Download - Electronica de Puter-Laboratoare
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
1/56
Lucrarea de laborator numrul 1
Dispozitive de putere. Dioda
1. Scopul lucrriiLucrarea i propune o introducere n universul dispozitivelor semiconductoare de putere
i analiza experimental a fenomenului de comutaie a diodei.Rezultatele experimentale se vor compara cu cele obinute prin simulare cu SPIC.
2. Introducere teoretic
2.1. Dioda
2.1.1. Dioda cu jonciune
Siliciul estematerialul semiconductorutilizat pentru obinereadispozitivelor de comutaie.Siliciul dopat uor n-
constituie uzual materialulde baz pentru obinereadispozitivelor semiconduc!toare. Rezistenamaterialului depinde derezistivitatea sa "#$ de
%rosimea stratului "l# i dearia total "A#&
A
l=R
Prin adu%area unui strat pse obine dioda cu seciunea transversal dat n fi%ura '.'.Structura diodei conine o (onciunepna crei comportare este bine cunoscut de la cursul dedispozitive "fi%ura '.'#.
Comutaia diodei
Pentru aplicaii ncircuite de comutaie$ timpulde tranziie al diodelor dinstarea de conducie direct"on# n starea de blocare "off#trebuie s fie c)t mai redus.
*enomenele carensoesc tranziia unei (onciuni
pn "diode# din starea +on+ nstarea +off+ sunt ilustrate nfi%ura '.,.
Fig. 1.1
Fig. 1.2
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
2/56
P)n la momentul t- dioda este polarizat direct$ dispozitivul fiind parcurs de curentul deconducieIF . /n momentul t- comutatorul trece instantaneu din poziia ' n poziia ,. Ca urmare$se ntrerupe cur%erea curentuluiIF i se foreaz trecerea prin (onciune a curentului inversIR.0aloarea acestui curent "IR-ER1RR # este determinat de sursa de tensiune ERi de rezistenaRR.Curentul invers prin diod i pstreaz constant valoareaIRp)n la momentul t-t'. Intervalul de
timp "$t'#$ c)nd tensiunea la bornele diodei scade de la VF "tensiunea pe diod n polarizaredirect# la $ este determinat de
procesul de evacuare apurttorilor minoritari existenin exces n (onciunea diodei i
poart denumirea de timp destocare ts. 2up momentul t'curentul invers prin diodncepe s scad$ iar tensiunea la
bornele diodei devine ne%ativ$tinz)nd ctre valoarea sursei de
polarizare invers "ER#. 2urataintervalului de timp "t'$t,# ncursul cruia dioda irestabilete capabilitatea de
blocare n invers$ poart numelede timp de tranziie tt. 3impulde revenire invers trr estetrr=ts+tt.
2in punct de vederepractic$ tranziia unei diode dinstarea de blocare n starea de
conducie$ raport)ndu!se la durata timpului de blocare toff =trr$ are loc aproape instantaneu.Productorii de diode de putere specific de re%ul valoarea timpului de revenire invers
trr"reverse recover4 time#./n cazul blocrii pe sarcin inductiv fenomenele sunt ilustrate n fi%ura '.5.
Caracteristica curenttensiune la nivele mari de injecie*uncionarea dispozitivelor cu (onciuni pn la un nivel mare de in(ecie "n conducie
direct# se caracterizeaz prin faptul c valoarea concentraiei purttorilor minoritari n straturiledispozitivului este comparabil cu cea a purttorilor ma(oritari.
Rezultatele experimentale obinute cu diode redresoare din siliciu se reprezint suburmtoarea dependen a densitii de curent&
)kTqV=!
exp
unde este factorul de idealitate al diodei " "= la nivele mari de in(ecie#.
Strpungerea jonciunii pnLa aplicarea unei tensiuni inverse de valoare suficient de mare (onciunea semiconductoare
se strpun%e& structura pn i pierde proprietile de redresare$ curentul invers cresc)nd foartemult.xist urmtoarele mecanisme de strpun%ere a unei (onciunipn&
! strpun%erea prin avalan "ionizare prin oc#6! strpun%erea prin ptrundere sau atin%ere "punc7!t7rou%7 sau reac7!t7rou%7#6
! strpun%erea 8ener "prin tunelare#.
,
Fig. 1.!
