subiecte teorie cef

5
S1 S2 Marimi electrice in jonctiunea p-n abrupta ideala la echilibru termi Procese fizice in jonctiunea p-n polarizata in regim stationar (incl. concentatiile de purtatori minoritari la marginile regiunii de tranzititie) S3 Ecuatia caracteristicii statice idealizate a jonctiunii p-n polarizate in regim stationar (ec. lui Shockley) S4 Capacitatea de difuzie a jonctiunii p-n S5 Capacitatea de bariera a jonctiunii p-n S6 Modelul de semnal mic la inalta frecventa al diodei semiconductoare S7 Strapungerea jonctiunii p-n S8 Procese fizice in tranzistorul bipolar cu jonctiuni polarizat in regiunea activa normala S9 Expresiile curentilor prin tranzistorul bipolar cu jonctiuni polarizat in regiunea activa normala S10 Distributiile concentratiilor de purtatori minoritari in tranzistorul bipolar cu jonctiuni in alte regiuni de functionare decat RAN S11 Efecte secundare in functionarea tranzistorului bipolar cu jonctiuni S12 Functionarea tranzistorului bipolar cu jonctiuni in regim variabil la semnal mic – modelul π- hibrid complet S13 Functionarea fizica a TEC MOS cu canal n indus S14 Expresiile curentului de drena pentru regiunile trioda si activa (de saturatie) S15 Efectul de scurtare a canalului si efectul de substrat S16 Modelul de semnal mic al TEC MOS considerand si efectele de scurtare a canalului si de substrat; S17 Capacitatile TEC MOS si modelul complet de semnal mic la inalta frecventa pentru TEC MOS; S18 Functionarea diodei semiconductoare in regim de comutatie – starile stationare – procese fizice la tranzitia dintre starile stationare; S19 Formele de unda si distributiile corespunzatoare ale purtatorilor minoritari la comutatia directa si inversa a diodei semiconductoare; S20 Comutatia tranzistorului bipolar cu jonctiuni; S21 Forma ideala a curentului de baza la comutatie – condensatorul de accelerare; S22 Comutatia TEC MOS; S23 Inversorul logic CMOS; S24 Exemple de porti logice CMOS + circuite basculante – probleme generale, definitii, clasificare; S25 Circuite basculante bistabile; S26 Specificarea raspunsului la inalta frecventa al TBJ si al TEC; S27 Parametri de regim permanent ai amplificatoarelor;

Upload: lucian

Post on 16-Dec-2015

72 views

Category:

Documents


5 download

DESCRIPTION

Lista subiecte examen CEF

TRANSCRIPT

S1S2

Marimi electrice in jonctiunea p-n abrupta ideala la echilibru termi Procese fizice in jonctiunea p-n polarizata in regim stationar (incl. concentatiile de purtatori minoritari la marginile regiunii de tranzititie)

S3 Ecuatia caracteristicii statice idealizate a jonctiunii p-n polarizate in regim stationar (ec. lui Shockley)

S4 Capacitatea de difuzie a jonctiunii p-n

S5 Capacitatea de bariera a jonctiunii p-n

S6 Modelul de semnal mic la inalta frecventa al diodei semiconductoare

S7 Strapungerea jonctiunii p-n

S8 Procese fizice in tranzistorul bipolar cu jonctiuni polarizat in regiunea activa normala

S9 Expresiile curentilor prin tranzistorul bipolar cu jonctiuni polarizat in regiunea activa normala

S10 Distributiile concentratiilor de purtatori minoritari in tranzistorul bipolar cu jonctiuni in alte regiuni de functionare decat RAN

S11 Efecte secundare in functionarea tranzistorului bipolar cu jonctiuni

S12 Functionarea tranzistorului bipolar cu jonctiuni in regim variabil la semnal mic modelul-hibrid complet

S13 Functionarea fizica a TEC MOS cu canal n indus

S14 Expresiile curentului de drena pentru regiunile trioda si activa (de saturatie)

S15 Efectul de scurtare a canalului si efectul de substrat

S16 Modelul de semnal mic al TEC MOS considerand si efectele de scurtare a canalului si de substrat;

S17 Capacitatile TEC MOS si modelul complet de semnal mic la inalta frecventa pentru TEC MOS;

