electrotehnica -teste tecmos

99

Capitolul 6

Tranzistoare cu efect de câmp

metal oxid semiconductor

1. 2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial este prezentată în figura notată cu:

a) S G D

BS

SiO2

p++ n++

n

n

canal

b) S G D

BS

SiO2

n++

n++

p

canal

c)

G

D

GS

canal

p

p n

S

n

joncţiune p-n

joncţiune p-n

d) S G D

B

S

SiO2

n++

n++

p

n

canal

2. 2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus este prezentată în figura notată cu:

a)

S G D

BS

SiO2

p++ n++

n

n

canal

b)

S G D

B

S

SiO2

n++

n++

p

canal

Elemente de electronică analogică - teste

100

c) G

D

G

S

canal

p

p n

S

n

joncţiune

p-n

joncţiune

p-n

d) S G D

B

S

SiO2

n++

n++

p

n

canal

3. 1p

Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se numeşte:

S G D

B

S

SiO2

n++

n++

p

n

canal

Figura 6.1

a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat

4. 1p

Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se numeşte:


5. 1p

Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se numeşte:

6. 1p

Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se numeşte:

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

101


Răspuns corect d) 7. 1p

Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se numeşte:

S G D

B

S

SiO2

n++

n++

p

canal

Figura 6.2


8. 1p

Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se numeşte:


9. 1p

Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se numeşte:


10. 1p

Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se numeşte:


102


11 1p

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

a.)

S

G

D

B

b.)

S

G

D

B

c.)

S

G

D

B

d.)

S

G

D

B

12 1p

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

a.)

S

G

D

B

b.)

S

G

D

B

c.)

S

G

D

B

d.)

S

G

D

B

13 1p

Simbolul unui TECMOS cu canal inţial tip n este:

a.)

S

G

D

B

b.)

S

G

D

B

c.)

S

G

D

B

d.)

S

G

D

B

14 1p

Simbolul unui TECMOS cu canal iniţial tip p este:


103

a.)

S

G

D

B

b.)

S

G

D

B

c.)

S

G

D

B

d.)

S

G

D

B

15. 2p

În cazul unui TECMOS canalul este situat:

a) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2), făcând legatura dintre drena şi sursă;

b) în volumul structurii, făcând legatura dintre drena şi sursă; c) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2), dar numai în partea

dinspre drenă; d) în volumul structurii, dar numai în partea dinspre drenă;

16. 1p

Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de câmp:

a) numai cu canal n: b) numai cu canal p; c) atât cu canal n cât şi cu canal p; d) tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau

TECMOS).

17. 2p

Curentul principal din TECMOS se stabileşte între:

a) grilă şi drenă; b) sursă şi drenă; c) sursă şi grilă; d) grilă şi drenă.

18. 2p

Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabileşte între sursă şi drenă. El este constituit din:

a) electroni b) goluri; c) ioni pozitivi; d) ioni negativi.

19. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabileşte între sursă


104

2p şi drenă. El este constituit din: a) electroni

b) goluri; c) ioni pozitivi; d) ioni negativi.

20 3p

Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circulă între sursă şi drenă - circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată electric de potenţialul de pe grilă. În cazul TECMOS cu canal iniţial:

a) potenţialul grilei modifică lungimea canalului şi prin aceasta rezistenţa canalului;

b) potenţialul grilei modifică secţiunea canalului şi prin aceasta rezistenţa canalului;

c) potenţialul grilei modifică lăţimea canalului şi prin aceasta rezistenţa canalului;

d) potenţialul grilei modifică concentraţia purtătorilor din canal şi prin aceasta rezistenţa canalului.

21. 1p

Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

b)

vIN vO

iIN iO

c)

vIN

vO iIN

iO

d)

vIN vO

iIN iO

22 1p

Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

b)

vIN vO

iIN iO


105

c)

vIN

vO iIN

iO

d)

vIN vO

iIN iO

23. 1p

Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

b)

vIN vO

iIN iO

c)

vIN

vO iIN

iO

d)

vIN vO

iIN iO

24. 1p

Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

b)

vIN vO

iIN iO

c)

vIN

vO iIN

iO

d)

vIN vO

iIN iO

25. 1p

Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:


106

a)

vIN

vO iIN

iO

b)

vIN vO

iIN iO

c)

vIN

vO iIN

iO

d)

vIN vO

iIN iO

26. 1p

Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

b)

vIN vO

iIN iO

c)

vIN

vO iIN

iO

d)

vIN vO

iIN iO

27. 2p

Întrucât grila unui TECMOS este izolată de canal printr-un strat de bioxid de siliciu curentul de grilă este:

a)

.

