grile ed

61
Grile ED 1. Un semnal numeric periodic, de perioada T=100nsec are factorul de umplere de 20%. Cât este durata aproximativă cat forma de undă este in „1”: a. 20nsec b. 80nsec c. 50nsec d. 60nsec d=(p+tr)/T d=factor de umplere p+latimea impuls tr=timp front T=perioada p+tr=d-T=20/100*100=20nsec 2.Un semnal numeric periodic, are perioada T=66nsec.Care este valoarea aproximativă a frecventei, exprimată in MHz: a. 150MHz b. 15MHz c. 18MHz d. 1500MHz Justificare. f=1/T=1/66*10 -9 =1/66*(10 9 )=15MHz 3. Pentru un TBJ (Si) npn in regim de saturaţie care ar fi o valoare aproximativă a tensiunii B-E: a. 0.8V b. 0.2V c. 1.4V d. 0.4V 1

Upload: adi-adrian

Post on 24-Jul-2015

364 views

Category:

Documents


1 download

TRANSCRIPT

Page 1: grile ED

Grile ED1. Un semnal numeric periodic, de perioada T=100nsec are factorul de umplere de 20%. Cât este durata aproximativă cat forma de undă este in „1”: a. 20nsec

b. 80nsecc. 50nsecd. 60nsec

d=(p+tr)/Td=factor de umplerep+latimea impulstr=timp frontT=perioadap+tr=d-T=20/100*100=20nsec

2.Un semnal numeric periodic, are perioada T=66nsec.Care este valoarea aproximativă a frecventei, exprimată in MHz:

a. 150MHz b. 15MHzc. 18MHzd. 1500MHz

Justificare.f=1/T=1/66*10-9=1/66*(109)=15MHz

3. Pentru un TBJ (Si) npn in regim de saturaţie care ar fi o valoare aproximativă a tensiunii B-E:

a. 0.8V b. 0.2V

c. 1.4Vd. 0.4V

4. Pentru un TBJ (Si) npn in regim de saturaţie care ar fi o valoare aproximativă a tensiunii C-E: a. 0.7V

b. 0.2Vc. 1.4Vd. 0.4V

1

Page 2: grile ED

5. Care din următoarele perechi de regimuri de funcţionare pentru un TBJ npn sunt utilizate ca bază de lucru in cazul circuitelor numerice TTL: a. saturat-saturat b. blocat-regim active normal c .blocat-saturat

d. regim active normal-saturat

6. Care din următoarele metale nu este utilizat pentru realizarea circuitelor integrate: a. aluminiu

b. litiu c. aur d. staniu

7. Care din următoarele materiale este folosit ca un conductor la realizarea unui microcircuit (chip) modern: a. siliciu metallic

b. siliciu policristalin c. siliciu poros d. siliciu monocristalin 8. Pentru o sursă ideală de curent continuu, curentul pe la borne este, in primul rând: a. independent de frecventa

b. independent de tensiunea de la borne c. independent de temperature d. independent de polarizare

9. In mod convenţional, prin raportare la un nod al unui circuit, semnul curentului este:

a. pozitiv cand intra in nodb. pozitiv cand iese din nodc. negativ cand intra in nod

d. intodeauna pozitiv

10. Care din următoarele legi ale fizicii ar fi „modelul” care descrie comportarea unui rezistor ideal in current continuu: a. Legea lui Columb

b. Legea lui Ohm

2

Page 3: grile ED

c. Legea lui Faraday d. Legea lui Kirchoff

11.La modul general un capacitor ideal C oarecare introdus in serie cu o latură de circuit: a. nu are niciun effect

b. blocheaza componenta de current continuu c. blocheaza componenta de current alternative d. blocheaza componenta de current sinusoidal

12. La modul general un inductor ideal L introdus in paralel cu o latură de circuit: a. scurtcircuiteaza componentade current alternative

b. nu are nicun effect c. securiteaza componenta de current continuu d. blocheaza componenta de current continuu

13. Pentru majoritatea circuitelor numerice uzuale nivelele logice reprezintă: a. rezistente asociate starilor logice b. capacitati associate starilor logice c. tensiuni associate starilor logice d. curenti asociati starilor logice

14. Faptul ca pentru un circuit numeric nivelele logice sunt definite in logică pozitivă înseamnă si că: a. un nivel de “0” este mai pozitiv decat unul de “1”

b. un nivel de “1” este mai pozitiv decat unul de “0” c. un nivel de “1” este mai negative decat unul de “0” d .nivelele de “0” si “1” sunt positive

15. La modul general pentru o poartă, caracteristica statică de transfer reprezintă: a. dependenta curentului de intrare b. dependenta intrarii de iesire

c. dependenta intrarii de intrare d. dependenta curentului de alimentare

16. Pentru un circuit numeric (o poartă) care din următoarele caracteristici, de regulă, nu prezintă interes: a. de transfer b. de alimentare

c. amplitudine-frecventa

3

Page 4: grile ED

d. de intrare

17. Marginile de zgomot de curent continuu, pentru o familie de circuite integrate numerice, caracterizează: a. consumul propriu

b. imunitatea la perturbatii c. compatibilitatea nivelelor logice d. tensiunea de prag

18. Marginile de zgomot de curent continuu, pentru o familie de circuite integrate numerice, depind si de valoarea: a. timpului de propagare b. curentului de iesire

c. tensiunii de alimentare d. curentului de alimentare

19. Care din următoarele porţi, ar putea să fie utilizate ca un inversor, prin conectarea intrărilor „neutilizate” in „1” (H): a. OR4 b. NOR3 c. AND4

d. NAND3Justificare.

4

Page 5: grile ED

20. Pentru o poarta XOR2 (cu 2 intrări) cum ar trebui sa conectăm cealaltă intrare pentru a obţine un inversor:

a. in ,,1” b. in ,,0” c. nu conteaza

d. nu este posibil Justificare.

21. Fan-out-ul, pentru o familie de circuite integrate numerice, exprimă: a. numarul maxim de intrari care poate fi comandat de iesire

b. curentul de iesire c. curentul de intrare d. curentul de scurtcircuit al intrarii

5

Page 6: grile ED

22. La bornele unei surse ideale de tensiune continuă V=+3.3V se conectează doi rezistori R1=500 Ohmi si R2= 1000 Ohmi, conectaţi (legaţi) la rândul lor in paralel. Care este curentul I1 prin rezistorul R1? a. cca. 10mA b. cca. 3.3mA

c. cca. 6.6mA d. cca. 5mA

Justificare.

U –sursa ideala => r intern=0I1=U/R1=3,3/500=6,6*10-3A=6,6mA

23.Teorema lui Norton presupune echivalarea unui circuit (o combinaţie de surse de tensiune, curent si rezistori) cu:. a. o sursa de tensiune serie cu un resistor b. o sursa de curent serie cu nu resistor c. o sursa de tensiune paralel cu un resistor

d. o sursa de current parallel cu un rezistor

24.Aveţi un capacitor (iniţial descărcat) care se încarcă de la o sursă ideală de tensiune continuă printrun rezistor. Timpul de crestere (tr) al tensiunii la bornele capacitorului este:. a. invers proportional cu capacitatea capacitorului b. invers proportional cu rezistenta rezistorului

c. direct proportional cu capacitatea capacitorului d. direct proportional cu tensiunea sursei

6

Page 7: grile ED

25. Pentru o poartă oarecare, care din următoarele mărimi reprezintă un factor de influenţă extern:

a. nivele logige de intrare b. tensiunea de prag

c. tensiunea de alimentare d. nivelele logice de iesire

26. Pentru un inversor numeric minimal realizat cu un TBJ npn, tranzistorul in cauză este intr-o conexiune: a. colector comun b. baza comuna

c. emitor comun d. baza-colctor comuna

27. Pentru un capacitor (condensator) plan oarecare,capacitatea este proporţională cu: a. curentul prin armature b. distanta intre armature

c. suprafata armaturilor d. rezistenta armaturilor

28. La bornele unei surse ideale de tensiune continuă V=+5V se conectează doi rezistori R1=5 kOhmi si R2=15 kOhmi, conectaţi (legaţi) la rândul lor in serie. Care este căderea de tensiune la bornele rezistorului R2 ? a. 1.25V

b. 3.72V c. 4.25V d. 2.5VJustificare.

