    20. 1p

    Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu I a fost notat:

  • Elemente de electronic analogic - teste

    82

    vDS

    iD

    vGS=-4V vGS=2V vGS=0V

    vGS=0.1V IV.

    III.

    II.

    I.

    vGS=VT

    vGS-vT

    Figura 5.2 a) regiunea de blocare;

    b) regiunea liniar; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaie.

    21. 1p

    Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu II a fost notat:

    a) regiunea de blocare; b) regiunea liniar; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaie.

    22. 1p

    Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu III a fost notat:

    a) regiunea de blocare; b) regiunea liniar; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaie.

    23. 1p

    Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu IV a fost notat:

    a) regiunea de blocare; b) regiunea liniar; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaie.

    24. 2p

    Un TECJ care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca

    a) rezisten comandat; b) un generator de curent comandat; c) un circuit ntrerupt; d) un generator de tensiune comandat.

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    83

    25. 2p

    Un TECJ care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca

    a) rezisten comandat; b) un generator de curent comandat; c) un circuit ntrerupt; d) un generator de tensiune comandat.

    26. 2p

    Un TECJ care funcioneaz n regiunea de saturaie se comport ca

    a) rezisten comandat; b) un generator de curent comandat; c) un circuit ntrerupt; d) un generator de tensiune comandat.

    27. 3p

    Caracteristica de ieire a unui TECJ este prezentat n figura notat:

    a)

    vDS

    iD

    vGS=-4VvGS=0VvGS=2V

    vGS=4VRegiune de saturatie

    Regiunede cot

    Regiuneliniara

    Regiune deblocare

    vGS=VT

    vGS-vT

    b)

    vDS

    iD

    vGS=2V vGS=4V vGS=6V

    vGS=8V Regiune de saturatie

    Regiune de cot

    Regiune liniara

    Regiune de blocare

    vGS=VT

    vGS-vT

    c)

    vDS

    iD

    vGS=-4VvGS=2VvGS=0V

    vGS=0.1VRegiune de saturatie

    Regiunede cot

    Regiuneliniara

    Regiune deblocare

    vGS=VT

    vGS-vT

    d)

    vCE

    iC

    iB1

    iB2

    iB3

    iB4Regiunea activ normalvCB=0

    Regiunea desaturatie

    Regiunea deblocare

    28. 3p

    Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentat n figura notat:

    a)

    1V

    iD

    vGS

    IDSS

    VT

    b) iD

    vGSVT

  • Elemente de electronic analogic - teste

    84

    c) iD

    vGS

    IDSS

    VT 1V

    d)

    vBE

    iBvCE1

    vCE2>vCE1

    V

    29. 3p

    Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:

    a) iG=0 i iD=0 b) iG=0 i

    2

    1

    =

    T

    GSDSSD V

    vIi

    c) iG=0 i DS

    T

    GSoD vV

    vGi

    =

    21

    1

    d)

    =

    T

    BESC

    e

    vIi exp i

    =

    T

    BE

    F

    SB

    e

    vIi exp

    30. 3p

    Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

    a) iG=0 i iD=0 b) iG=0 i

    2

    1

    =

    T

    GSDSSD V

    vIi

    c) iG=0 i DS

    T

    GSoD uV

    vGi

    =

    21

    1

    d)

    =

    T

    BESC

    e

    vIi exp i

    =

    T

    BE

    F

    SB

    e

    vIi exp

    31. 3p

    Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:

    a) iG=0 i iD=0 b) iG=0 i

    2

    1

    =

    T

    GSDSSD V

    vIi

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    85

    c) iG=0 i DS

    T

    GSoD uV

    vGi

    =

    21

    1

    d)

    =

    T

    BESC

    e

    vIi exp i

    =

    T

    BE

    F

    SB

    e

    vIi exp

    32. 3p

    Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:

    a) B

    E

    CFiBvBE

    iB

    b) G

    S

    D

    RvGS

    c) G

    S

    D

    IDSS2

    1

    T

    GS

    Vv

    vGS

    d) G D

    S

    G

    vGS vDS

    33. 3p

    Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

    a) B

    E

    CFiBvBE

    iB

    b) G

    S

    D

    RvGS

    c) G

    S

    D

    IDSS2

    1

    T

    GS

    Vv

    vGS

    d) G D

    S

    G

    vGS vDS

    34. 3p

    Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:

    a) B

    E

    CFiBvBE

    iB

    b) G

    S

    D

    RvGS

  • Elemente de electronic analogic - teste

    86

    c) G

    S

    D

    IDSS2

    1

    T

    GS

    Vv

    vGS

    d) G D

    S

    G

    vGS vDS

    35. 3p

    Caracteristicile statice din figura 5.3 pun n evidena fenomenul de strpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de cmp.

