Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Colegiul Politehnic din Chiinu

Catedra Comunicaii

Disciplina: Comunicaii prin fibre optice

Lucrare de laborator Nr.5

Tema: Studierea parametrilor optici a diodei laser cu heterostructur

A efectuat elevul grupei TC-0210: Jengan SergiuA verificat profesor: Popov Natalia

Chiinu 2014Scopul lucrrii: De a studia structura diodelor laser semiconductoare confecionat din mai multe straturi, de a determina ctigul necesar pentru asigurarea condiiilor de oscilare. Determinarea lungimii de und i frecvena spaiului dintre modurile longitudinale i numrul de mode longitudinale care exist ntre straturile benzii interzise de energie.Sarcina de laborator: Constana reelei a0(x,y) a straturilor combinate ntr-un singur material In1-xGaxAsyP1-y poate fi aproximat prin ecuaia (In i Ga sunt elemente de grupa a III, iar As i P elemente a grupei a V):a0(x,y)=xya(GaAs)+x(1-y)a(GaP)+(1-x)ya(InAs)+(1-x)(1-y)a(InP)unde:a reprezint constanta reelei conexiunilor binare ntre elemente.1. Determinm relaia ntre x i y pentru mbinarea cuaternal In1-xGaxAsyP1-y considernd ca materiale principale o reea dual din InP. Reeaua din aceste dou materiale defapt i constitu stratul activ al laserului. Specificm diapazoanele permise pentru valorile x i y constanta reelei pentru mbinrile duale ale elementelor din reeua cuaternal vor fi:a(GaAs)=5,6533 a(GaP)=5,4512a(InAs)=6,0584 a(InP)=5,8688Considerm c cu o mare aproximare rezultatul nostru poate fi notat cu y=bx, unde b este constant. n corespunderea cu aceast formul x i y sunt diferite, materialul cuaternal In1-xGaxAsyP1-y nectnd la faptul c are o unic constant a reelei are diferite valori ale benzilor energetice interzise la hotarele ntre cele patru straturi.Cnd y=0, x=0 i cnd y=1, x=0,468. Atunci 0