7

Page 8: grile ED

29. Care din următoarele ordonări, in ordinea crescătoare a rezistivităţii electrice, este corectă:

a. Cupru, Aur, Aluminiub. Aluminiu, Cupru, Aurc. Cupru, Aluminiu , Aur,

d. Aur, Cupru, Aluminiu 30. Timpii de crestere (rise), respectiv de cădere (fall), pentru o formă de undă numerică descriu, in primul rând:

a. supracresterea negativăb. supracresterea pozitivăc. întârzierea intrare-iesire

d. viteza de varia ţ ie a semnalului

31. Aveţi 3 capacitori cu valorile: C1= 20nF, C2=50nF si C3= 0.1F. Dacă cei 3 capacitori se conectează in serie, capacitatea echivalentă va fi:

a. 175nFb. 15nFc. 12.5nFd. 0.125F

Justificare.1/Cech=1/C1+1/C2+1/C3=1/20* 10-9+1/50*10-9+1/0,1*10-6=1/20*10-9+1/50*10-9+1/50*10-9=1/10-8(1/2+1/5+1/10)=1/10-8*8/10=8/10-7

1/Cech=8/10-7=>Cech=10-7/8=0,125*10-7

Cech=12,5*10-9=12,5nF

8

Page 9: grile ED

32. Timpii de crestere (rise), respectiv de cădere (fall), pentru o formă de undă, se măsoară faţă de amplitudinea impulsului:

a. între 20% si 80%b. între 0% si 100%c. între 50% si 50%

d. între 10% si 90%

33. Care din următoarele nu afectează caracteristica statică de transfer a unui circuit numeric:

a. tensiunea de alimentareb. viteza de varia ţ ie a semnalului c. fan-out-ul

d. temperature

34. Cât este puterea disipată P (exprimată in mW) de un rezistor ideal R=1 KOhm, care are la borne o tensiune continuă V=5V ?

a. 2500 mWb. 250 mWc. 25 mWd. 500 mW

Justificare.R=1K0hm=103OhmiP[w]=V2/R=25/1000=0,025=25*10-3W=25mW

35. Pentru un conductor oarecare, de formă cilindrică, rezistenţa electrică este proporţională cu:

a. aria secţiuniib. tensiunea la bornec. permitivitatea

d. lungimea

36. La modul general, curentul pe la bornele unui capacitor oarecare C depinde de:a. valoarea constantă a tensiunii la borneb. viteza de variaţie a temperaturiic. viteza de variaţie a tensiunii la borne

d. energia acumulat ă in câmpul magnetic

9

Page 10: grile ED

37. Avem un capacitor C = 5pF pe care este acumulată o cantitate de sarcină Q = 100pC. Cat este tensiunea la bornele capacitorului:

a. cca. 200 Vb. cca. 20 Vc. cca. 200 mVd. cca. 2 kV

Justificare.

38. Care ar fi numărul minim de terminale (borne) pe care ar trebui să-l aibă un circuit numeric utilizabil practic: a. 3

b. 4c. 5d. 2

Justificare.

39. Aveţi 3 rezistori cu valorile: R1= 200 kOhmi, R2=50 kOhmi si R3= 0.1 MOhmi. Dacă cei 3 rezistori se conectează in paralel, rezistenţa echivalentă va fi:

a. cca. 251 kOhmib. cca. 28 kOhmic. cca. 280 kOhmid. cca. 0.128 MOhmi

Justificare. R3=0,1MOhmi=0,1*103Ohmi=100Ohm 1/Rp=1/R1+1/R2+1/R3=R2R3+R1R3+R1R2/R1R2R3

Rp=R1R2R3/R2R3+R1R2+R1R2=200*50*100/5000+20000+10000=1000000/35000==28,57KOhmi

10

Page 11: grile ED

40. Care din următoarele combinaţii de polarizări ale joncţiunilor in cauză ar descrie regimul de saturaţie al unui TBJ:

a. B-E invers, B-C directb. B-E direct, B-C directc. B-E direct, B-C invers

d. B-E invers, B-C invers

41. Pentru o sursă ideală de tensiune continuă, tensiunea la borne este, in primul rând:

a. independentă de polaritateb. independentă de frecvenţăc. independent ă de curentul pe la borne

d. independentă de temperatură

42. Pentru un circuit numeric (o poartă), care din următoarele informaţii nu pot fi determinate pe baza caracteristicii statice de transfer:

a. tensiunea de pragb. timpul de cre s tere c. nivelele logice de intrare

d. nivelele logice iesire

43. Care din următoarele ordonări, in ordinea crescătoare a lungimii de undă a radiaţiei luminoase, este corectă:

a. Rosu, Verde, Albastrub. Albastru, Verde, Ro s u c. Rosu, Albastru, Verde

d. Verde, Rosu , Albastru

44. Variaţia cu temperatura a câstigului de curent (F, h21E, hFE) al unui TBJ oarecare este:

a. negativăb. pozitiv ă c. negativă doar la TBJ npn

d. pozitivă doar la TBJ pnp

11

Page 12: grile ED

45. Pentru un conductor oarecare, cilindric, odată cu cresterea temperaturii, rezistenţa sa electrică:

a. creste numai pentru temperaturi pozitiveb. cre s te c. scade

d. scade numai pentru temperaturi negative

46. Care din următoarele valori reprezintă variaţia aproximativă cu temperatura a căderii de tensiune la bornele unei joncţiuni p-n polarizate direct:

a. -220 mV/ oCb. 2.2 mV/ oCc. 220 mV/ oC

d. -2.2 mV/ oC

47. Care din următoarele tipuri generice de etaje de intrare nu se întâlneste la familiile de circuite numerice TTL:

a. DTLb. Darlingtonc. pnp

d. multi-emiter

48. Care din următoarele perechi de tensiuni ar reprezenta nivele logice de intrare valide („0”, L si „1”,H) o poartă alimentată la Vcc=5V si descrisă ca având intrarea compatibilă TTL:

a. VIL=1.5V si VIH=3.5Vb. VIL=0.5V si VIH=3.5Vc. VIL=1V si VIH=2.5V

d. VIL=0.1V si VIH=1.8V

49. Care din următoarele perechi de tensiuni ar reprezenta nivele logice de intrare valide („0” si „1”) o poartă alimentată la Vcc=5V si descrisă ca având intrarea compatibilă CMOS:

a. VIL=1.9V si VIH=3.5Vb. VIL=0.5V si VIH=3.8Vc. VIL=1V si VIH=2.5V

d. VIL=0.1V si VIH=1.8V

12

Page 13: grile ED

50. Pentru o diodă Schottky (metal-semiconductor) care din următoarele ar fi o valoare aproximativă a tensiunii de conducţie directă:

a. 0.75Vb. 0.05Vc. 1.45V

d. 0.35V

51.Diodele Schottky sunt utilizate in circuitele TTL pentru: a. a limita banda de frecvenţa a circuitului

b. a limita satura ţ ia TBJ-ului c. a limita tensiunea B-E a TBJ-uluid. a limita tensiunea de alimentare

