Scopul lucrrii : Studierea naturii fizice a conductibilitii electrice n materialele semiconductoare, iniierea cu metodica de msurare a conductibilitii electrice, cercetarea dependenei de temperatur a conductibilitii electrice, determinarea regiunilor cu conductibilitatea electric intrinsec i extrinsec i lrgirea benzii interzise la diverse materiale semiconductoare

Schema electric a machetului pentru cercetarea dependenei conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare prin metoda celor dou sonde la diverse temperaturi este prezentate n fig. 3.5.

.4 Ordinea efecturii lucrrii

3.4.1. Facei cunotin cu schema electric din fig.3.5 i pregtii machetul de lucru: - conectai cu ajutorul conductoarelor de conexiune sursa de tensiune continu U=10 V i aparate de msurare la jacurile respective a machetului, alergnd regimul de lucru i limita de msurare a fiecrui aparat; - instalai comutatorul SA3 n poziia, care corespunde probei de cercetare indicat de lector i mnerul rezistorului R1 n poziia limit din stnga. 3.4.2. Cercetai dependena de temperatur a conductibilitii electrice pentru pentru probele date n intervalul de temperaturi de la 293 pn la 460 K. Rezultatele de msurare de scris in tabelul 3.1. Pentru aceasta conectai (dup permisiunea lectorului) sursa de alimentare 5-48, ntreruptorul S1 i instalnd valoarea indicat a curentului I prin proba, msurai la temperatura camerei cderea de tensiune ntre sondele U1 i U2, ce corespund direciilor curentului electric I+ i I- prin prob. Aceleai valori se msoar i pentru toate celelalte probe. Apoi de conectat la sursa de curent elementul de nclzire EK a termostatului i pe msura ridicrii temperaturii de efectuat msurrile analogice a lui U1 i U2 peste 10200C pentru toate probele. Temperatura termostatului se determin pe valoarea f.e.m. termice UT a termocuplului BK i se calculeaz dup formula (3.25).

Tabelul 3.1

3.5.1. Calculai conductivitatea electrice n -1m-1 a materialelor semiconductoare cercetate dup formula:

, (3.28)

unde l este lungimea dintre sonde pe care s-a msurat diferena de potenial ; I - curentul parcurs; S - aria seciunii transversale a probei.

3.5.2. Dup datele tabelului 3.1 construii pe un desen pentru toate probele cercetate graficele dependenei . Din graficele obinute de determinat lrgimea bandei interzise Eg a materialelor semiconductoare, avnd n intervalul cercetat de temperaturi o conductivitate electric intrinsec, dup formula

.

3.5.3. Determinai materialele probelor cercetate folosindu-v de datele din ndreptar pentru Eg a materialelor semiconductoare la temperatura camerei.