adina_rd

Upload: liviu-andrei

Post on 01-Mar-2018

215 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

  • 7/25/2019 adina_RD

    1/12

    Proiect

    Radiocomunicatii

    Student: Profesor:

    Alexandrachi Adina Radu Gabriel Bozomitu

    Grupa:

    5403

    1

  • 7/25/2019 adina_RD

    2/12

    Sa se proiecteze un etaj ARFP care lucreaza dupa principiul modificarii de frecventa

    prin deformarea semnalului de ordin de multiplicare k=3, utilizand un transistor de RF de tip

    BFR92

    Ec=5V.Se utilizeaza doua celule de adaptare de banda ingusta in pi care realizeazaadaptarile urmatoare:

    La intrare: intre iesirea unui etaj anterior care prezinta R0=60 ohmi si C0=50 pFsi intrarea tranzistorului etajului multiplicator.

    La iesire: adaptare in putere pe Rs=100 ohmi.

    Etajul se va proiecta in vederea maximizarii puterii utile pe sarcina si a randamentului

    transformatorului de putere astfel incat THD-ul semnalului pe sarcina sa fie mai mic decat

    1%.Frecventa de intrare este de 1MHz.

    Fisierul Mathcad:

    Ec 5 V Tensiunea de alimentare

    90 Factorul de amplificare al tranzistorului

    k 3 Ordin de multiplicare

    R0 60 Rezistena dintre etaje

    Rs 100 Rezistena de sarcin

    Vbe 0.6 V

    Cc 0.3510

    12

    F Cc este capacitatea de reactie baz-colector

    Pu 2.510

    3 W Puterea util pe sarcina

    Ig 310

    3

    Curentul de la sursa de alimentare

    C0 5010

    12

    F Capacitatea dintre etaje2

  • 7/25/2019 adina_RD

    3/12

    Rp 0.1106

    V0 0.5

    Ce 1.210

    12

    Vc3 1.7

    fin 1106

    f3 3fin 3 106

    Rb 10

    Ic0M 2510

    3

    Qb 60

    Q 10

    Rsat 10

    Hz Frecvenade intrare

    Hz

    Rezistena din baz

    Factorul de calitate al bobinei

    Factor de calitate in sarcina

    rad6 2fin 6.28310 s

    1_80 0.0472

    Pentru c=40 coeficienii dezvoltrii n serieFourier

    0 0.146923 1 0.279904 3 0.1845363 0.6591

    0 0.034374 1 0.056485 3 0.043173

    Pentru c=140 coeficienii dezvoltrii n serie Fourier:

    0_140 0.800418 1_140 0.934515 3_140 .043173

    3

  • 7/25/2019 adina_RD

    4/12

    Calcularea amplitudinii componentei variabile de colector pe armonica a-III-a:

    40 c c 0.698 c 2.443180

    Vc1 Ec 1 1 8RsatPu 4.778 V 2

    1_80Ec2

    13

    Vc3100 este ran amentu 2 0 Ec

    21.352

    Calcul circuitului de colector

    Pu 2.510

    3

    Vc3 1.7

    Rc

    (Vc3)2

    578 ohmiRc este rezistena de colector

    2Pu

    2Pu 3 A Ic3 este amplitudinea armonicii III a curentului de colector

    Ic3 Vc3

    2.94110

    Icmax Ic3 0.016 Icmax este curentul maxim de colector3

    Ic0 0Ic3 2.34210

    3Ic0 este componenta continu a curentului de colector

    3

    Ib0 Ic0 2.60210

    5 Ib0 este componenta continu a curentului de baz

    Pu 2.510

    3

    4

  • 7/25/2019 adina_RD

    5/12

    P0 EcIc0 0.012 W P0 este puterea de ieire

    100PuP0

    21.352

    Calculul circuitului acordat paralel din colector

    Q 10

    Factorul de calitate n sarcin al circuitului acordat paralel se alege egal cu cel al celulei deadaptare de la ieire.Astfel acest circuit vede o sarcin egal cu impedana de ieire din colectorultranzistorului (Rc) n paralel cu rezistena de intrare n celula de adapare de la adaptare Rc/2

    L Rc

    3.06610

    62f3 Q

    C 1 9.17810

    10

    42

    f32

    L

    Rp Qb2f3L 3.46810

    3

    Rezistenta de pierderi a bobinei

    Calculul tensiunii de polarizare B-E

    Uin IgR0

    20.09

    Ebe Vbe Uincos () 0.66

    Calculul rezistenelor de polarizare:

    Ic Ic0 2.34210

    3

    Vce Ec 2.52

    R1 0.1Ec

    1.922104 ohmiIc

    5

  • 7/25/2019 adina_RD

    6/12

    R2 R1[Ec (Vce Ebe)]

    3.196104

    ohmiVce Vbe

    Re Ec Vce 1.056103

    1 Ic

    Ic3_calc Ec

    Vce

    Re

    Ic3_calc 2.36810

    3

    Observaie: Rezistena din emitor se decupleaz cu un condesator de 1 nF!

    Calculul celulei de adaptare in de la intrare:

    Zin Rb1 ( c)iCe

    2 1_140 Zin Rb

    42

    fin2

    Ce2

    Zin 1.239105

    rd

    960.84440Ic0

    gm 1 1.04110

    3

    rd

    b 1 8.673108rd Ce

    x

    89.998

    1 2b

    R1 1.922104

    transconductanta

    Frecventa de taiere a tranzistorului

    6

  • 7/25/2019 adina_RD

    7/12

    R2 3.196104

    Zin 1.23910

    5

    Re R1R2

    1.2104

    R1 R2

    Rs ReZin

    1.094104

    Re Zin

    RSnec R0ohmi RSnec este rezistenta din colector, necesar pentru asigurarea

    puterii utile

    g 1 3.183103

    2fin C0

    X1

    RSnecXg

    6.011QXg RSnec

    X2 Rs 80.625Rs 1 1

    RSnec

    2 L

    QRSnec1 1 Rs 1 Q186.561

    2 Q RSnec1 Q

    C1 1 2.64810

    8

    2fin X1

    C2 1 1.97410

    9

    2fin X2

    L XL

    1.37810

    52fin

    7

  • 7/25/2019 adina_RD

    8/12

    Calculul celulei de adaptare n de la ieire:

    Q 10

    Rsn Vc3

    Ic3578

    Y0 iCe(1 3 (c))

    C0 Cc(1 3 ) 1.7110

    12

    XG 1

    3.1031042f3 C0

    X1

    RsnXG

    57.908QXG Rsn

    X2 Rs 250.298Rs 1 1Rsn

    2 L

    QRsn1 1 Rs 1 Q1

    1 2 Q Rsn

    Q

    C1 1 9.16110

    10

    2f3 X1

    C2 1

    2.1210

    10

    2f3 X2

    L XL

    1.63110

    52f3

    Admitanta de iesire din colectorul tranzistorului

    Capacitatea de iesire

    307.395

    8

  • 7/25/2019 adina_RD

    9/12

    Schema :

    Rezultatele simularilor:

    9

  • 7/25/2019 adina_RD

    10/12

    10

  • 7/25/2019 adina_RD

    11/12

    11

  • 7/25/2019 adina_RD

    12/12

    12