    uDS

    iD

    UDS(BR)

    IDmax

    Figura 5.3 a) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat

    strpungerii prin multiplicare n avalan care apare la captul dinspre surs al canalului.

    b) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat strpungerii prin multiplicare n avalan care apare la captul dinspre dren al canalului.

    c) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat strpungerii prin efect tunel care apare la captul dinspre dren al canalului.

    d) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat strpungerii prin efect tunel care apare la captul dinspre surs al canalului.

    36. 3p

    Caracteristicile statice din figura 5.3 pun n evidena fenomenul de strpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de cmp. Exist, de asemenea strpungere la nivelul jonciunii de poart. Evitarea acestui fenomen se face prin:

    a) limitarea tensiunilor inverse pe poart; b) limitarea tensiunilor directe pe poart; c) limitarea tensiunilor inverse pe dren; d) limitarea tensiunilor directe pe dren.

    37. 3p

    Pentru un TECJ, o dat cu creterea temperaturii:

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    87

    a) IDSS scade iar VT crete; b) IDSS crete iar VT scade; c) IDSS i cresc; d) IDSS i VT scad.

    Pentru notaii vezi figura 5.4

    38. 3p

    Pentru un TECJ, o dat cu creterea temperaturii:

    a) iD scade dac iD>IZ; b) iD crete dac iD>IZ; c) iD scade dac iDT1

    VT2

    IDSS1

    IDSS2 Z

    VGZ

    IZ

    Figura 5.4 a) problema ambalrii termice se rezolv ca i n cazul

    tranzistoarelor bipolare; b) problema ambalrii termice nu se pune; c) problema ambalrii termice nu se pune dac IDIZ.

    unde ID curentul de dren din punctul static de funcionare, iar pentru IZ vezi figura 5.4.

    40. 3p

    O dat cu variaia temperaturii caracteristicile de ieire ale unui TECJ se modific ca n figura notat (urmrii relaia dintre T1 i T2):

    a) iD

    vGS

    T2

    VT1

    T1 T2T1

    VT2

    IDSS1

    IDSS2 Z

    VGZ

    IZ

  • Elemente de electronic analogic - teste

    88

    c) 21 TT iD

    vGS

    T2

    VT1

    T1

    VT2

    IDSS1

    IDSS2 Z

    VGZ

    IZ

    d) 21 TT iD

    vGS

    T2

    VT1

    T1

    VT2

    IDSS1

    IDSS2 Z

    VGZ

    IZ

    41. 3p

    Un posibil model matematic pentru un TECJ pentru regimul cvasistatic de semnal mic este:

    a) id=0 i id=gmvds b) ig=0 i id=gmvgs c) id=0 i id=gmvds d) ig=0 i id=gmvgs

    unde ig curent de gril (valoare instantanee de semnal) id curent de dren (valoare instantanee de semnal) vgs tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de semnal) vds tensiune de dren-sursa (valoare instantanee de semnal)

    TGS

    Dm

    vVIg

    =

    2

    42 3p

    Tranconductan mutual a unui TECJ are expresia:

    a) TGS

    dm VV

    Ig

    =

    2 ;

    b) Tgs

    Dm VV

    Ig

    =

    2 ;

    c) TGS

    Dm VV

    Ig

    =

    2 ;

    d) Tgs

    dm VV

    Ig

    =

    2.

    43 3p

    Schema echivalent ce corespunde modelului matematic ig=0 id=gmvgs

    al unui TECJ pentru regimul cvasistatic de semnal mic este prezentat n figura:

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    89

    a)

    gmvgs

    D

    S

    G

    vgs

    b)

    gmvgs

    D

    S

    G

    vgs

    c)

    gmvgs

    D

    S

    G

    vgs

    d)

    gmvgs

    D

    S

    G

    vgs

    44. 2p

    Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:

    a) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor, dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;

    b) polarizarea direct a joncinii poart canal, stabilitatea punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor, dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;

    c) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor, precum i stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;

    d) stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;

