electrotehnica- teste multijonctiune

20
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 1/20 127 Capitolul 7 Dispozitive semiconductoare multijonc ţiune 1. 1p Simbolul unui tiristor este prezentat în figura notat ă: a) C G A b) T 2  G T 1  c) C A d) T 2  T 1  2. 1p Simbolul unui triac este prezentat în figura notat ă: a) C G A b) T 2  G T 1  c) C A d) T 2  T 1  3. 1p Simbolul unei diode Shockley este prezentat în figura notată: a) C G A b) T 2  G T 1  c) C A d) T 2  T 1  

Upload: marina2183

Post on 04-Mar-2016

26 views

Category:

Documents


4 download

TRANSCRIPT

Page 1: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 1/20

127

Capitolul 7

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

1.1p

Simbolul unui tiristor este prezentat în figura notată:

a)

C

G

A

b)T2 

G

T1 

c)

C

A

d)T2 

T1 

2.1p

Simbolul unui triac este prezentat în figura notată:

a)

C

G

A

b)T2 

G

T1 

c)

C

A

d)T2 

T1 

3.1p

Simbolul unei diode Shockley este prezentat în figura notată:

a)

C

G

A

b)T2 

G

T1 

c)

C

A

d)T2 

T1 

Page 2: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 2/20

Elemente de electronică analogică - teste

128

4.1p

Simbolul unui diac este prezentat în figura notată:

a)

C

G

A

b)T2 

G

T1 

c)

C

A

d)T2 

T1 

5.3p

Structura unui tiristor este prezentată în figura notată:

a)A

G

p

n

p

n

C  

b)T2

n2

p1

n

G

np n1

n’1

p2

T1

p’1

n’2

p’2

 

c)A

p

n

p

n

C  

d)

G

G

 

canal

p

pn

S

n

6.3p

Structura unui triac este prezentată în figura notată:

a)A

G

p

n

p

n

C  

b)T2

n2

p1

n

G

np n1

n’1

p2

T1

p’1

n’2

p’2

 

c)A

p

n

p

n

C  

d)

G

G

 

canal

p

pn

S

n

7.3p Structura unei diode Shockley este prezentată în figura notată:

Page 3: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 3/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

129

a)A

G

p

n

p

n

C  

b)T2

n2

p1

n

G

np n1

n’1

p2

T1

p’1

n’2

p’2

 

c)A

p

n

p

n

C  

d)

G

G

 

canal

p

pn

S

n

8.2p

În funcţionare normală, tiristorul prezintă:

a)  două stări, ambele instabile;b)  două stări, una stabilă, una instabilă;

c)  trei stări, toate trei stabile;d)  două stări, ambele stabile.

9.2p

În funcţionare normală, tiristorul prezintă două stări:

a)  stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă  ca unscurtcircuit, şi starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt;

b)  stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă  ca unscurtcircuit, şi starea instabilă  stare în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

c)  starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca orezistenţă negativă;

d)  stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă  ca unamplificator, şi starea de blocare stare în care tiristorul secomportă ca un circuit întrerupt;

10.2p

Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă:

a)  tranziţia de la starea de blocare la starea în care tiristorul secomportă ca o rezistenţă negativă;

b)  tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul secomportă ca o rezistenţă negativă;

c)  tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;d)  tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.

11 Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de

Page 4: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 4/20

Elemente de electronică analogică - teste

130

2p blocare la starea de conducţie. Pentru a se realiza această tranzitie estenecesar:a)  să fie îndeplinite una dintre următoarele condiţii: polarizare directă 

a tiristorului sau comandă pe poartă;b)  să  fie îndeplinite simultan două  condiţii: polarizare directă  a

tiristorului şi comandă pe poartă;c)  şi suficient ca tiristorul să fie polarizat direct;d)  şi suficient să existe comandă pe poartă.