52. Timpul de propagare, pentru o poartă oarecare, descrie:a. amplitudinea maximă a semnalului de iesireb. caracteristica statică de transferc. întârzierea intrare-ie s ire

d. imunitatea la perturbaţii

53. Pentru un circuit numeric (o poartă), care din următoarele informaţii pot fi determinate pe baza caracteristicii statice de transfer:

a. timpul de propagareb. tensiunea de pragc. curentul de intrare

d. curentul de iesire

54. Pentru o poartă TTL, cu etaj de iesire totem-pole, care din următoarele relaţii intre curenţii de iesire Io (ca valori absolute) pentru cele două stări ale iesirii (H,L), este adevărată:

a. IOH ≈ IOLb. IOH >> IOLc. IOH << IOLd. IOH IOL

13

Page 14: grile ED

55. Pentru o poartă CMOS modernă, cu etaj de iesire normal, care din următoarele relaţii intre curenţii de iesire Io (ca valori absolute) pentru cele două stări ale iesirii (H,L), este adevărată:

a. IOH ≈ IOL b. IOH >> IOLc. IOH << IOL

d. IOH IOL / 2

56. Care din următoarele valori de tensiune se încadrează într-un nivel logic TTL standardizat (si valid):

a. 1.2Vb. 1.4Vc. 2.4V

d. 1.8V

57. Care din următoarele valori ar fi credibilă dacă este vorba de tensiunea la bornele unei diode electro luminiscente (LED) aprinsă:

a. 0.2Vb. 1.8Vc. 1V

d. 0.8V

58. Un tranzistor MOSFET cu canal n diferă de unul cu canal p si prin:a. valoarea absolută a tensiunii drenă - sursăb. valoarea absolut ă a tensiunii de prag c. valoarea absolută a curentului drenă-sursă

d. semnul tensiunii de prag

59. Care ar fi ordinul de mărime al capacitaţii de intrare al unei intrări a unui circuit numeric CMOS:

a. x nFb. x 1000 pFc. x F

d. x pF

60. Comparativ cu o diodă p-n, o diodă Schottky are si:

14

Page 15: grile ED

a. dimensiuni mai micib. o c ă dere de tensiune in conduc ţ ie direct ă mai mic ă c. o cădere de tensiune in conducţie directă mai mare

d. dimensiuni mai mari

61. Care din următoarele valori ar fi credibilă dacă este vorba de curentul de grilă al unui transistor MOSFET intr-un regim normal de funcţionare:

a. 1.5 mAb. 0.1 Ac. 15 nA

d. 800A

62. Pentru ca o familie de circuite integrate numerice să fie viabilă, nivelele logice de intrare si respective iesire trebuie:

a. s ă fie egale b. să fie mai mici de 5Vc. să fie compatibile

d. să fie mai mari de 1V

63. O denumire alternativă pentru un capacitor polarizat este si :a. ohmicb. inductivc. electrolitic

d. galvanic

64. Teorema lui Thevenin presupune echivalarea unui circuit (o combinaţie de surse de tensiune, curent si rezistori) cu:

a. o surs ă de tensiune serie cu un rezistor b. o sursă de curent serie cu un rezistorc. o sursă de tensiune paralel cu un rezistor

d. o sursă de curent paralel cu un resistor

65. La modul general un tiristor este cu dispozitiv electronic activ cu:a. 4 terminaleb. 3 terminalec. 5 terminale

d. 2 terminale

15

Page 16: grile ED

66. Aveţi de conectat un LED la iesirea unui inversor TTL, ca „martor” pentru starea ei (LED aprins: iesirea in „0”, cu VOL = 0.2V/IOL=8mA, Vcc=5V). Conducţia directă a LED-ului este caracterizată de VF=2V la IF=8mA. Care din următoarele valori ar fi corectă pentru rezistenta de limitare a curentului prin LED:

a. cca. 0.035 kOhmib. cca. 0.35 kOhmic. cca. 3.5 kOhmid. cca. 700 Ohmi

Justificare.IF=IOL

R=Vcc-VOL-VF/IF=>R=5V-0.2V-2V/8*10-3A=0,35KOhmi

67.Avem de comandat un releu electromecanic cu iesirea unei porţi TTL sau CMOS normale (Vcc=5V).Dacă releul este caracterizat prin valorile nominale Un=24V si In=50mA ce fel dispozitiv(e) ar trebui cel puţin să mai utilizăm pentru realizarea unei interfeţe de „putere”:

a. numai diode pn de putereb. numai rezistori si diode pnc. un TBJ sau un MOSFET corespunzător

d. numai diode Zenner corespunzătoare

68. Pentru un inversor numeric minimal realizat cu un MOSFET cu canal n (indus), tranzistorul in cauză este utilizat intr-o conexiune:

a. drenă comunăb. sursă comunăc. bază comună

d. gril ă comun ă

69. Curentul de iesire al unei porţi oarecare este: a. pozitiv când ie s irea este in „0” si negativ când

ie s irea este in „1” b. pozitiv pentru ambele stări ale iesiriic. negativ când iesirea este in „0” si pozitiv când iesirea este in „1”d. sensul depinde doar de natura sarcinii conectate la iesire

16

Page 17: grile ED

70. In cazul unui circuit TTL oarecare, cu iesire de tip totem-pole, în urma scurtcircuitării iesirii în “0” la tensiunea de alimentare Vcc=5V:

a. etajul de ie s ire se distruge b. nu se întâmplă nimic, dacă scurtcircuitul durează puţinc. tensiunea de iesire ajunge la 2.5Vd. curentul de iesire este limitat intern la o valoare sigură

71. In cazul unui circuit TTL oarecare, cu iesire de tip totem-pole, în urma scurtcircuitării iesirii în “1” la masă :

a. etajul de iesire se distrugeb. nu se întâmplă nimic, dacă scurtcircuitul durează relativ puţinc. tensiunea de iesire ajunge la 5Vd. curentul de iesire este limitat intern la o valoare foarte mică

72. Nivele de intrare compatibile CMOS înseamnă si că tensiunea de prag este:a. jumătate din tensiunea de alimentareb. aproximativ 1.4Vc. egală cu tensiunea de alimentared. două treimi din tensiunea de alimentare

73. Dacă pe o intrare a unei porţi TTL oarecare se aplică direct o tensiune de –6V:a. curentul de intrare se autolimitează la valori sigureb. tensiunea respectivă este interpretată ca un “1”c. etajul de intrare se distruged. intrarea se comportă ca si când ar fi flotantă (în aer)

74. Dacă dorim să comandăm un LED (aprins-stins) cu ajutorul unei iesiri de circuit numeric, in proiectarea interfeţei trebuie să ţinem cont si de:

a. caracterul sincron sau asincron al comenziib. numărul de terminale ale LED-uluic. culoarea LED-uluid. numărul de intrări ale circuitului

Justificare.Culori diferite inseamna caderi de tensiune diferite in conductie directa!

