electrotehnica -teste circuite tb

7/21/2019 Electrotehnica -Teste Circuite TB

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-circuite-tb 1/32

49

Capitolul 4

Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

1.1p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura:

a)EC

RC

vIN vO

iC

iIN

b)EC

RE

vIN

vO

iIN

c)

vIN vO

EC

RC

iC

iIN

d)EC

RC

VinVo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

2.1p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura:

a)EC

RC

vIN vO

iC

iIN

b)EC

RE

vIN

vO

iIN



Elemente de electronică analogică - teste

50

c)

vIN vO

EC

RC

iC

iIN

d)EC

Vin

Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

3.1p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura:

a) EC

RC

vIN vO

iC

iIN

b) EC

RE

vIN

vO

iIN

c)

vIN vO

EC

RC

iC

iIN

d)

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

Iin

Vin

Vo

4.2p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T este blocat dacă:

EC

RC

vIN vO

iC

iIN

Figura 4.1




51

5.2p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:

a) vIN<Vγ

b) Vγ <vIN<VBEsat c) vIN≈vBEsat d) vIN>>vBEsat

6.2p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:

a) vIN<Vγ

b) Vγ <vIN<VBEsat c) vIN≈vBEsat d) vIN>>vBEsat

7.2p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T este blocat dacă:

EC

RE

vIN

vO

iIN

Figura 4.2

a) γ V v IN ,∞−∈

b) vIN∈[ γ V , EC)c) vIN=EC d) ( )γ V v IN −∞−∈ ,

8.2p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:

a) ( )γ V v IN ,∞−∈

b) vIN∈[ γ V , EC)

c) vIN=EC d) ( )γ V v IN −∞−∈ ,




52

9.2p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:

a) γ V v IN ,∞−∈

b) vIN∈[ γ V , EC)

c) vIN=EC d) ( )γ V v IN −∞−∈ ,

10.2p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T este blocat dacă:

vIN vO

EC

RC

iC

iIN

Figura 4.3

a) BEsatIN vv ≅ b) vIN∈(-vBEsat, - γ V )

c) vIN +∞−∈ γ ,V

d) vIN +∞∈ ,γ V

11.2p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:

a) BEsatIN vv ≅ b) vIN∈(-vBEsat, - γ V )

c) vIN +∞−∈ γ ,V

d) vIN )+∞∈ ,γ V

12.2p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:

a) BEsatIN vv ≅

b) vIN∈(-vBEsat, - γ V )

c) vIN +∞−∈ γ ,V

vIN )+∞∈ ,γ V




53

13.2p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T este blocat dacă vIN<Vγ . În aceste condiţii schemaechivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:a)

EC

RC

vIN vO

iC

B

CE

b)EC

RE

vIN

vO

iIN BC

E

c)EC

RC

vIN vO

iC

BC

E

d)EC

RC

0v IN ≈ vO

BC

E

RB

14.3p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T este blocat dacă γ ∞−∈ V,v IN . În aceste condiţii

schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:a)

EC

RC

vIN vO

iC

B

CE

b)EC

RE

vIN

vO

iIN BC

E

c)EC

RC

vIN vO

iC

BC

E

d)EC

RC

0v IN ≈ vO

BC

E

RB




54

15.3p

Schema de principiu a unui etaj bază comună comun este prezentată înfigura 4.3. Tranzistorul T este blocat dacă +∞−∈ γ ,V . În aceste condiţii

schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:a)

EC

RC

vIN vO

iC

B

CE

b)EC

RE

vIN

vO

iIN BC

E

c)EC

RC

vIN vO

iC

BC

E

d)EC

RC

0v IN ≈ vO

BC

E

RB

16.2p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă Vγ <vIN<VBEsat. Înaceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regimcvasistatic este::a)

EC

RC

vIN v

O

βiIN

B C

E

iC

iIN

b)EC

RE

vIN

vO

B C

E

vBE

iIN

βiIN

c)

vIN vO

B

E

EC

RC

C

iC

iIN

βiIN

d)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE




55

17.2p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă vIN∈ [ γ V , EC). În

aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regimcvasistatic este:a)

EC

RC

vIN v

O

βiIN

B C

E

iC

iIN

b)EC

RE

vIN

vO

B C

E

vBE

iIN

βiIN

c)

vIN v

O

B

E

EC

RC

C

iC

iIN

βiIN

d)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

18.2p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă vIN∈(-vBEsat, - γ V ). În aceste condiţii schema echivalentă de semnal marepentru regim cvasistatic este:a)