)(constU

DSGG

GS

vii=

=

b) .

)(constU

GSGG

GS

vii=

=

c) 0≅Gi

d) DS

DSG

r

vi =


107

28. 1p

Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n. Cu I a fost notată:

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=2V

vGS=0V

vGS=0.1V IV.

III.

II.

I.

vGS=VT

vGS-vT

Figura 6.3

a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.

29. 1p

Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n. Cu II a fost notată:


30. 1p

Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n.Cu III a fost notată:


31. 1p

Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n. Cu IV a fost notată:


32. 1p

Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu I a fost notată:


108

vDS

iD

vGS=2V

vGS=4V

vGS=6V

vGS=8V IV.

III.

II.

I.

vGS=VT

vGS-vT

Figura 6.4


33. 1p

Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu II a fost notată:


34. 1p

Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n.Cu III a fost notată:


35. 1p

Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu IV a fost notată:


36. 2p

Un TECMOS care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca

a) rezistenţă comandată; b) un generator de curent comandat; c) un circuit întrerupt; d) un generator de tensiune comandat.


109

37. 2p

Un TECMOS care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca


38. 2p

Un TECMOS care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca


39. 3p

Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=0V

vGS=2V

vGS=4VRegiune de saturatie

Regiune

de cot

Regiune

liniara

Regiune de

blocare

vGS=VT

vGS-vT

b)

vDS

iD

vGS=2V

vGS=4V

vGS=6V

vGS=8V Regiune de saturatie

Regiune de cot

Regiune liniara

Regiune de blocare

vGS=VT

vGS-vT

c)

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=2V

vGS=0V

vGS=0.1VRegiune de saturatie

Regiunede cot

Regiune

liniara

Regiune deblocare

vGS=VT

vGS-vT

d)

vCE

iC

iB1

iB2

iB3

iB4Regiunea activă normalăvCB=0

Regiunea de

saturatie

Regiunea de

blocare

40. 3p

Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:

a)

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=0V

vGS=2V

vGS=4VRegiune de saturatie

Regiune

de cot

Regiune

liniara

Regiune de

blocare

vGS=VT

vGS-vT

b)

vDS

iD

vGS=2V

vGS=4V

vGS=6V

vGS=8V Regiune de saturatie

Regiune de cot

Regiune liniara

Regiune de blocare

vGS=VT

vGS-vT


110

c)

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=2V

vGS=0V

vGS=0.1VRegiune de saturatie

Regiunede cot

Regiune

liniara

Regiune deblocare

vGS=VT

vGS-vT

d)

vCE

iC

iB1

iB2

iB3

iB4Regiunea activă normalăvCB=0

Regiunea de

saturatie

Regiunea de

blocare

41. 3p

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniţial n este prezentată în figura notată:

a)

1V

iD

vGS

IDSS

VT

b) iD

vGS

VT

c)

iD

vGS

IDSS

VT 1V

d)

vBE

iB

vCE1

vCE2>vCE1

γV

42. 3p

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este prezentată în figura notată:

a)

1V

iD

vGS

IDSS

VT

b) iD

vGS

VT

c)

iD

vGS

IDSS

VT 1V

d)

vBE

iB

vCE1

vCE2>vCE1

γV

43. 3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:


111

a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi ( )2

2 TGSD Vvi −=β

c) iG=0 şi DS

T

GS

oD uV

vGi

−=

21

1

d)

=

T

BE

SCe

vIi exp şi

=

T

BE

F

S

Be

vIi exp

β

44. 3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în regiunea de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi ( )2

2 TGSD Vvi −=β

c) iG=0 şi DS

T

GSoD u

V

vGi

−=

21

1

d)

=

T

BE

SCe

vIi exp şi

=

T

BE

F

SB

e

vIi exp

β

45. 3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în regiunea liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi ( )2

2 TGSD Vvi −=β

c) iG=0 şi DS

T

GSoD u

V

vGi

−=

21

1

d)

=

T

BE

SCe

vIi exp şi

=

T

BE

F

SB

e

vIi exp

β

46. 3p

Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:


112

a)

B

E

C

βFiBvBE

iB

b) G

S

D

RvGS

c)

G

S

D

( )2

2 TGS Vv −β

vGS

d) G D

S

G

vGS vDS

47. 3p

Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)

B

E

C

βFiBvBE

iB

b) G

S

D

RvGS

c)

G

S

D

( )2

2 TGS Vv −β

vGS

d) G D

S

G

vGS vDS

48. 3p

Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)

B

E

C

βFiB

vBE

iB

b) G

S

D

RvGS

c)

G

S

D

( )2

2 TGS Vv −β

vGS

d) G D

S

G

vGS vDS

49. 3p

Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:


113

iD

vGS

T2

VT1

T1 T2>T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

Figura 6.5

a) IDSS scade iar VT creşte; b) IDSS creşte iar VT scade; c) IDSS şi cresc; d) IDSS şi VT scad.