75. Un grup unic RC (cu un R si un C) poate fi conectat la iesirea sau intrarea unui circuit numeric si cu scopul realizării:

17

Page 18: grile ED

a. unei filtrări trece-jos sau trece-susb. unei filtrări trece-bandăc. unei filtrări opreste-bandăd. doar a unei filtrări trece-jos

76. Un circuit integrator RC poate fi conectat la intrarea unei porţi si cu scopul :a. micsorării curentului de intrare al porţiib. introducerii unui zgomot suplimentarc. introducerii unei întârzieri suplimentared. măririi curentului de intrare al porţii

77. Care din următoarele circuite integrate numerice nu este un circuit TTL:a. 74ALS08b. 74AS151c. 74F02d. 74HCT04

78. Tensiunea de alimentare nominală a unui circuit numeric este descrisă ca fiind Vcc = 5V +/- 5%. Care din următoarele tensiuni se încadrează in plaja dată:

a. 5.40Vb. 4.85Vc. 4.65Vd. 5.28V

Justificare.

79. La modul general un tranzistor MOSFET este cu dispozitiv cu:a. 4 sau 5 terminaleb. 2 sau 3 terminalec. 3 sau 4 terminaled. 5 sau 6 terminale

18

Page 19: grile ED

80. Care din următoarele porţi componente pot fi utilizate (doar ele!) la realizarea unei porţi NAND4:

a. AND2, AND2, NAND2b. NAND2, NAND2, AND2c. NAND2, NAND2, NAND2d. AND2, AND2, AND2

Justificare.

81. Avem mai multe porţi NAND2 de tip cu collector in gol, ale căror iesiri sunt legate împreună. Funcţia logică realizată prin aceasta cablare este:

a. un AND cablat la nivelul intrărilorb. un OR cablat la nivelul iesirilorc. un AND cablat la nivelul iesirilord. un NAND cablat la nivelul iesirilor

82. Diagramele K-V reprezintă o tehnică utilizată pentru:a. maximizarea funcţiilor logiceb. eliminarea funcţiilor logicec. minimizarea funcţiilor logiced. standardizarea funcţiilor logice

83.Care din următoarele circuite integrate numerice nu este un circuit CMOS:a. 74AC151b. 74LS04c. 74ACT02d. 74HCT04

19

Page 20: grile ED

84. Dacă prin intermediul iesirii unui circuit numeric de putere ar trebui să comandăm (on-off) o sarcină inductivă de mică putere, de care din următoarele legisi/sau teoreme ar trebui sa ţinem cont in proiectarea sistemului:

a. Veuve-Clicquotb. Thevenin-Nortonc. Faraday-Lenzd. Coulomb-Ampere

85. Dacă prin intermediul iesirii unui circuit numeric de putere ar trebui să comandăm (stins-aprins) un bec cu incandescenţă de mică putere, de ce ar trebui saţinem cont:

a. de cantitatea de căldură dezvoltată de becb. de caracterul unidirecţional al curentului pe la bornele beculuic. de evoluţia in timp a curentului la bornele beculuid. de faptul ca randamentul becului este mai bun in curent alternativ

Justificare.Curentul are o viteza de variatie foarte mare motiv pentru care apare fenomenul de inductie si autoinductie

86. Rezistenţa electrică a unui bec cu incandescenţă este:a. mai mare când este stins si mai mică când este aprinsb. mai mică când este stins si mai mare când este aprinsc. practic nu depinde de starea aprins/stinsd. nu se poate defini o rezistenţă electrică pentru un bec cu incandescenţă

87. Pentru o poartă oarecare timpii de propagare standard tpLH si tpHL se măsoară, faţă de amplitudinea formelor de undă de la intrare, respectiv iesire:

a. la 50%b. la 90%c. la 10%d. punctul respectiv se poate alege de utilizator

88. O intrare In a unei porţi CMOS sau TTL este conectată printr-un rezistor R=1kOhm la o sursă de cc Vx ca in figură (cu masa comună cu sursa de

20

Page 21: grile ED

alimentare a porţii).Vx------R------In Care va fi tensiunea pe pinul Px daca Vx= - 3V:

a. cca. 5Vb. cca. 0.7Vc. cca. - 0.7Vd. cca. - 3V

Justificare.UR=-3V+0,7v=-2,3vUPX=VX-UR=-3V+2,3V=-0,7v

89. O intrare In a unei porţi CMOS, alimentată la Vcc=5V este conectată ca in figură. Cele două rezistoare R1=84 KOhmi si R2 = 16 KOhmi sunt înseriate si se conectează cu nodul comun la acest pin si respectiv la Vcc si masă: In Vcc ----R1---|- --R2----Masă Valoarea tensiunii pe pinul In este:

a. cca. 1.4Vb. cca. 0.6Vc. cca. 0.8Vd. cca. 1.2V

Justificare. Vout = Vin * R2/R1+R2

90. O iesire O a unei porţi CMOS, alimentată la Vcc=5V este in „1”. Două rezistoare R1 si R2 de 50 KOhmi sunt înseriate si se conectează la acest pin si respectiv la masă:O ----R1----R2----MasăCare este valoarea tensiunii pe nodul comun al celor 2 rezistoare:

a. cca. 5Vb. cca. 3.75Vc. cca. 2.5Vd. cca. 1.25V

Justificare.Vout = Vin * R2/R1+R2

21

Page 22: grile ED

91. Având la dispoziţie circuite din familia 74HC alimentate la Vcc=2..6V, care din următoarele variante de alimentare ar fi indicată pentru o aplicaţie din industria automobilului (automotive):

a. Vcc=2.5Vb. Vcc=5Vc. Vcc=2Vd. Vcc=3.3V

Justificare.Circuitele din familia 74HC trebuie sa fie immune la zgomot de unde rezulta ca marginea de zgomot trebuie sa fie cat mai mare, deci tensiunea de alimentare sa fie cat mai mare.

92. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt, împreună cu un grup RC, poate fi utilizată si la realizarea unui:

a. circuit de adunareb. circuit de tip oscilator numericc. circuit de înmulţired. circuit de tip oscilator sinusoidal

93. Pe o intrare a unei porţi este adus semnalul de iesire, compatibil TTL, al unui optocuplor comun (lent, cu fototranzistor); de ce ar trebui să ţinem cont?

a. de faptul că intrarea nu este sau nu de tip trigger Schmittb. de curentul mare de intrarec. de faptul că tensiunea de prag a intrării este mai mare de 1.8Vd. de histerezisul mare al intrării

94. La un sistem numeric oarecare, faptul că intrările sau iesirile sunt izolate prin optocuploare ajută si la:

a. reducerea puterii consumateb. rejecţia tensiunilor parazite si eventual a zgomotuluic. obţinerea unui timp de răspuns mai bund. se pot folosi tensiuni de intrare sau iesire alternative

95. La un sistem numeric oarecare, una din principalele surse de zgomot este legată de:

a. viteza mare de variaţie a temperaturii de lucru

22

Page 23: grile ED

b. valoarea constantă a curenţilor de alimentarec. viteza mică de variaţie a curenţilor de alimentared. viteza mare de variaţie a curenţilor de alimentare

96. La modul general, legătura intre putere si energie înseamnă:a. puterea este energie raportată la timpb. puterea este acelasi lucru cu energiac. puterea este energia înmulţită cu timpuld. puterea este pătratul energiei

97. Puterea consumată de o poartă CMOS in regim static, in condiţii normale de funcţionare, este:

a. comparabilă cu cea de regim dinamicb. nesemnificativăc. depinde de numărul de intrări ale porţiid. comparabilă cu cea a unei porţi TTL