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
3/56
"uterea total disipat de diodPuterea disipat de o diod n conducie direct se exprim prin relaia&
Ir+IV=# FR$%)&FAV)Tdon
unde&! VTeste tensiunea de pra% a diodei6! r&este rezistena intern a diodei n polarizare direct6!IFAV)este curentul direct mediu prin diod6!IFR$%)este curentul direct efectiv prin dioda.Puterea disipat de o diod n comutaie$ mai precis pe durata comutaiilor inverse$ se
poate exprima aproximativ prin&'Ef=# rrRdcom
unde&!feste frecvena comutrilor6!EReste tensiunea invers aplicat la blocare6! 'RR este sarcina de revenire care trebuie eliminat din (onciune pentru ca dioda s se
bloc7eze
dtidV(='rrR t
)
r*
E
)
rr =
Puterea disipat n blocare este ne%li(abil fa de valorile date de relaiile de mai sus$ astfelnc)t puterea disipat "total# de o diod este&
#+#=# ddd comon
2.1.2. Dioda Sc#ott$% de putere
"articulariti &uncionale ale diodei Sc#ott$%&iodele %cottk, reprezint o cate%orie distinct n cadrul familiei de diode redresoare
prin faptul c funcia de redresare este realizat de contactul ntre un metal i un semiconductor inu de (onciunipnsemiconductoare.
Curentul prin dioda Sc7ott94 este transportat de un sin%ur tip de purttori$ purttoriima(oritari din semiconductor "%oluri sau electroni#. 2eoarece mobilitatea electronilor este de ,5ori mai mare dec)t cea a %olurilor$ diodele Sc7ott94 sunt realizate n %eneral pe semiconductoarede tip n.
:bsena conduciei prin purttorii minoritari determin dou avanta(e ma(ore&'# nu exist sarcin stocat la nivelul (onciunii$ deci timpii de comutaie depind exclusiv
de valoarea capacitii intrinseci a dispozitivului&
)V+-"
qA=(
Rn.
s&"
/
**
n
unde&!.n este potenialul barierei de contact Sc7ott94$ care depinde n principal de natura
metalului utilizat pentru realizarea contractului " V0102=.n pentru (r$ V034=. n pentru Pt#6
! n este potenialul *ermi pentru electroni6! A* este aria (onciunii metal!semiconductor6! d reprezint nivelul de dopare a stratului epitaxial6
5
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
4/56
! 5seste permitivitatea electric a semiconductorului n6! q este sarcina electronului.
,# nu apare fenomenul demodulare a rezistivitii stratuluisemiconductor$ determinat de creterea
nivelului de curent$ deci tensiunea nconducie i tensiunea n blocare suntsensibil mai mici dec)t n cazul diodelorcu (onciunepn.
/n fi%ura '.; este prezentatseciunea transversal printr!o diodSc7ott94.
2.2. Dispozitive cu trei straturi
2ispozitivele de baz cu trei straturi$ de nalt tensiune "deci care au structura verticalcaracterizat de existena unui strat de tip n!#$ sunt prezentate n fi%ura '.
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
5/56
2.!. Dispozitive cu patru straturi
Structurile de principiu cu trei straturi din seciunea anterioara pot fi extinse cu un stratp+$ obin)nd trei structuri de baz cu patru straturi&
! tiristorul convenional ! SCR "Silicon Controlled Rectifier#$ care este n esen un >30cu un strat p+adu%at "fi%ura '.B.a#6
! tiristorul cu inducie static ! SI37 sau *C3 ! un ?!*3 la care s!a adu%at un strat p+"fi%ura '.Bb#6
! tiristorul bipolar cu poart izolat ! ID3 ! un @AS la care s!a adu%at un strat p+"fi%ura '.Bc#.
Fig. 1.*
2.(. +ptimizri ale structurilor de baza
/n funcie de aplicaiile concrete n care sunt utilizate$ dispozitivele semiconductoare deputere trebuie s aib&
! tensiuni de blocare c)t mai ridicate6! capabiliti mari n curent6! valori mari ale capabilitilor n d01dt i dI1dt6! timpi de comutare c)t mai redui$ deci frecvene de lucru c)t mai mari6
! puterea disipat n comutaie c)t mai mic6! nivele reduse ale puterii de comand pe poart.