S18 Functionarea diodei semiconductoare in regim de comutatie starile stationare procese fizice la tranzitia dintre starile stationare;

S19 Formele de unda si distributiile corespunzatoare ale purtatorilor minoritari la comutatia directa si inversa a diodei semiconductoare;

S20 Comutatia tranzistorului bipolar cu jonctiuni;

S21 Forma ideala a curentului de baza la comutatie condensatorul de accelerare;

S22 Comutatia TEC MOS;

S23 Inversorul logic CMOS;

S24 Exemple de porti logice CMOS + circuite basculante probleme generale, definitii, clasificare;

S25 Circuite basculante bistabile;

S26 Specificarea raspunsului la inalta frecventa al TBJ si al TEC;

S27 Parametri de regim permanent ai amplificatoarelor;

S28 Unilateralizarea amplificatoarelor (T. Miller);

S29 Analiza amplificatoarelor pe domenii de frecventa utilizand scheme echivalente valabile pentru fiecare domeniu;

S30 Analiza la joasa frecventa a etajului elementar de amplificare cu TEC in conexiunea sursa comuna;

S31 Analiza la inalta frecventa a etajului elementar de amplificare cu TEC in conexiunea sursa comuna;

S32 Exemplu de aplicare a metodei constantelor de timp de scurtcircuit pentru determinarea frecventei limita inferioara a benzii de trecere a etajului de amplificare cu TEC in conexiunea sursa comuna;

S33 Exemplu de utilizare a metodei constantelor de timp de circuit deschis pentru determinarea aproximativa a frecventei limita superioara a benzii de trecere a etajului de amplificare cu TEC in conexiunea sursa comuna;

S34 Analiza la inalta frecventa a etajului de amplificare cu TBJ in conexiunea emitor comun;

S35 Analiza la inalta frecventa a etajului de amplificare cu TBJ in conexiunea colector comun;

S36 Analiza la inalta frecventa a etajului de amplificare cu TBJ in conexiunea baza comuna;

----------------------------------------------------------------------------------------------------

S37 Amplificatorul cascoda cu 2TBJ

S38 Amplificatorul parafaza cu 2 TBJ

S39 Amplificatoare cu reactie definitii, structura tipica, ecuatia reactiei ideale, identificarea reactiei negative;

S40 Topologii de reactie;

S41 Proprietatile reactiei negative in amplificatoare desensibilizarea factorului de amplificare, cresterea benzii de trecere;

S42 Proprietatile reactiei negative in amplificatoare reducerea distorsiunilor neliniare, reducerea influentei semnalelor parazite;

S43 Proprietatile reactiei negative in amplificatoare modificarea convenabila a rezistentelor de intrare si de iesire

S44 Amplificatoare cu reactie reale efectele incarcarilor la intrare si la iesire (analiza unuiamplificator real cu reactie paralel-paralel cu ajutorul modelelor de diport)

S45 Exemplu de amplificator cu reactie paralel paralel (schema,analiza in cc, identificarea circuitului de reactie si a topologiei, deducerea aproximativa a amplificarii cu reactie raportate la generator)

S46 Exemplu de amplificator cu reactie paralel paralel (schema; analiza detaliata la semnal mic a amplificatorului cu reactie (a*, f*, A, Rir, Ror))

S47 Realizarea unui amplificator de tensiune cu ajutorul unui amplificator cu reactie paralel paralel

S48 Regula pentru deducerea directa a incarcarilor suplimentare la intrare si la iesire produse de interconectarea diportilor amplificator de baza si circuit de reactie si regula de determinare a factorului de reactie idealizat (cu exemplificare pentru o topologie oarecare)

S49 Regula de determinare directa a transmisiei pe bucla (inclusiv un exemplu de aplicare pentru o topologie oarecare)

S50 Analiza unui amplificator cu reactie serie-serie cu ajutorul modelelor de diport - probleme speciale la reactia de tip serie (topologia echivalenta cu reactia serie pura)

S51 Analiza de principiu a unuiamplificator cu reactie serie-serie bazata pe topologia echivalenta cu reactia serie pura si pe modelul cuparametri de diport al circuitului de reactie.