98. Puterea consumată de o poartă CMOS in regim dinamic este:a. direct proporţională cu capacitatea de sarcinab. invers proporţională cu tensiunea de alimentarec. invers proporţională cu frecventa de comutare a iesiriid. practic constantă

99. In condiţii normale de funcţionare, curentul de intrare pentru o poartă CMOS este:

a. oricum mai mare ca la porţile TTLb. nesemnificativc. de ordinul x mAd. identic cu curentul de alimentare

100. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt are:a. 3 tensiuni de prag diferiteb. 2 tensiuni de prag diferitec. 2 tensiuni de prag egaled. o singură tensiune de prag, dar variabilă

101. Pentru o poartă cu intrare de tip trigger Schmitt, histerezisul caracteristicii statice de transfer reflectă:

a. nivele logice de intrare egale cu cele de iesireb. nivele logice de intrare mai mari

23

Page 24: grile ED

c. dependenţa de sensul de variaţie al tensiunii de intrared. independenţa de sensul de variaţie al tensiunii de intrare

102. Iesirea O a unei porţi CMOS alimentată la Vcc=5V generează o formă de undă modulată in durată (PWM) cu factorul de umplere FU% = 30% si o frecvenţă de 100kHz.

O-----------R----------

C MasaPe iesire se conectează un grup R (1KOhm) si C (100nF) ca in figură. Ce tensiune va indica un voltmetru de curent continuu conectat intre punctul (+) si masă (-)?

a. cca. 3.5Vb. cca. 0.5Vc. cca. 1.5Vd. cca. 4.5V

Justificare.

Vout=Vin med =1/T Vin(t) dt= 1/T *5*TH=3/10*5=1,5

24

Page 25: grile ED

103. O rezistenţă de 1KOhm conectată serie între iesirea unei porţi si respectiv intrarea alteia:

a. afectează numai regimul dinamic dacă intrarea este CMOSb. afectează nivelele logice de intrare dacă intrarea este CMOSc. nu afectează nivelele logice dacă intrarea este TTLd. afectează tensiunea de prag dacă intrarea este CMOS

104. Pentru o poartă CMOS, în regim static, dacă se conectează o rezistenţă de 1KOhm serie, între sursa de alimentare si borna de alimentare (VDD sau Vcc) a circuitului:

a. tensiunea de alimentare a porţii practic nu se modificăb. tensiunea de alimentare a porţii scade semnificativc. tensiunea de alimentare a porţii creste nesemnificativd. sunt afectate semnificativ nivelele logice de iesire

105. Conexiunea (borna) de masă (GND) a unui circuit integrat numeric TTL sau CMOS trebuie să fie, de regulă:

a. la potenţialul de referinţă, de 0Vb. la un potenţial nu mai mare de 1Vc. conectată printr-o rezistenţă la borna de masă a sursei de alimentared. conectată printr-o inductanţă la borna de masă a sursei de alimentare

106. Care este numărul minim de tranzistoare MOSFET necesar pentru realizarea unei porţi CMOS NAND cu 2 intrări:

a. 3b. 2c. 4d. 6

107. Care este numărul minim de tranzistoare MOSFET necesar pentru realizarea unei porţi CMOS NOR cu 3 intrări:

a. 3b. 5c. 12d. 6

25

Page 26: grile ED

108. Pentru o poarta CMOS minimală numărul de tranzistoare MOSFET cu canal n (N) si respectiv cu canal p (P) utilizate este:

a. N= 2Pb. N=P+2c. N=Pd. N=P+1

109. Care din următoarele dispozitive pasive ar fi si ele necesare pentru„deparazitarea” unui contact electromecanic utilizat ca intrare numerică:

a. doar Rb. doar Cc. R,Cd. L,C

110. Necesitatea „deparazitării” unui contact electromecanic utilizat ca intrare numerică este legată de:

a. rezistenţa contactuluib. vibraţia contactuluic. temperatura contactuluid. capacitatea contactului

111. Care din următoarele valori de tensiuni de alimentare Vcc ar fi corectă pentru un circuit numeric din seria 74HCT:

a. 5.1Vb. 4.4Vc. 3.3Vd. 2.5V

Justificare.Circuitele numerice din seria 74HCT au valorile de alimentare intre valorile 4,5V si 5,5V astfel ca valoarea corecta a tensiuni de alimentare este 5,1V.

112. Pentru o poartă CMOS din seriile standardizate (ex. 4000 sau 74HC) a lăsa o intrare flotantă (in aer) este un lucru:

a. bunb. recomandabilc. interzisd. la latitudinea utilizatorului

Justificare.

26

Page 27: grile ED

Datorinta divizorului rezistiv format de cele 2 R i (aproximativ egale) Vin tinde catre Vdd/2. Dar Vdd/2 este tensiunea de prag a portii si,mai rau,este valoarea V inpentru cei doi tranzistori (Mp si MR),sunt simultan in conductie. Deci, poarta va avea consum static sin u este pregatita pentur aceasta (se va incalzi,in cel mai ferit caz).

113. Pentru o poartă CMOS din seriile standardizate (cum ar fi 4000 sau 74HC) existenta unei intrări flotante poate afecta:

a. tensiunea de pragb. timpul de propagarec. curentul de alimentare

d. tensiunea de alimentare

114. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt trebuie in mod obligatoriu utilizată atunci când avem un semnal de intrare:

a. cu nivele logice compatibile CMOSb. cu timpi de propagare micic. cu timpi de front mari

d. cu timpi de propagare mari

115. Avem o poartă CMOS oarecare cu tensiunea de alimentare Vcc=5V. O sursă V+=5V este conectată la bornele de alimentare ale porţii cu borna + la borna de masă a porţii si cu borna – la borna Vcc porţii. Cat va fi nivelul de „1” logic pentru iesire, in gol:

27

Page 28: grile ED

a. cca. 5Vb. cca. 0Vc. cca. -5V

d. circuitul se distruge cu o astfel de alimentare

116. Avem la dispoziţie o sursă V+ = 5V si un circuit numeric cu tensiunea de alimentare nominală Vcc= 3.3V +/-10%. Care din următoarele dispozitive ar permite, si cum, alimentarea aproape corectă a circuitului folosind V+, pentru un curent mediu de alimentare de cca. 10mA:

a. 4 diode pnb. un rezistor de 33 Ohmic. 3 diode pnd. 2 diode Schottky

Justificare.