2e re%ul$ mbuntirea uneia din caracteristicile de mai sus conduce inevitabil lade%radarea altor parametri ai dispozitivelor. /n consecin$ exist dispozitive specializate$optimizate pentru diferite aplicaii. Prin inte6rare f7ncional8s!au obinut structuri perfecionatecum ar fi&
! tranzistorul cu efect de c)mp cu dioda epitaxial rapid *R2!*3 "*3 Eit7 *astRecover4 pitaxial 2iode ! fi%ura '.Fa#6
! tiristoare cu blocare pe poart 3A "ate 3urn!Aff 374ristor ! fi%ura '.Fb#6! tiristor controlat de @AS$ denumit @C3 "fi%ura '.Fc# etc.
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
6/56
Fig. 1.,
2.). -naliza comparativ a per&ormanelor dispozitivelor semiconductoare de putere
ste important ca proprietile dispozitivelor semiconductoare s fie cunoscute atuncic)nd ale%em un dispozitiv care s lucreze optim ntr!o aplicaie dat. 3abelul '.' se prezintcomparativ proprietile eseniale ale dispozitivelor capabile s susin tensiuni de peste '0.
Se remarc faptul c dispozitivele rapide sunt optimizate pentru o tensiune direct nconducie minim.
2.'. -ria de aplicaii pentru dispozitivele semiconductoare de putere
:ceast seciune ncearc s dea indicaii asupra modului de ale%ere a dispozitivului optimpentru o anumit aplicaie.
ste posibil pentru un proiectant de circuite$ utiliz)nd te7nici variate i ori%inale$ sfoloseasc un dispozitiv n afara zonei de operare +normal+$ ilustrat n fi%ura '.G.Se poate spune c este dificil utilizarea tranzistoarelor bipolare >03 la frecvene de peste
'9>z$ dar totui n literatura de specialitate sunt descrise aplicaii la frecvene de sute de 9>z.La ale%erea unui tip de comutator concur o %ama mai lar% de parametri$ le%ai ntr!o anumitmsur de frecvena de comutaie&
! timpii de nt)rziere6! puterea disipat n comutaie6! densitatea de curent n conducie6! limitri te7nolo%ice la puteri mari6! topolo%ia aplicaiei.
2e exemplu 3A este preferat tranzistorului de putere n aplicaii de mare putere lafrecvene ntre '9>z i ,9>z datorit capabilitii sale la suprasarcin.
Scderea tensiunii susinute n blocare determin performane mai bune./n tabelul '.'$ un +H+ are$ n funcie de context$ semnificaia +simplu+ sau +mic+$ iar un +!+
nseamn +complexitate+ sau +mare+. n punct n tabel semnific o medie ntre +H+ i +!+$ iar*"fast#-rapid i S"sloE#-lent. /n cazul comutaiei forate pentru tiristoare sunt valabile
performanele dintre acolade.
2ispozitiv1Parametru
>03 ?*3 @AS 3>J 3A ID3S
ID3*
nitatede
=
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
7/56
msur
0"AK# ' ' < '.< 5 , ; 0
Circuit C2 ! H H H H H H !
Circuit CI ! ! H H ! H H !
Comanda ! . H . . H H !3e7nolo%ie H . . H ! ! ! !
Protecia ! . H H ! ! ! !
3s$ t , .' .' < ' , .< Ms
Pd"com# . HH HH !! ! ! . !
?
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
8/56
! mecanice6! termice6! electrice.Corespunztor acestor moduri de ncercare avem sistemele de valori limit absolute
mecanice$ climatice$ termice i electrice.Conform definiiei dat de CI pentru sistemul de valori limit absolute$ fiecare este
imperativ$ n sensul c depirea ei provoac de%radarea ireversibil a dispozitivului. Proiectaniide ec7ipamente cu dispozitive semiconductoare de putere trebuie s rein c exist o corelaiestr)ns ntre probabilitatea defectrii dispozitivului i %radul de ncrcare a dispozitivului$ n sensulapropierii de una din valorile sale limit absolute.
0alori limit absolute pentru diod/n re%im de polarizare invers se definesc urmtoarele valori limit absolut&
VR ! tensiunea invers continu6VRR$ ! tensiunea invers repetitiv maxim6VR9$ ! tensiunea invers de lucru maxim6VR%$ ! tensiunea invers de suprasarcin maxim.