12.2p

Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoareconectate ca în figura:a)

A

G

C

T1 

T2 

b)

C

G

A

T1 

T2 

c)

C

G

A

T1 

T2 

d)

C

G

A

T1 

T

 

13.2p

Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoareconectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prinfaptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permitedeclanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura:

C

G

A

T1 

T2 

Figura 7.1

a) ( )

⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐

⇓⇑

↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12211   T T T T T    BC  BC  BG   iiiiii

 

b) ( )

⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐

⇓⇑

↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12212   T T T T T    BC  BC  BG   iiiiii

 

Page 5: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 5/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

131

c) ( )

⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐

⇓⇑

↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑ 11221   T T T T T    BC  BC  BG   iiiiii 

d) ( )

⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐

⇓⇑

↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12111   T T T T T    BC  BC  BG   iiiiii

 

14.3p

Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoareconectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prinfaptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permitedeclanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura7.2.Mecanismul este :

( )

⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐

⇓⇑

↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12211   T T T T T    BC  BC  BG   iiiiii

 

a)  pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocareacelor două tranzistoare;

b)  pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocareatranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2;

c)  pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin saturareacelor două tranzistoare;

d)  pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocareatranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2.

15.3p

În practică există posibilitatea apariţiei aşa numitelor amorsări parazite,amorsări ce trebuie evitate. Există în principal doi factori care pot danaştere acestor amorsări:

a)  dispersia parametrilor sau efectuldt 

di A ;

b)  dispersia parametrilor sau efectuldt 

dv A ;

c)  temperatura sau efectuldt 

di A ;

d)  temperatura sau efectuldt 

dv A ;

16.2p

Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă:

Page 6: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 6/20

Elemente de electronică analogică - teste

132

a)  tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul secomportă ca o rezistenţă negativă;b)  tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se

comportă ca o rezistenţă negativă;c)  tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;d)  tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.

17.2p

Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea deconducţie la starea de blocare. Pentru a se realiza această tranzitie estenecesar:

a)  H G   ii   <  

b)   H G   ii   >  

c)   H  A   ii   <  d)   H  A   ii   >  

unde:iH poartă numele de curent de menţinereiA curent anodiciG curent de grilă 

18.2p

Blocarea tiristorului clasic se realizează  practic prin două  metode. Unadintre ele este:

a)  polarizarea inversă a tiristorului;b)  injectarea unui curent pe poartă;c)  polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;

d)  comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.

19.2p

Blocarea tiristorului clasic se realizează  practic prin două  metode. Unadintre ele este:

a)  proiectarea unui circuit special de stingere;b)  injectarea unui curent pe poartă;c)  polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;d)  comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.

20.3p

În cazul unui tiristor clasic:

a)  grila comandă atât amorsarea cât şi dezamorsarea;

b)  după amorsare grila î şi pierde rolul;c)  uneori grila comandă amorsarea alteori dezamorsarea;d)  rolul grilei este dictat de circuitul exterior.

Page 7: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 7/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

133

21.2p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura notată:

a)

vA 

iA 

VH 

IH  HVBR

VBD1

 

b)

vT1T2 

iT1T2 

c)

vA 

iA 

VH 

IH  H

VBD 

VBR

VBD1

 

d.)

vT1T2 

iT1T2 

22.2p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura notată:

a)

vA 

iA 

VH 

IH  HVBR

VBD1

 

b)

vT1T2 

iT1T2 

c)

vA 

iA 

VH 

IH  H

VBD 

VBR

VBD1

 

d.)

vT1T2 

iT1T2 

23.2p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figuranotată:

Page 8: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 8/20

Elemente de electronică analogică - teste

134

a)

vA 

iA 

VH 

IH  HVBR

VBD1

 

b)

vT1T2 

iT1T2 

c)

vA 

iA 

VH 

IH  H

VBD 

VBR

VBD1

 

d.)

vT1T2 

iT1T2 

24.2p

Caracteristica statică a unui triac este prezentată în figura notată:

a)

vA 

iA 

VH 

IH  HVBR

VBD1

 

b)

vT1T2 

iT1T2 

c)

vA 

iA 

VH 

IH  H

VBD 

VBR

VBD1

 

d.)

vT1T2 

iT1T2 

25.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 1 estenotată:

Page 9: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 9/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

135

vA

iA

VH

IH H

VBD1VBD3 VBD2

VBR

1

2

3

4

5

iG0=0

iG1>iG0

 Figura 7.2

a)  regiune de străpungere; regiune nefolosită  în funcţionare normală 

 întrucât tiristorul se distruge dacă punctul de funcţionare ajunge înaceastă regiune.

b)  regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

c)  regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea deblocare la polarizare invesă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

d)  regiune de rezistenţă  negativă; stare instabilă; neutilizată  în modnormal.