117. Două sau mai multe iesiri de porţi se pot conecta (lega) împreună dacă:a. intrările au aceleasi nivele logiceb. tensiunea de alimentare a porţilor este aceiasic. iesirile porţilor au si rezistenţe seried. ie s irile por ţ ilor sunt de tip colector(sau dren ă ) in gol

28

Page 29: grile ED

118. Două sau mai multe iesiri de porţi cu iesire de tip tri-state se pot conecta (lega) împreună dacă:

a. toate iesirile sunt active in acelasi timpb. tensiunea de alimentare a porţilor este aceiasic. la un moment dat doar o ie s ire este activ ă d. iesirile porţilor sunt in acelasi timp si de tip colector(sau drenă) in gol

119. Iesirea unei porţi cu colector in gol este in starea „0” dar nu are rezistenţa de sarcină externă conectată către tensiunea de alimentare Vcc. Ce tensiune am măsura intre borna de iesire si masă:

a. tensiunea de alimentare Vccb. ceva apropiat de 0Vc. 2….3Vd. cca. jumătate din Vcc

120. Circuitele numerice având iesirea de tip colector (sau drena) in gol pot fi utilizate si la:

a. translaţia funcţiilor logiceb. translaţia tensiunilor de alimentarec. transla ţ ia nivelelor logice d. translaţia timpilor de propagare

121. Utilizarea unui releu electromecanic intr-un sistem numeric este uneori o soluţie (nu chiar ideala) pentru realizarea unei:

a. izol ă ri termice b. izolări acusticec. izolări electriced. izolări mecanice

122. Care din următoarele dispozitive ar putea fi conectat relativ simplu la intrarea unei porţi oarecare (intrarea unui circuit numeric):

a. un inhibitorb. un generatorc. un comutatord. un traductor

29

Page 30: grile ED

123. Dispozitivul numit optocuplor este alcătuit in mod tipic din:a. un LED pe iesire si un fototranzistor pe intrareb. două LED-uric. un LED pe intrare si un fototranzistor pe ie s ire d. două fototranzistoare

124. Un circuit de tip optocuplor poate fi utilizat pentru realizarea:a. izol ă rii galvanice b. izolării termicec. izolării acusticed. izolării mecanice

125. Înainte de a atinge cu mâna un sistem (o placa) care foloseste circuite integrate ar fi bine să:

a. ne asigurăm că avem mâinile curateb. atingem cu mâna un conductor metalic care este legat la p ă mânt c. atingem cu mâna o suprafaţă de masă plastică care este legată la pământd. circuitele integrate nu trebuie atinse cu mâna

126. Pentru o poartă CMOS, prezenţa circuitului de protecţie la descărcări electrostatice are drept consecinţe si:

a. mărirea impedanţei de intrareb. posibilitatea apari ţ iei „aliment ă rii pirat” c. mărirea nivelelor logice de intrared. cresterea timpului de propagare

127. Un circuit BICMOS, prin raportare la unul CMOS:a. are etajul de iesire realizat in tehnologie CMOSb. are etajul de iesire realizat in tehnologie bipolarac. are etajul de intrare realizat in tehnologie bipolarad. are un curent de alimentare similar circuitelor bipolare

128. Pentru un circuit CMOS apariţia fenomenului de latch-up (zăvorare) este legată de existenţa internă a unui dispozitiv „parazit” de natura unui:

a. JFET echivalentb. capacitor echivalent

30

Page 31: grile ED

c. inductor echivalentd. tiristor echivalent

129. Pentru un circuit CMOS circuitul intern de protecţie la descărcări electrostatice (ESD) este realizat in esenţă cu:

a. o re ţ ea intern ă de capacitori b. o reţea internă de inductoric. o reţea internă de diode p-nd. o reţea internă de diode Schottky

130. Pentru un circuit CMOS apariţia fenomenului de latch-up (zăvorâre) este corelată si cu:

a. aplicarea unei tensiuni de intrare egală cu cca jumătate din tensiunea de alimentareb. aplicarea unei tensiuni de intrare mai mari decât cea de alimentarec. aplicarea unei tensiuni de alimentare mai mari decât cea nominalăd. aplicarea unei tensiuni de intrare positive

131. Fenomenul de descărcare electrostatică (ESD) este de regulă asociat unei:a. acumulări de gazeb. acumul ă ri de sarcin ă electric ă c. acumulări de sarcină magneticăd. acumulări de sarcină mecanică

132. Pentru un circuit CMOS fenomenul de descărcare electrostatică (ESD) este:a. imposibilb. beneficc. periculosd. apare doar la circuitele TTL

133. Dacă pe o intrare a unui circuit CMOS se aplică direct, in mod accidental, o tensiune de -1V:

a. nu se întâmplă nimic circuitul fiind protejat

31

Page 32: grile ED

? b. circuitul începe sa se încălzească puternic si devine nefuncţionalc. intrarea respectivă va fi interpretată ca un „1”d. toate iesirile circuitului vor fi aduse in „0”

134. Pentru a realiza o comunicaţie serială RS-232 bidirecţională full-duplex intre două sisteme numerice avem nevoie de minim:

a. 5 fireb. 2 firec. 3 fired. 6 fire

Justificare:135. Pentru a realiza o comunicaţie serială RS-485 bidirecţională half-duplex intre două sisteme numerice avem nevoie de minim:

a. 4 fireb. 2 firec. 3 fired. 6 fire

Justificare:

136. Standardul de comunicaţie serială RS-232 este descris ca fiind unul cu „semnalizare”:

a. robustăb. asimetricăc. intermitentăd. diferen ţ ial ă

137. Standardul de comunicaţie serială RS-422/485 este descris ca fiind unul cu „semnalizare”:

a. rapidăb. diferen ţ ial ă c. asimetricăd. continuă

138. Standardul de comunicaţie seriala RS-232 permite doar o comunicaţie ce poate fi descrisă ca:

a. globalăb. restrânsă

32

Page 33: grile ED

c. punct la punctd. multi-punct

139. Care din următoarele perechi de tensiuni ar reprezenta corect 2 nivele logice valide pentru standardul de comunicaţie seriala RS-232:

a. +5 V /+10 Vb. -6V /+7Vc. -3V/ -12Vd. -2V / +2V

140. „Translaţia de nivele” este realizata in primul rând cu scopul de a asigura:a. stabilitatea nivelelor logiceb. compatibilitatea nivelelor logicec. simetrizarea nivelelor logiced. degradarea nivelelor logice

141. Un circuit de memorie SRAM diferă de unul DRAM si prin:a. tensiunea de alimentareb. încapsularec. mecanismul de selecţie al circuituluid. rolul semnalului care defineste scrierea (/WE)

142. Pentru un circuit având o iesire de tip tri-state cea de a treia stare a iesirii este:a. o stare instabilăb. o stare generică asociată logicii ternare utilizatec. o stare de impedanţă foarte mared. o stare de impedanţă foarte mică

143. Pentru un circuit numeric având o iesire descrisă ca fiind de tip asimetric, tensiunea de iesire este definită faţă de:

a. borna de alimentare Vccb. cealaltă iesire complementarăc. borna de mas ă Gnd d. de jumătate din tensiunea de alimentare Vcc

33

Page 34: grile ED

144. Pentru a realiza o translaţie de nivele de tip „de la mai mare la mai mic” (de ex. 5V ->3.3V) putem utiliza o poartă CMOS:

a. Cu iesire de tip tri-stateb. Cu iesire de tip de puterec. Cu iesire de tip drenă in gold. Cu iesire de tip dual

145. Pentru a realiza o translaţie de nivele de tip „de la mai mic la mai mare” (de ex. 2.5V ->3.3V) putem utiliza o poartă CMOS:

a. Cu iesire de tip tri-stateb. Cu iesire de tip dualc. Cu iesire de tip de putered. Cu iesire de tip drenă in gol

146. Pentru un circuit numeric având o intrare descrisă ca fiind de tip diferenţial, tensiunea de intrare este definită ca:

a. o diferenţă de tensiune intre una din cele două borne de intrare si masăb. o diferenţă de tensiune intre intrare si iesirec. o diferenţă de tensiune intre cele două borne de intrared. o diferenţă de tensiune intre una din cele două borne de intrare si tensiunea de alimentare Vcc

147. Faptul ca un circuit numeric secvenţial este descris ca fiind sincron înseamnă in primul rând că:

a. modificarea st ă rii (st ă rilor) este strict corelat ă cu un semnal de ceas b. modificarea stării (stărilor) este datorată numai evoluţiei intrărilorc. modificarea stării (stărilor) este independentă de orice semnal de ceasd. modificarea stării (stărilor) este independentă de starea intrărilor