/n re%im de conducie valorile limit absolut$ evident$ se vor referi la curentul ce parcur%edispozitivul&
IF ! curent direct continuu6IFAV$ ! curent direct mediu maxim6IFR$%$ ! curent direct eficace maxim6IFR$ ! curent direct repetitiv maxim6IF$ ! curent direct de suprasarcin maxim6I"t ! inte%rala de curent n funcie de care se dimensioneaz si%uranele
ultrarapide de protecie etc.Pentru re%imul de comutaie al diodei intereseaz&
di:dt ! panta critic de cretere a curentului de conducie6
d;:dt ! panta critic de cretere a tensiunii de blocare6t*$ ! temperatura (onciuni maxim "parametru termic$ dar str)ns le%at de
puterea disipat n comutaie.
!. -parate i ec#ipamente utilizate
! osciloscop cu dou canale6! mac7et laborator6! %enerator de impulsuri de putere6
(. Des&urarea lucrrii
(.1. 3periment
'. Se alimenteaz %eneratorul de impulsuri i se conecteaz n varianta impulsuri bipolarela mac7eta de laborator cu sc7ema dat n fi%ura '.'.
,. Se conecteaz osciloscopul astfel nc)t pe un canal s se vizualizeze curentul prin diod"i$ iar pe cellalt tensiunea pe diod ";.
5. Se studiaz comutaia diodei pe sarcin rezistiv "fi%ura '.''a#.;. Se conecteaz dioda 2' "normal# n circuit.
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
9/56
lucrrii "fi%ura '.''b#.G. Se studiaz efectul introducerii unui condensator n circuitul de comutaie "fi%ura '.''c
i '.''d#.'. Se centralizeaz rezultatele msurtorilor ntr!un tabel.
Fig. 1.14
Fig. 1.11
(.2. Simulare
'. tiliz)nd pro%ramul SPIC se va studia&! comutaia diodei cu (onciune normal pe sarcin rezistiv R "fi%ura '.',#6
! comutaia diodei cu (onciune normal pe sarcin inductiv L6! comutaia diodei cu (onciune de comutaie pe sarcin R6! comutaia diodei cu (onciune de comutaie pe sarcin L.:nalizai comparativ rezultatele obinute prin simulare cu rezultatele experimentale
obinute pentru i&i ;&.
,. Se vizualizeaz puterea disipat n comutaie.
G
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
10/56
Fig. 1.12
). 5ntrebri. eme de cas'. Cum influeneaz fronturile impulsurilor de comand procesul de comutaie "puterea
disipat n special#N Abservaie. Se va utiliza simularea cu SPIC.,. La comutaia diodei pe sarcin rezistiv$ care este le%tura dintre sarcin i timpul de
stocareN5. Care este le%tura dintre frecvena impulsurilor de comutare "factor de umplere '1,# i
parametrii diodei "tssi trr#N;. 2e ce se conecteaz n paralel cu dioda care lucreaz n comutaie un condensatorN
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
11/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
12/56
ts! timpul de stocare 6tf! timpul de cdere a curentului.>03!urile sunt utilizate aproape n exclusivitate n circuite electronice de comutaie
pentru conversia ener%iei$ comanda motoarelor "d.c. i a.c.# etc.2.2. Comutaia tranzistorului bipolar 7 80 9
Pentru un tranzistor n conducie se pot distin%e trei zone n care se acumuleaz sarcinaelectric " fi%. ,.;#.
Fig. 2.( Fig. 2.)Sarcina Ob localizat n re%iunea bazei este esenial pentru conducia curentului de
colector. Sarcina Oclocalizat n zona colectorului$ n dreptul emitorului$ determin o rezistensczut pentru colector$ deci o tensiune colector emitor sczut. Sarcina Odeste localizat nzona colectorului n dreptul contactului de baz.
Pentru o valoarefixat a curentului decolector valoarea sarcinilor
Ob $ Oc i Od depinde detensiunea colector!emitor"fi%ura ,.
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
13/56
supracurentul de comand fiind preluat de dioda 25. 2ioda 2,asi%ur calea de evacuare a sarciniistocate$ iar dioda 2'fixeaz pra%ul saturaiei incipiente "eventual pot fi conectate dou diode nserie#.
Fig. 2.* Fig. 2.,
/n cazul confi%uraiei 2arlin%ton "fi%ura ,.F#$ in)nd cont de faptul c (onciunile D i DCale tranzistorului 3'(oac rolul diodelor 2, i 25 $ tranzistorul de for 3,nu se va satura profund$indiferent c)t este valoarea curentului de comand ID,.