EC

RC

vIN v

O

βiIN

B C

E

iC

iIN

b)EC

RE

vIN

vO

B C

E

vBE

iIN

βiIN




56

c)

vIN v

O

B

E

EC

RC

C

iC

iIN

βiIN

d)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

19.2p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN≈vBEsat În acestecondiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistaticeste::a)

vIN vO

EC

RCvCEsat

vBEsat

B C

E

b)

vO

EC

RCvCEsat

vBEsat

B C

E

RB

CIN Ev ≈

c)

vIN

vO

EC

RE

vBEsat

B C

E

vCEsat

d)

vIN vOvBEsat

B

EC

RC

CEvCEsat

20.2p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN=EC. În acestecondiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistaticeste:




57

a)

vIN vO

EC

RCvCEsat

vBEsat

B C

E

b)

vO

EC

RCvCEsat

vBEsat

B C

E

RB

CIN Ev ≈

c)

vIN

vO

EC

RE

vBEsat

B C

E

vCEsat

d)

vIN vOvBEsat

B

EC

RC

CEvCEsat

21.2p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă BEsatIN vv ≅ . În acestecondiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistaticeste:a)

vIN vO

EC

RCvCEsat

vBEsat

B C

E

b)

vO

EC

RCvCEsat

vBEsat

B C

E

RB

CIN Ev ≈

c)

vIN

vO

EC

RE

vBEsat

B C

E

vCEsat

d)

vIN vOvBEsat

B

EC

RC

CEvCEsat




58

22.4p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:

a) vO=EC;b)

sat CE O vv ≈ ;

c) vO=0;d)

sat BE O vv ≈

23.4p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:

a) vO=EC;b)

sat CE O vv ≈ ;

c) vO=0;d)

sat BE O vv ≈

24.4p

Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:

a) vO=EC;b)

sat CE O vv ≈ ;

c) vO=0;d)

sat BE O vv ≈

25.

4p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura

4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea deieşire are valoarea:

a)

−−=

T

IN S C C O

e

v I R E v exp

b) vO=vIN-vBE c) 0≅≈

sat CE O V v

d) T

IN C S C O

e

v R I E v exp−=




59

26.4p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea deieşire are valoarea:

a)

−−=

T

IN S C C O

V

v I R E v exp


sat CE O V v

d) T

INCSCO

V

vexpRIEv −=

27.4p Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea deieşire are valoarea:

a)

−−=

T

IN S C C O

e

v I R E v exp


sat CE O V v

d) T

IN C S C O

e

v R I E v exp−=

28.

4p

Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura

4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire arevaloarea:

a) vO=vCEsat b) vO=EC-vCEsat c) vO=EC d) vO=EC-vBEsat

29.4p

Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire arevaloarea:





60

30.4p Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire arevaloarea:


31.3p

Caracteristica de transfer a unui etaj emitor comun este prezentată înfigura:

a)

0.5V 1V vIN

vO

EC

vCEsat

γ V

vBEsat

b)

γ V

vIN

vO

EC-vCEsat.

EC

c)

- γ V vIN

vO

EC

-vBEsat

d)

γ V

vIN

vO

EC-vCEsat.

EC

32.3p

Caracteristica de transfer a unui etaj colector comun este prezentată înfigura:a)

0.5V 1V vIN

vO

EC

vCEsat

γ V

vBEsat

b)

γ V vIN

vO

EC-vCEsat.

EC




61

c)

- γ V vIN

vO

EC

-vBEsat

d)

γ V

vIN

vO

EC-vCEsat.

EC

33.3p

Caracteristica de transfer a unui etaj bază comună este prezentată înfigura:a)

0.5V 1V vIN

vO

EC

vCEsat

γ V

vBEsat

b)

γ V

vIN

vO

EC-vCEsat.

EC

c)

- γ V vIN

vO

EC

-vBEsat

d)

γ V

vIN

vO

EC-vCEsat.