Pentru notaţii vezi figura 6.4

50. 3p

Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:

a) iD scade dacă iD>IZ; b) iD creşte dacă iD>IZ; c) iD scade dacă iD<IZ; d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;

Pentru notaţii vezi figura 6.4

51. 3p

O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECMOS se modifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):

a) iD

vGS

T2

VT1

T1 T2<T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

b) iD

vGS

T2

VT1

T1 T2>T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

c)

21 TT ≤ iD

vGS

T2

VT1

T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

d) 21 TT ≥ iD

vGS

T2

VT1

T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

52. Un posibil model matematic pentru un TECMOS – pentru regimul


114

3p cvasistatic de semnal mic – este: a) id=0 şi id=gmvds

b) ig=0 şi id=gmvgs c) id=0 şi id=gmvds d) ig=0 şi id=gmvgs

unde

ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal) id curent de drenă (valoare instantanee de semnal) vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal) vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)

TGS

Dm

VV

Ig

−=

2

53. 3p

Tranconductanţă mutuală a unui TECMOS are expresia:

a) ( )2TGSm

Vvg −= β ;

b) Tgs

Dm

VV

Ig

−=

2 ;

c) ( )TGSm Vvg −= β ;

d) Tgs

dm

VV

Ig

−=

2 .

54. 3p

Schema echivalentă ce corespunde modelului matematic ig=0 id=gmvgs

al unui TECMOS – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – este prezentată în figura:

a)

gmvgs

D

S

G

vgs

b)

gmvgs

D

S

G

vgs

c)

gmvgs

D

S

G

vgs

d)

gmvgs

D

S

G

vgs


115

55. 2p

Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:

a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor, dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor, dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor, precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

56. 3p

Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal indus de tip n:

a) este întotdeauna pozitivă; b) este întotdeauna negativă; c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă; d) este întotdeauna zero.

57. 3p

Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal indus de tip p:


Răspuns corect b) 58. 3p

Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal iniţial de tip n:


59. 3p

Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal iniţial de tip p:


116


60. 3p

Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de polarizare de tipul celei din figura notată:

a) +ED

R1

R2

RC

b) +ED

R1

R2

RC

RS

c)

-ED

R1

R2

RC

d) -ED

R1

R2

RC

RS

61. 3p

Pentru un TECMOS cu canal inţial de tip n s-au impus scheme de polarizare de tipul celei din figura notată:

a) +ED

R1

R2

RC

b) +ED

R1

R2

RC

RS


117

c) -ED

R1

R2

RC

d) -ED

R1

R2

RC

RS

62. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este blocat dacă:

ED

RD

vIN vO

iD

Figura 6.6

a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

63. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în regiunea de saturaţie dacă:

a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN<VT : sau vDS<vDSsat

64. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în regiunea liniară dacă:

a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat


118

65. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este blocat schema se modelează ca în figura notată:

a) ED

RD

vIN vO

iD

GD

S

b) E

D

RD

vIN

vO

( )2

2 TGSVv −

β

G D

S

iD

vGS

c)

vIN vO

ED

RD

vGS

G D

S

R

d) ED

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

R

66. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca în figura notată:

a) ED

RD

vIN vO

iD

GD

S

b) E

D

RD

vIN

vO

( )2

2 TGSVv −

β

G D

S

iD

vGS

c)

vIN vO

ED

RD

vGS

G D

S

R

d) ED

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

R


119

67. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca în figura notată:

a) ED

RD

vIN vO

iD

GD

S

b) E

D

RD

vIN

vO

( )2

2 TGSVv −

β

G D

S

iD

vGS

c)

vIN vO

ED

RD

vGS

G D

S

R

d) ED

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

R

68. 4p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:

a) vO=ED;

b) ( )2

2 TINDDO VvREv −−=β ;

c) vO= ER

R RD

D+;

d) ( )2

2 TINDDO VvREv +−=β .

69. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire are expresia:

a) vO=ED;

b) ( )2


c) vO= ER

R RD

D+;