S52 Exemplu de amplificator cu reactie serie serie (schema,analiza in cc, identificarea circuitului de reactie si a topologiei, deducerea aproximativa a amplificarii cu reactie)

S53 Exemplu de amplificator cu reactie serie serie (schema; analiza detaliata la semnal mic a amplificatorului cu reactie (a*, f*, A, Rir, Ror))

S54 Exemplu de amplificator cu reactie paralel serie (schema,analiza in cc, identificarea circuitului de reactie si a topologiei, deducerea aproximativa a amplificarii cu reactie)

S55 Exemplu de amplificator cu reactie paralel serie (schema; analiza detaliata la semnal mic a amplificatorului cu reactie (a*, f*, A, Rir, Ror))

S56 Exemplu de amplificator cu reactie serie paralel (schema,analiza in cc, identificarea circuitului de reactie si a topologiei, deducerea aproximativa a amplificarii cu reactie)

S57 Exemplu de amplificator cu reactie serie paralel (schema; analiza detaliata la semnal mic a amplificatorului cu reactie (a*, f*, A, Rir, Ror))

S58 Amplificatoare diferentiale; probleme generale, definitii, factori de amplificare specifici

S59 Principiu de realizare a amplificatoarelor diferentiale cu doua TEC; gama admisibila a tensiunii de mod comun la intrare; comportarea pentru modul diferential;

S60 Principiu de realizare a amplificatoarelor diferentiale cu doua TBJ; gama admisibila a tensiunii de mod comun la intrare; comportarea pentru modul diferential

S61 Caracteristici de transfer in marimi totale ale amplificatorului diferential cu 2 TEC cuplate in surse (v. lab.)

S62 Caracteristici de transfer in marimi totale ale amplificatorului diferential cu 2 TBJ cuplate in emitoare

S63 Analiza functionarii amplificatoarelor diferentiale perfect simetrice la semnal mic, cu ajutorul teoremei bisectiunii analiza pentru modul diferential

S64 Analiza functionarii amplificatoarelor diferentiale perfect simetrice la semnal mic, cu ajutorul teoremei bisectiunii analiza pentru modul comun

S65 Rezistentele de intrare ale amplificatorului diferential perfect simetric cu 2 tranzistoare bipolare; + Raportul de rejectie a modului comun

S66 Comportarea cu frecventa a etajului diferential;

S67 Amplificator diferential cu rezistente de degenerare in emitoare; + +Efectele nesimetriilor asupra amplificatoarelor diferentiale

S68 Amplificatoare de putere (de semnal mare); clase de functionare etajde putere in clasa B, in contratimp, cu tranzistoare complementare (principii, schema, caracteristica statica de transfer, forme de unda)

S69 Etajde putere in clasa B, in contratimp, cu tranzistoare complementare schema, forme de unda, relatii energetice

S70 Etaj de amplificare in contratimp cu tranzistoare complementare in clasa AB; dioda multiplicata + tranzistoare compuse (Darlington)

S71 Etajul pilot al amplificatorului de putere cu etaj final in contratimp; conexiunea Bootstrap

S72 Schema tipica a unui amplificator integrat de putere, de audio frecventa; + alimentarea cu o singura sursa

S73 Stabilizatoare de tensiune continua probleme generale, parametri, principii

S74 Schema bloc de principiu a unui stabilizator de tensiune continua cu reactie cu element de reglaj serie

S75 Tratarea stabilizatoarelor de tensiune continua ca amplificatoare cu reactie negativa

S76 Schema bloc de principiu a unui stabilizator de tensiune continua cu reactie cu element de reglaj serie cu reglarea tensiunii de iesire de la zero; + Schema bloc de principiu a unui stabilizator LDO (care admite diferenta de tensiune intrare-iesire mica)

S77 Circuit de protectie la suprasarcina prin limitarea simpla a curentului de iesire pentru stabilizatoarele cu element de reglaj serie

S78 Oscilatoare armonice probleme specifice, parametri; teoria liniara;

S79 Exemplu de aplicare a teoriei liniare oscilator cu retea Wien si amplificator ideal de tensiune

S80 Teoria cvasiliniara a oscilatoarelor armonice limitarea amplitudinii de oscilatie; oscilatoare cu 2 bucle de reactie; exemplu de oscilator cu punte Wien si amplificator ideal de tensiune cu limitarea amplitudinii cu termistor