EC

344p

Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiuneaemitor comun este:a)

EC

Vin

Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

b)EC

RC

vIN vO

RB




62

c)EC

RC

VinVo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

d)

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

Iin

Vin Vo

354p

Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiuneacolector comun este:

a) EC

Vin

Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

b) EC

RC

vIN vO

RB

c)

EC

RC

Vin Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

d)

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

Iin

Vin Vo

364p

Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiuneabază comună este:a)

EC

Vin

Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

b)EC

RC

vIN vO

RB




63

c)EC

RC

VinVo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

d)

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

Iin

Vin Vo

374p

Schema electrică a unui inversor saturat este:

a) EC

Vin

Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

b) EC

RC

vIN vO

RB

c)

EC

RC

VinVo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

d)

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

Iin

Vin Vo

383p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Schemaechivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:

EC

RC

VinVo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

Figura 4.4




64

a)

RB rπVt gmVbe

Ic

Vbe

Ib

Ir

VotRC

B C

E

It

b)

It

RB

RCrπ V

be

B

gmV

be

C

E

Vt

+

-

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

393p

Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Schemaechivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:

EC

Vin

Vo

Iin

RB1

RB2 RE

C1

C2

Figura 4.5

a)

RB rπVt gmVbe

Ic

Vbe

Ib

Ir

VotRC

B C

E

It

b)

It

RB

RCrπ V

be

B

gmV

be

C

E

Vt

+

-




65

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

403p

Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Schemaechivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

Iin

Vin Vo

Figura 4.6

a)

RB rπVt gmVbe

Ic

Vbe

Ib

Ir

VotRC

B C

E

It

b)

It

RB

RCrπ V

be

B

gmV

be

C

E

Vt

+

-

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

411p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorii RB1 şiRB2 au rolul:

a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea




66

activă normală.b) de a asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta

continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) sarcină.

421p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorul RE are rolul:

a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală.

b) de a asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta

continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.

d) de sarcină.

431p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorul RC are rolul:



continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) de sarcină.

441p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. CondensatorulC1 are rolul:



continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

451p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. CondensatorulC2 are rolul:







67

461p

Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. CondensatorulCE are rolul:




471p

Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Rezistorii RB1 şi RB2 au rolul:


activă normală.b) de a asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta


481p

Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Rezistorul RE are rolul:


b) de sarcină asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta

continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.

d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

491p

Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. CondensatorulC1 are rolul:


b) de sarcină asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta


501p

Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. CondensatorulC2 are rolul:





68

b) de sarcină asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componentacontinuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.

d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

511p

Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorii RB1 şiRB2 au rolul:



continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

521p

Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RE arerolul:



continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

531p

Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RC arerolul:


activă normală.b) de a asigura stabilizare termică c) de sarcină.d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

541p

Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. CondensatorulC1 are rolul:


b) de a asigura stabilizare termică;c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta

continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

55 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Condensatorul




69

1p C2 are rolul:a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală;

b) de a asigura stabilizare termică;c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta

continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

561p

Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. CondensatorulCB are rolul:

a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală;

b) de a asigura stabilizare termică;

c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componentacontinuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;

d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

57.4p

Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regimcvasistatic este:

EC

RC

Vt

Vot

It

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

Figura 4.7

a)

RB rπVt gmVbe

Ic

Vbe

Ib

Ir

VotRC

B C

E

It

b)

It

RB RCrπ Vbe

B

gmVbe

C

E

Vt

+

-




70

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

58.4p

Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim

cvasistatic este:

EC

VtVot

It

RB1

RB2 RE

C1

C2

Figura 4.8

a)

RB rπVt gmVbe

Ic

Vbe

Ib

Ir

VotRC

B C

E

It

b)

It

RB RCrπ Vbe

B

gmVbe

C

E

Vt

+

-




71

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

59.4p

Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim

cvasistatic este:

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

It

Vt Vot

Figura 4.9

a)

RB rπVt gmVbe

Ic

Vbe

Ib

Ir

VotRC

B C

E

It

b)

It

RB RCrπ Vbe

B

gmVbe

C

E

Vt

+

-

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

60.4p

Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a




72

rezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prinrelaţia

t

otV

V

VA = , expresia acestei amplificări este:

a) C v Rg A π −= ;

b) C mv Rg A −= ;

c) 1≅v A ;

d) C mv Rg A = .

61.4p

Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin

relaţiat

otV

V


a) C v Rg A π −= ;

b) C mv Rg A −= ;

c) 1≅v A ;

d) C mv Rg A = .

62.4p

Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin

relaţiat

ot

VV


a) C v Rg A π −= ;

b) C mv Rg A −= ;

c) ( )

( )1

1

1≅

++

+=

E

E v

Rr

R A

β

β

π

;

d) C mv Rg A = .