    45. 3p

    Aa numitul circuit cu negativare automat utilizat pentru polarizarea unui TECJ este prezentat n figura notat:

    a) ED

    RG

    b) ED

    RS

  • Elemente de electronic analogic - teste

    90

    c) ED

    RS RG

    d) ED

    RS

    46. 3p

    Figura 5.5 prezint aa numitul circuit cu negativare automat utilizat pentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalent de semnal mare ce i corespunde este:

    ED

    RS RG

    Figura 5.5 a)

    ID

    RS RG ED

    VGS

    G D

    S

    VDS

    b)

    ID

    RS RG ED

    VGS

    G D

    S

    VDS

    c)

    ID

    RS RG ED

    VGS

    G D

    S

    VDS

    d)

    ID

    RS RG ED

    VGS

    G D

    S

    VDS

    47 4p

    Figura 5.6 prezint schema echivalent de semnal mare a circuitului din figura 5.5. Cderea de tensiune VGS are expresia:

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    91

    ID

    RS RG ED

    VGS

    G D

    S

    VDS

    Figura 5.6 a) VGS=RSID

    b) VGS=-RGID c) VGS=-RSID d) VGS=-RGIG

    48. 2p

    Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun construit cu un TECJ. Tranzistorul este blocat dac:

    ED

    RD

    vIN vO

    iD iIN

    iO

    Figura 5.7 a) vINVT : i vDS>vDSsat c) vIN>VT : i vDSVT : sau vDSvDSsat c) vIN>VT : i vDSVT : sau vDSvDSsat c) vIN>VT : i vDSVT : sau vDS

  • Elemente de electronic analogic - teste

    92

    a) ED

    RD

    vIN vO

    iDiINiO

    vGS

    G D

    S

    b) ED

    RD

    vIN vO

    iIN

    vGS

    G D

    S

    iD

    c) ED

    RD

    vIN vO

    iIN

    vGSE

    G D

    S

    R

    d) ED

    vIN vO

    iIN

    vGS

    G D

    S

    R

    52. 2p

    Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac tranzistorul opereaz n regiunea de saturaie schema se modeleaz ca n figura notat:

    a) ED

    RD

    vIN vO

    iDiINiO

    vGS

    G D

    S

    b) ED

    RD

    vIN vO

    iIN

    vGS

    G D

    S

    iD

    c) ED

    RD

    vIN vO

    iIN

    vGSE

    G D

    S

    R

    d) ED

    vIN vO

    iIN

    vGS

    G D

    S

    R

    53. 2p

    Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac tranzistorul opereaz n regiunea liniar schema se modeleaz ca n figura notat:

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    93

    a) ED

    RD

    vIN vO

    iDiINiO

    vGS

    G D

    S

    b) ED

    RD

    vIN vO

    iIN

    vGS

    G D

    S

    iD

    c) ED

    RD

    vIN vO

    iIN

    vGSE

    G D

    S

    R

    d) ED

    vIN vO

    iIN

    vGS

    G D

    S

    R

    54. 4p

    Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac tranzistorul opereaz n regiunea liniar tensiunea de ieire are expresia:

    a) vO=ED;

    b) vO=ED-2

    1

    T

    GSDSSD V

    vIR ;

    c) vO= E RR RD D+;

    d) vO=ED+2

    1

    T

    GSDSSD V

    vIR .

    55. 2p

    Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac tranzistorul opereaz n regiunea de saturaie tensiunea de ieire are expresia:

    a) vO=ED;

    b) vO=ED-2

    1

    T

    GSDSSD V

    vIR ;

    c) vO= E RR RD D+;

    d) vO=ED+2

    1

    T

    GSDSSD V

    vIR .

  • Elemente de electronic analogic - teste

    94

    56. 2p

    Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac tranzistorul este blocat tensiunea de ieire are expresia:

    a) vO=ED;

    b) vO=ED-2

    1

    T

    GSDSSD V

    vIR ;

    c) vO= E RR RD D+;

    d) vO=ED+2

    1

    T

    GSDSSD V

    vIR .