148. Diagramele temporale utilizate pentru descrierea unui ciclu de acces la un circuit de memorie exprimă in primul rând:

a. restricţii pentru tensiunea de alimentareb. restric ţ ii temporale pentru si intre semnale c. restricţii pentru nivelele logice ale semnalelord. restricţii pentru timpii de front ai semnalelor

34

Page 35: grile ED

149. O celulă de memorare SRAM este in esenţă: a. un capacitor

b. un CBBc. o poartă cu mai multe intrărid. un inductor

150. O celulă de memorare DRAM este in esenţă:a. un capacitorb. un CBBc. o poarta cu mai multe intrărid. un resistor

151. Un circuit de memorie descris ca fiind volatil:a. îsi păstrează conţinutul doar după o operaţie de citireb. îsi păstrează conţinutul si după întreruperea alimentăriic. nu îsi p ă streaz ă con ţ inutul dup ă întreruperea aliment ă rii d. nu îsi păstrează conţinutul după o operaţie de citire

152. Pentru un CBB de tip D cu comutare pe front intrarea de date trebuie să fie:a. stabilă cu un timp de propagare după frontal activb. stabilă cu un timp de hold înainte de frontal activc. stabil ă cu un timp de hold dup ă frontul activ d. stabilă cu un timp de setup după frontul activ

153. Un CBB de tip D cu comutare pe front diferă de unul de tip D - latch si prin:a. momentul de timp la care iesirea comută din „0” in „1”b. doar momentul de timp la care informaţia este transferată la iesirec. momentul de timp la care informa ţ ia este memorat ă si respectiv transferat ă la iesire d. numărul de intrări si respectiv iesiri

154. Pentru un CBB de tip D cu comutare pe front numărul minim total de intrări si iesiri (excluzând bornele de alimentare) ar fi:

a. 4 sau 6b. 3 sau 4c. 7 sau 9d. 3 sau 5

35

Page 36: grile ED

Justificare:

155. Pentru un CBB de tip D cu comutare pe front există si intrări descrise ca asincrone, pentru reset (stergere, aducere in „0”) si preset (aducere in „1”).Aceasta înseamnă că intrările respective:

a. sunt condiţionate de intrarea de dateb. sunt condiţionate de semnalul de ceasc. nu sunt condi ţ ionate de semnalul de ceas d. sunt condiţionate de semnalul de ceas si de intrarea de date

156. Care din următoarele tehnologii de realizare a circuitelor de memorie descriu o memorie volatilă:

a. SRAMb. EEPROMc. FRAMd. FLASH

157. Care din următoarele tipuri de cicluri de acces nu există pentru circuit de memorie de tip FLASH:

a. scriereb. împrosp ă tare c. citired. stergere

158. Dorim să ecranăm electric si magnetic incinta in care se află un sistem numeric. Trebuie să folosim pentru aceasta ca material:

a. Fierulb. Aluminiulc. Cupruld. Orice masă plastică

159. Câte cuvinte de date pot fi adresate pentru un circuit de memorie având o magistrală de adrese formată din 16 linii:

a. 128 Kcuvinteb. 64 Kcuvintec. 256 Kcuvinte

36

Page 37: grile ED

d. 32 KcuvinteJustificare:

160. Un circuit de memorie EPROM (cu interfaţă paralelă) este descris ca având capacitatea de a adresa 256 Kilo cuvinte. Magistrala sa de adrese are:

a. 10 liniib. 12 liniic. 18 liniid. 16 linii

Justificare:

161. Un circuit de memorie este descris ca având dimensiunea de 2048 de cuvinte de 16 de biţi. Capacitatea sa totală exprimată in biţi este:

a. 32 Kbitib. 16 Kbitic. 2 Kbitid. 2 Mbiţi

Justificare:

162. Un circuit de memorie este descris ca având dimensiunea de 4096 de cuvinte de 32 de biţi. Capacitatea sa totală exprimată in octeţi (Bytes) este: :

a. 32 K octeţib. 16 K octe ţ i c. 2 K octeţid. 2 M octeţi

Justificare:

163. Pentru un circuit de memorie utilizarea unor circuite interne de decodificare permite:

a. reducerea dimensiunii celulelor de memorareb. reducerea num ă rului de linii de adresare c. cresterea numărului de linii de adresared. micsorarea dimensiunii cuvântului de date

37

Page 38: grile ED

Justificare:

164. Un circuit de memorie are si un semnal de intrare pentru activarea iesirii (/OE). Aceasta denotă că avem un circuit cu:

a. intr ă ri/iesiri de date activate b. intrări/iesiri de date comunec. intrări/iesiri de date separated. intrări/iesiri de date rapide

165. Conţinutul deja programat al unui circuit de memorie EPROM de tip OTP poate fi sters:

a. prin expunere la radiaţie UVb. prin alimentare la tensiune mai mare decât cea nominalac. prin expunere la radiaţie gamad. nu poate fi sters

166. Un circuit de memorie de tip EEPROM poate fi sters:a. prin expunere la radiaţie UVb. prin modalit ăţ i electrice c. prin expunere la radiaţie gamad. prin expunere la radiaţie IR

167. Circuitele de memorie de tip FLASH diferă de cele EEPROM si prin:a. numărul maxim posibil de operaţii de citireb. dimensiunea cuvântului de datec. num ă rul maxim posibil de opera ţ ii de stergere/scriere d. tensiunea de alimentare

168. Circuitele de memorie de tip NAND FLASH diferă de cele NOR FLASH si prin: a. tensiunea de alimentare

b. modul in care este accesat ă informa ţ ia c. nu există nici o diferenţăd. dimensiunea cuvântului de date

38

Page 39: grile ED

169. Necesitatea împrospătării periodice a informaţiei memorate este legată de utilizarea circuitelor de memorie:

a. FLASHb. SRAMc. DRAMd. PROM

170. Pentru un circuit de memorie de tip NAND FLASH mecanismul de acces la informaţie (scriere sau citire) poate fi descris ca:

a. asimetricb. diferenţialc. aleatoriud. secven ţ ial

171. O celulă de memorare SRAM diferă de una DRAM si prin:a. temperatura de lucrub. tensiunea de alimentarec. num ă rul de tranzistoare d. numărul de diode

172. Acronimele SPI si I2C caracterizează pentru unele circuite de memorie utilizarea unei:

a. interfeţe asimetriceb. interfeţe paralelec. interfe ţ e seriale d. interfeţe diferenţiale

173. Pentru un CBB de tip D cu comutare pe front intrarea de date trebuie să fie:a. stabilă cu un timp de propagare înainte de frontul activb. stabil ă cu un timp de setup înainte de frontul activ c. stabilă cu un timp de hold înainte de frontal activd. stabilă cu un timp de setup după frontul active

174. La modul general tensiunea la bornele unui inductor oarecare L depinde de:

39

Page 40: grile ED

a. viteza de variaţie a temperaturiib. viteza de varia ţ ie a curentului pe la borne c. cantitatea de sarcină acumulatăd. valoarea constantă a curentului pe la borne

175. Un capacitor de decuplare se conectează faţă de bornele de alimentare ale unui circuit numeric:

a. cât mai departeb. in serie cu un rezistor adecvatc. cât mai aproaped. in serie cu un inductor adecvat