63.4p

Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin

relaţiat

t

inIVR = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:




73

a) β β mm

E in

r r R R ≅

+=

1

b) β β π π r r

R R E in ≅

+=

1

c) ( )[ ] E E B E Bin R R R Rr R R β β β π ≅≅++= 1

d) π π r r R R Bin ≅=

64.4p

Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin

relaţiat

tin

IVR = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:

a) β β mm

E in

r r R R ≅

+=

1

b) β β π π r r

R R E in ≅

+=

1


d) π π r r R R Bin ≅=

65.4p

Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin

relaţiat

t

inI

VR = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:

a) β β mm

E in

r r R R ≅

+=

1

b) β β π π r r

R R E in ≅

+=

1


d) π π

r r R R Bin

≅=

66. Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generator




74

4p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă desemnal mic, regim cvasistatic este:+EC

RC

Vt

RB1

RB2 RE

C1

C2

CE

It

+

-

CS

Figura 4.10

a)It

RC Vt

+

-

b)

ItRB

RE

rπ

B

bIβ

C

E

Vt

+

-

Ib

Ie

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

67.4p

Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu ungenerator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schemaechivalentă de semnal mic, regim cvasistatic este:

+EC

Vt

RB1

RB2 RE

C1

C2

+

-

CS

It

Figura 4.11




75

a)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

b)

ItRB

RE

rπ

B

bIβ

C

E

Vt

+

-

Ib

Ie

c)It

RC Vt

+

-

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

68.4p

Figura 4.12 prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generatorde tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă desemnal mic, regim cvasistatic este:

RB1

RB2 RC

+EC

CBRE

C1 C2

It

Vt

Cs

Figura 4.12

a)

RC Vt

It

b)

ItRB

RE

rπ

B

bIβ

C

E

Vt

+

-

Ib

Ie




76

c)

RB

rπ

Vt

bIβ

IcIb

Vot

B C

E

It

Ir

RE

d)

rπRE RC

IeIb

βIb

Vot

Vx

It

Vt

69.3p

Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu ungenerator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia eieste:

a) ( )[ ] E E B E Bo R R R Rr R R β β β π ≅≅++= 1

b) π π r r R R Bo ≅=

c) β β π π r r

R R E o ≅

+=

1

d) C o R R =

703p

Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generatorde tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei este:


b) π π

r r R R Bo ≅=

c) β β π π r r

R R E o ≅

+=

1

d) C o R R =

713p

Figura 4.12prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generatorde tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei este:


b) π π r r R R Bo ≅=

c) β β

π π r r R R E o

≅

+

=

1

d) C o R R =




77

72.3p

Figura 4.13 prezinta schema unui inversor saturat: Acesta realizează funcţia logică:

EC

RC

vIN vO

RB

Figura 4.13

a) AND;b) NOT;

c) OR;d) NAND.Răspuns corect b)




78




79

Ră spunsuri

1. Răspuns corect a) 37. Răspuns corect d)2. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a)3. Răspuns corect c) 39. Răspuns corect c)4. Răspuns corect a) 40. Răspuns corect d)5. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect a)6. Răspuns corect c) 42. Răspuns corect b)7. Răspuns corect a) 43. Răspuns corect d)8. Răspuns corect b) 44. Răspuns corect c)9. Răspuns corect c) 45. Răspuns corect c)10. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect d)

11. Răspuns corect b) 47. Răspuns corect a)12. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect a)13. Răspuns corect c) 49. Răspuns corect c)14. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect c)15. Răspuns corect a) 51. Răspuns corect a)16. Răspuns corect a) 52. Răspuns corect b)17. Răspuns corect b) 53. Răspuns corect c)18. Răspuns corect c) 54. Răspuns corect c)19. Răspuns corect a) 55. Răspuns corect c)20. Răspuns corect c) 56. Răspuns corect d)21. Răspuns corect d) 57. Răspuns corect a)22. Răspuns corect a) 58. Răspuns corect c)23. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect d)

24. Răspuns corect a) 60. Răspuns corect b.)25. Răspuns corect d) 61. Răspuns corect c.)26. Răspuns corect b) 62. Răspuns corect d.)27. Răspuns corect a) 63. Răspuns corect d)28. Răspuns corect a) 64. Răspuns corect c)29. Răspuns corect b) 65. Răspuns corect c)30. Răspuns corect c) 66. Răspuns corect a)31. Răspuns corect a) 67. Răspuns corect b)32. Răspuns corect b) 68. Răspuns corect a)33. Răspuns corect c) 69. Răspuns corect c)34. Răspuns corect c) 70. Răspuns corect d35. Răspuns corect a) 71. Răspuns corect d)36. Răspuns corect d) 72. Răspuns corect b)




80

electrotehnica -teste circuite tb

Documents