    57. 2p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura notat:

    a) ED

    RS RG

    RD

    C1 C2

    V0 Vin

    b) ED

    RS

    RD

    C1 C2

    CS V0

    Vin

    c) ED

    RS RG

    RD

    C1 C2

    CS V0

    Vin

    d) ED

    RS

    RD

    C1 C2

    V0 Vin

    58. 1p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistorul RG:

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    95

    ED

    RS RG

    RD

    C1 C2

    CS V0

    Vin

    Figura 5.8 a) face parte din circuitul de negativarea automat;

    b) este rezistor de sarcin; c) este rezistor de limitare; d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

    59. 1p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistorul RS

    a) face parte din circuitul de negativarea automat; b) este rezistor de sarcin; c) este rezistor de limitare; d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

    60. 1p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistorul RD

    a) face parte din circuitul de negativarea automat; b) este rezistor de sarcin; c) este rezistor de limitare; d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

    61. 1p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Condensatorul C1

    a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ neavnd nici un efect.

    b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ, dar las s treac componenta continu.

    c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas, n curent continuu neavnd nici un efect.

    d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

    62. 1p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Condensatorul C2

    a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ

  • Elemente de electronic analogic - teste

    96

    neavnd nici un efect. b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,

    dar las s treac componenta continu. c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,

    n curent continuu neavnd nici un efect. d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd

    componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

    63. 1p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Condensatorul CS

    a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ neavnd nici un efect.

    b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ, dar las s treac componenta continu.

    c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas, n curent continuu neavnd nici un efect.

    d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

    64. 3p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Amplificarea n tensiune definit prin:

    in

    o

    V VVA = este:

    a) Av=gmRD b) Av=-gmRD c) Av=gmRS d) Av=-gmRS

    65. 3p

    Schema unui etaj de amplificare n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Schema echivalent de semnal mic regim cvasistatic este prezentat n figura notat:

    a)

    RG Vin

    Iin

    Vgs gVgs

    Io

    VoRD

    G D

    S

    b)

    RG Vin

    Iin

    Vgs gmVgs

    Io

    VoRD

    G D

    S

  • Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

    97

    c)

    RG Vin

    Iin

    Vgs gmVgs

    Io

    VoRD

    G D

    S

    d)

    RG Vin

    Iin

    Vgs gmVgs

    Io

    VoRD

    G D

    S

    66. 3p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistena de intrare este:

    a) Rin=RG b) Rin=RS c) Rin=RG d) Rin=RS

    67. 3p

    Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistena de ieire este:

    a) Ro=RD b) Ro=RD c) Ro=RS d) Ro=RS

    Rspuns corect a.)

  • Elemente de electronic analogic - teste

    98

    Rspunsuri

    1 Rspuns corect a) 35. Rspuns corect b.) 2. Rspuns corect a) 36. Rspuns corect a.). 3. Rspuns corect c) 37. Rspuns corect d.) 4. Rspuns corect b) 38. Rspuns corect a.) 5. Rspuns corect d) 39. Rspuns corect d) 6. Rspuns corect d) 40. Rspuns corect b) 7. Rspuns corect b) 41. Rspuns corect d.) 8. Rspuns corect a) 42. Rspuns corect c) 9. Rspuns corect b) 43. Rspuns corect a) 10. Rspuns corect a) 44. Rspuns corect a) 11. Rspuns corect d) 45. Rspuns corect c) 12. Rspuns corect a) 46. Rspuns corect b) 13. Rspuns corect c) 47. Rspuns corect c) 14. Rspuns corect b) 48. Rspuns corect a) 15. Rspuns corect a) 49. Rspuns corect b) 16. Rspuns corect b) 50. Rspuns corect b) 17. Rspuns corect c) 51. Rspuns corect a) 18. Rspuns corect a) 52. Rspuns corect b) 19. Rspuns corect c) 53. Rspuns corect c) 20. Rspuns corect a) 54. Rspuns corect c) 21. Rspuns corect b) 55. Rspuns corect b) 22. Rspuns corect c) 56. Rspuns corect a) 23. Rspuns corect d) 57. Rspuns corect c) 24. Rspuns corect a) 58. Rspuns corect a) 25. Rspuns corect c) 59. Rspuns corect a) 26. Rspuns corect b) 60. Rspuns corect b) 27. Rspuns corect c) 61. Rspuns corect d) 28. Rspuns corect a) 62. Rspuns corect d) 29. Rspuns corect a) 63. Rspuns corect d) 30. Rspuns corect b) 64. Rspuns corect b) 31. Rspuns corect a) 65. Rspuns corect c) 32. Rspuns corect b) 66. Rspuns corect a.) 33. Rspuns corect c) 67. Rspuns corect a.) 34. Rspuns corect d)