176. Cât este impedanţa, exprimată in Ohmi, a unui inductor ideal cu L= 100mH, la frecvenţa f=50Hz ?

a. cca. 1300 Ohmib. cca. 62 Ohmic. cca. 31 Ohmid. cca. 131 Ohmi

Justificare.L=100 mH f=50Hz z=(R2 + (2∏*f*l)2)1/2 OhmiInductor ideal R=0Z=2∏*f*L=6,28*50*100*10-3=31,40Ohmi

177. Diafonia descrie un efect de:a. congruenţă intre două semnaleb. interferen ţă intre dou ă semnale c. independenţă intre două semnaled. dependenţă intre două semnale

178. Pentru o undă (nu neapărat de natură electrică), lungimea ei de undă l este legată de frecvenţa ei f prin intermediul:

a. amplitudinii undeib. vitezei de propagare a undeic. distanţei dintre două vârfurid. semiperioadei undei

40

Page 41: grile ED

179. Pentru un sistem numeric, cuplajele capacitive parazite, ca mecanism de generare a zgomotului, sunt legate de:

a. variaţia rezistentelorb. variaţia curenţilorc. varia ţ ia tensiunilor d.variaţia temperaturilor

180. Un condensator de decuplare se conectează, faţă de bornele de alimentare ale circuitului integrat:

a. în serieb. în paralelc. serie si paraleld. numai dacă tensiunea de alimentare este maimare de 5V

181. Efectul de diafonie este legat si de existenţa:a. unei instabilităţi parazite a sistemuluib. de inductan ţ e si capacita ţ i mutuale parazite c. de tensiuni de alimentare parazited. de conductanţe si transconductanţe mutuale parasite

182. Pentru un sistem numeric, cuplajele inductive parazite, ca mecanism de generare a zgomotului, sunt legate de:

a. varia ţ ia curen ţ ilor b. variaţia tensiunilorc. variaţia rezistenţelord. variaţia temperaturilor

183. Cât este impedanţa, exprimată in kOhmi, a unui capacitor ideal cu C= 50nF, la frecvenţa f=50Hz ?

a. cca. 128 kOhmib. cca. 64 kOhmic. cca. 6.4 kOhmid. cca. 640 kOhmi

Justificare.

41

Page 42: grile ED

L=1/2∏*f*c=1/6,28*50*50*10-9=0,0064*107

L=64 kOhmi

184. Care din următoarele tipuri constructive de capacitori ar fi adecvat pentru decuplarea alimentării unui circuit numeric?

a. Capacitor transparentb. Capacitor ceramic multistratc. Capacitor spiralatd. Capacitor PET

185. Firul (traseul) care leagă borna + a sursei de alimentare cu borna Vcc a unui circuit numeric are inductanţa proprie de 15nH. Curentul de alimentare alcircuitului prezintă la un moment dat o variaţie caracterizată de o viteză de 20mA/nsec. Cât este variaţia maximă a tensiunii de alimentare a circuitului:

a. cca. 30mVb. cca. 3Vc. cca. 0.3Vd. cca. 30V

Justificare:

186. Faptul că o legătură intrare – iesire, pentru circuitele numerice, trebuie uneori modelată ca o linie e transmisie este legat in primul rând de:

a. nivelele logiceb. timpii de propagare ai porţilor in cauzăc. timpii de front ai semnaluluid. tensiunile de alimentare utilizate

187. Faptul că o legătură intrare - iesire pentru circuitele numerice trebuie uneori modelată ca o linie de transmisie poate fi legat si de:

a. temperatura de lucrub. lungimea leg ă turii c. zgomotul electricd. curenţii de alimentare

42

Page 43: grile ED

188. Neadaptarea de impedanţă pentru legătură intrare - iesire a unui circuit numeric poate avea ca efect asupra semnalului:

a. articularea formei de undăb. deformarea formei de undăc. stabilizarea formei de undăd. asanarea formei de undă

189. Un „terminator de linie” se utilizează pentru:a. a asigura compatibilitatea de nivele logiceb. a asigura adaptarea de impedan ţă c. a asigura un consum redusd. a asigura menţinerea tensiunii de alimentare

190. Care din următoarele circuite electronice nu poate fi implementat utilizând un circuit CPLD:

a. sumator binarb. decodificatorc. amplificator opera ţ ional d. numărător

191. Avem un numărător binar de 4 biţi si dorim să-i vizualizăm starea prin intermediul unui sistem de afisare cu 7 segmente. Care din următoarele circuite arfi necesar:

a. un multiplexor 7: 4b. un decodificator 4 : 7c. un sumator de 7 biţid. un numărător de 7 biţi

192. Care din următoarele limbaje de programare nu este un limbaj HDL:a. Verilogb. ABELc. Prologd. VHDL

193. Care din următoarele acronime nu reprezintă un tip standardizat de CBB:

43

Page 44: grile ED

a. Tb. S-Rc. Dd. V-K

194. Pentru un decodificator numeric binar zecimal (cod 8421) care din următoarele combinaţii de intrare (ordinea fiind MSB-d3, d2,d1,d0-LSB) este invalidă:

a. 1001b. 0101c. 0111d. 1010

195. Un decodificator numeric de tip binar – 7 segmente este utilizat de regulă la realizarea unui sistem de afisare in tehnologie LED sau LCD de tip:

a. alfanumericb. vectorialc. graficd. numeric

196. Un circuit de tip multiplexor numeric poate fi descris si ca având un rol de:a. multiplicatorb. transportorc. sumatord. selector

197. Un circuit de tip decodificator numeric are de regulă:a. un număr de intrări mai mare decât cel de iesirib. nu are decât iesiric. un număr de intrări egal cu cel de iesirid. un num ă r de intr ă ri mai mic decât cel de iesiri

198. Un circuit CPLD utilizează si o tehnologie similară circuitelor de memorie:a. cu acces secvenţialb. nevolatile

44

Page 45: grile ED

c. volatiled. cu acces aleatoriu

199. Interfaţa JTAG, existentă la toate circuitele CPLD si FPGA moderne, se utilizează tipic pentru:

a. asocierea circuituluib. alimentarea circuituluic. programarea circuituluid. minimizarea circuitului

200. Un circuit FPGA utilizează si o tehnologie similară circuitelor de memorie:a. cu acces secvenţialb. nevolatilec. volatiled. cu acces aleatoriu

201. Utilizarea unui limbaj HDL presupune si necesitatea utilizării unui program care să realizeze:

a. o descriere logicăb. o analiză logicăc. o sintez ă logic ă d. o descompunere logică

202. Dacă vrem să utilizăm un limbaj HDL pentru implementarea unei sistem numeric, atunci utilizatorul trebuie să-l descrie folosind in primul rând un:

a. cod masinăb. cod obiectc. netlistd. cod surs ă

203. Circuitele FPGA utilizează pentru implementarea funcţiilor logice combinaţionale o tehnică bazată pe:

45

Page 46: grile ED

a. tabele K-Vb. tabele de c ă utare c. tabele Vennd. tabele Quine-McKluskey

204. Un circuit FPGA oferă utilizatorului, in mod tipic, si posibilitatea:a. programării numărului de pini ai capsuleib. programării tensiunii de alimentarec. program ă rii tipului de interfa ţă intrare/iesire d. programării complexităţii resurselordisponibile

205. Folosind doar un circuit FPGA se poate implementa cu relativă usurinţă:a. un amplificator de audiofrecvenţăb. un microprocesorc. un convertor analog numericd. un convertor numeric analogic

46