120

d) ( )2


70. 2p

Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este blocat tensiunea de ieşire are expresia:

a) vO=ED;

b) ( )2


c) vO= ER

R RD

D+;

d) ( )2


71. 2p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:

a) +ED

RD

Vin Vo

Iin

RG1

RG2 RS

C1 C2

b) -ED

RD

Vin Vo

Iin

RG1

RG2 RS

C1 C2

c)

+ED

RD

Vin Vo

Iin

RG1

RG2 RS

C1 C2

CS

d) -ED

RD

Vin Vo

Iin

RG1

RG2 RS

C1 C2

CS

72. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG1

a) face parte din circuitul de polarizare al grilei; b) este rezistor de sarcină; c) este rezistor de limitare; d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.


121

73. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG2


74. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RS


75. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RD


76. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul C1

a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând nici un efect.

b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă, dar lasă să treacă componenta continuă.

c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.

d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

77. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul C2





122


78. 1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul CS





79. 3p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Amplificarea în

tensiune definită prin: in

o

VV

VA = este:

a) Av=gmRD b) Av=-gmRD c) Av=gmRS d) Av=-gmRS

80. 3p

Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Schema echivalentă de semnal mic regim cvasistatic este prezentată în figura notată:

a)

RG Vin

Iin

Vgs gπVgs

Io

VoRD

G D

S

b)

RG Vin

Iin

Vgs gmVgs

Io

VoRD

G D

S c)

RG Vin

Iin

Vgs gmVgs

Io

VoRD

G D

S

d)

RG Vin

Iin

Vgs gmVgs

Io

VoRD

G D

S 81. 3p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistenţa de intrare este:


123

a)

21

2121

GG

GGGGin

RR

RRRRR

+==

b) Rin=βRS

c) 21

2121

GG

GGGGin

RR

RRRRR

+== ββ

d) Rin=RS

82. 3p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistenţa de ieşire este:

a) Ro=RD b) Ro=βRD c) Ro=RS d) Ro=βRS


124

Răspunsuri 1. Răspuns corect d) 33. Răspuns corect b) 2. Răspuns corect b) 34. Răspuns corect c) 3. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect d) 4. Răspuns corect c) 36. Răspuns corect a) 5. Răspuns corect b) 37. Răspuns corect c) 6. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect b) 7. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect c) 8. Răspuns corect a) 40. Răspuns corect b) 9. Răspuns corect c) 41. Răspuns corect c) 10. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b) 11. Răspuns corect c) 43. Răspuns corect a) 12. Răspuns corect d) 44. Răspuns corect b) 13. Răspuns corect a) 45. Răspuns corect a) 14. Răspuns corect b) 46. Răspuns corect b) 15. Răspuns corect a) 47. Răspuns corect c) 16. Răspuns corect c) 48. Răspuns corect d) 17. Răspuns corect b) 49. Răspuns corect d.) 18. Răspuns corect a) 50. Răspuns corect a.) 19. Răspuns corect b) 51. Răspuns corect b) 20. Răspuns corect d) 52. Răspuns corect d.) 21. Răspuns corect a) 53. Răspuns corect c) 22. Răspuns corect c) 54. Răspuns corect a) 23. Răspuns corect b) 55. Răspuns corect a) 24. Răspuns corect a) 56. Răspuns corect a) 25. Răspuns corect c) 57. Răspuns corect b) 26. Răspuns corect b) 58. Răspuns corect c) 27. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect c) 28. Răspuns corect a) 60. Răspuns corect a) 29. Răspuns corect b) 61. Răspuns corect b) 30. Răspuns corect c) 62. Răspuns corect a) 31. Răspuns corect d) 63. Răspuns corect b) 32. Răspuns corect a) 64. Răspuns corect b) 65. Răspuns corect a)


125

66. Răspuns corect b) 67. Răspuns corect c) 68. Răspuns corect c) 69. Răspuns corect b) 70. Răspuns corect a) 71. Răspuns corect c) 72. Răspuns corect a) 73. Răspuns corect a) 74. Răspuns corect a) 75. Răspuns corect b) 76. Răspuns corect d) 77. Răspuns corect d) 78. Răspuns corect d) 79. Răspuns corect b) 80. Răspuns corect c) 81. Răspuns corect a.) 82. Răspuns corect a.)

electrotehnica -teste tecmos

Documents