25.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 2 estenotată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

b)  regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea deblocare la polarizare invesă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

c)  regiune de rezistenţă  negativă; stare instabilă; neutilizată  în modnormal.

d)  regiune de conducţie; constituie una dintre cele două  stări stabileale tiristorului

26.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 3 estenotată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă  constituie una dintre cele două  stări

Page 10: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 10/20

Elemente de electronică analogică - teste

136

stabile ale tiristoruluib)  regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea deblocare la polarizare invesă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

c)  regiune de rezistenţă  negativă; stare instabilă; neutilizată  în modnormal.

d)  regiune de conducţie; constituie una dintre cele două  stări stabileale tiristorului

27.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 4 estenotată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă  constituie una dintre cele două  stări

stabile ale tiristoruluib)  regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de

blocare la polarizare invesă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

c)  regiune de rezistenţă  negativă; stare instabilă; neutilizată  în modnormal.

d)  regiune de conducţie; constituie una dintre cele două  stări stabileale tiristorului

28.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 5 estenotată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă  constituie una dintre cele două  stări

stabile ale tiristoruluib)  regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de

blocare la polarizare invesă  constituie una dintre cele două  stăristabile ale tiristorului

c)  regiune de rezistenţă  negativă; stare instabilă; neutilizată  în modnormal.

d)  regiune de conducţie; constituie una dintre cele două  stări stabileale tiristorului

29.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 1 estenotată:

Page 11: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 11/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

137

vT1T2 

iT1T2 

1

23

4

56

iG1 iG2 

iG3 iG4 

Figura 7.3

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

30.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 2 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

31.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 3 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

32.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 4 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

33.

1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 5 este

notată:a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;

Page 12: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 12/20

Elemente de electronică analogică - teste

138

c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

34.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 6 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

35.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 1 este notată:

vA

iA

VH

IH H

VBD

VBR

1

2

3

4

5

 Figura 7.4

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare la polarizare inversă;c)  regiune de blocare la polarizare directă;d)  regiune de rezistenţă negativă.

36.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 2 este notată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă;b)  regiune de blocare la polarizare directă;c)  regiune de rezistenţă negativă.d)  regiune de conducţie.

37.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 3 este notată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă;b)  regiune de blocare la polarizare directă;

c)  regiune de rezistenţă negativă.d)  regiune de conducţie.

Page 13: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 13/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

139

38.1p Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 4 este notată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă;b)  regiune de blocare la polarizare directă;c)  regiune de rezistenţă negativă.d)  regiune de conducţie.

39.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 5 este notată:

a)  regiune de blocare la polarizare inversă;b)  regiune de blocare la polarizare directă;c)  regiune de rezistenţă negativă.d)  regiune de conducţie.

40.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 1 estenotată:

vT1T2 

iT1T2 

1

2

3

4

5

6

Figura 7.5a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

41.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 2 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

42.1p Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 3 estenotată:a)  regiune de străpungere;

Page 14: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 14/20

Elemente de electronică analogică - teste

140

b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

43.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 4 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

44.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 5 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

45.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 6 estenotată:

a)  regiune de străpungere;b)  regiune de blocare;c)  regiune de rezistenţă negativă;d)  regiune de conducţie;

46.

2p

Tiristorul blocat se modelează ca în figura notată:

a)

C

A

b)

C

A

c)

C

A

E

d)

C

A

E

47.2p

Tiristorul în conductie se modelează ca în figura notată:

Page 15: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 15/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

141

a)

C

Ab)

C

Ac)

C

A

E

d)

C

A

E

48.4p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi acurentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,căderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentată în figura notată:

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs iG 

vL 

T

vs 

iG 

t

t

Figura 7.6 Figura 7.7

a)

vs 

iG 

vA  t

t

t

b)

vs 

iG 

vA  t

t

t

c)

vs 

iG 

vA  t

t

t

d)

vs 

iG 

vA  t

t

t

49. Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7

Page 16: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 16/20

Elemente de electronică analogică - teste

142

4p prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi acurentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,căderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcină tiristor este prezentată înfigura notată:

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs iG 

vL 

T

vs 

iG 

t

t

Figura 7.6 Figura 7.7

a)vs 

iG 

vL  t

t

t

b)vs 

iG 

vL  t

t

t

c)

vs 

iG 

vL  t

t

t

d)

vs 

iG 

vL  t

t

t

502p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile încare tiristorul este în conducţie această schemă se modelează ca în figuranotată:

Page 17: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 17/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

143

a)

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs vL 

T

c)

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs vL 

T

c)

RL

Tr

vA

Vp

iL

VsvL

T

 

d)

RL

Tr

vA

Vp

iL

VsvL

T

 

512p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile încare tiristorul este blocat această schemă se modelează ca în figura notată:a)

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs vL 

T

c)

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs vL 

T

c)

RL

Tr

vA

Vp

iL

VsvL

T

 

d)

RL

Tr

vA

Vp

iL

VsvL

T

 

524p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Formele undă care caracterizează funcţionarea sunt prezentate în figura 7.8. În condiţiile în care tensiunea din secundarul transformatorului are expresia

( )   t V t v sS    ω  sin=  cădere de tensiune de pe sarcină (vL) are expresia:

Page 18: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 18/20

Elemente de electronică analogică - teste

144

vs

iG

vL

t1

vAt

0

t

t

t2 t3t4 t5 t6t7 t8t

 Figura 7.8

a)  { }

++∈

+++∈=

 Z k 

 Z k s

 LkT t kT t t  pentru

kT t kT t kT t kT t  pentrut V t v

),(0

),(),(sin)(

11

321   Uω    

b)  { }

++∈

+++∈=

 Z k s

 Z k 

 LkT t kT t t  pentrut V 

kT t kT t kT t kT t  pentrut v

),(sin2

),(),(0)(

11

321

ω  

U  

c)  { }

++∈

+++∈=

 Z k 

 Z k s

 LkT t kT t t  pentru

kT t kT t kT t kT t  pentrut V t v

),(0

),(),(sin2)(

11

321   Uω  

 

d)  { }

++∈

+++∈=

 Z k s

 Z k 

 LkT t kT t t  pentrut V 

kT t kT t kT t kT t  pentrut v

),(sin

),(),(0)(

11

321

ω  

U  

534p

Figura 7.9 prezintă o aplicaţie tipică pentru funcţionarea unui triac.Funcţionarea acestui circuit este descrisă de formele de unda reprezentate în figura notată:

RL 

Tr

vA 

Vp 

iL 

Vs 

iG 

vL 

Tc

Figura 7.9

Page 19: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 19/20

Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune

145

a)vs 

iG 

vL  

vT1T2  t

t

t

t

b)vs

iG

vL

vT1T2t

t

t

c)vs 

iG 

vL  

vT1T2  t

t

t

t

d)vs 

iG 

vL  

vT1T2  t

t

t

t

Page 20: Electrotehnica- Teste Multijonctiune

7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 20/20

Elemente de electronică analogică - teste

146

 Ră spunsuri

1. Răspuns corect a) 31. Răspuns corect b.)2. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect b.)3. Răspuns corect c) 33. Răspuns corect c.)4. Răspuns corect d) 34. Răspuns corect c.)5. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect a.)6. Răspuns corect b) 36. Răspuns corect a.)7. Răspuns corect c.) 37. Răspuns corect b.)

8. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect c.)9. Răspuns corect a) 39. Răspuns corect d.)10. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect d.)11. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect c.)12. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b.)13. Răspuns corect a) 43. Răspuns corect b.)14. Răspuns corect c) 44. Răspuns corect c.)15. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect d.)16. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect b.)17. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect a.)18. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect b)19. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect d)20. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect d)

21. Răspuns corect a) 51. Răspuns corect c)22. Răspuns corect b) 52. Răspuns corect d.)23. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect d)24. Răspuns corect d)25. Răspuns corect a)25. Răspuns corect a)26. Răspuns corect b)27. Răspuns corect c)28. Răspuns corect d.)29. Răspuns corect d)30. Răspuns corect c.)