Comutaia tranzistorului din blocare n conducie "comutaia direct ! C2#$ respectivinvers "comutaia invers ! CI# se face ntr!un timp definit n principal de circuitul de comand.
2.!. Circuite de comand
Circuitele de baz pentru comanda tranzistorului bipolar sunt reprezentate n fi%ura ,.G.
Se remarc existena rezisteneiRbn fiecare circuit de comand$ av)ndrolul de a limita valoarea curentului decomand.
/n cazul unei comenzi cuforarea curentului de baz princircuitul de accelerare "Rbn paralel cuCb $ vezi fi%ura ,.'.b#$ putereadisipat n timpul C2 este mai micdec)t n cazul unei comenzi simple
printr!o rezisten Rb"fi%ura ,.'.a.#.
La comutarea invers$ dinmomentul tal aplicrii tensiunii inversede comand se pot evidenia timpii&! t=t-t s/o 6 pe durata cruiatranzistorul rm)ne saturat6! t" 6 c)nd i- i V.E devinene%ativ6! t? 6 c)nd iC- 6! t=t-t f/? 6 timpul de cdere pentruiC.
*ormele de und$ pe durata CI$pentru circuitele de comand din fi%ura
Fig.2./'5
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
14/56
,.G sunt reprezentate n fi%urile ,.''.ac.
Fig. 2.14.a Fig. 2.14.b
Fig. 2.11.a Fig. 2.11.b
';
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
15/56
Fig. 2.11.c Fig. 2.12/n fi%ura ,.', este prezentat efectul mririi tensiunii inverse$ aplicate pentru blocarea
tranzistorului$ asupra performanelor de comutare invers a circuitului din fi%ura ,.G.b "vezipentru comparaie fi%ura ,.''.b#.
Circuitul de accelerare RbCb"vezi fi%ura ,.G.a# este n %eneral utilizat pentru comanda
tranzistoarelor cu tensiuni V(Emax mici. /n %eneral se urmarete ca I"/
=I (.R$ .Pe de alt parte$ puterea disipat scade dac nu se utilizeaz condensatorul de accelerare
Cb "vezi fi%ura ,.''.b# sau se mrete tensiunea invers aplicat "fi%ura ,.',#$ fr ns a sedepi tensiunea de strpun%ere a (onciunii baz emitor$ 0 "DR#D. Se remarc ns o cretere atimpului total de comutare invers.
Pentru tranzistoare >03 intrarea (onciunii D n strpun%ere la comutarea invers$utilizand o bobina n baz Lb"vezi fi%ura ,.''.c#$ nu are efecte distructive dac nu se depesc
parametrii IDR":0#i IDRmax"precizai n catalo%#.ste evident c au loc relaiile&
#@#@#@# dcidcidcidci //c))///A)//a) ,
t@t@t@t ffff //c))///A)//a) ,
tBtBt sss //c)//A)//a)/n %eneral$ valoarea optim a inductanei Lbse determin experimental. A estimare bun
este dat de relaia &
dt
di
V+E=C
.
.ER
.sat
unde&
dtid . - $03 cu V(E -B0$ V(E< -'
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
16/56
Fig. 2.1!
Fig. 2.1(
Fig. 2.1)
Circuitul optim de comand este prezentat n fi%ura ,.'
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
17/56
Fig. 2.1' Fig. 2.1*
2.(. -ria de &uncionare sigur
/n cazul n care (onciunea de comand estepolarizat direct punctul de funcionare trebuie sse afle n zona de funcionare si%ur reprezentat nfi%ura ,.'=. 2ac (onciunea baz emitor estescurtcircuitat "V.Eoff -0# sau este polarizat
invers "V.Eoff -
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
18/56
Fig. 2.24 Fig. 2.21
Reeaua (-R-& 444 formeaz un detector de v)rf pentru limitarea tensiunii 0C.Inductana L= reduce rata de cretere a curentului I C$ care poate fi foarte mare pentrutranzistoarele care comut transformatoare de putere$ micor)nd PdC2. ner%ia nma%azinat de L=este disipat de circuitul R=!2=pe durata c)nd tranzistorul este blocat.
/nfurarea secundar$ bobinat n opoziie fa de cea primar$ mpreun cu 2B$ are rol nrecuperarea ener%iei nma%azinate de transformator. Crete ns i tensiunea 0C pe durata c)nd2Bconduce.
!. -parate i ec#ipamente utilizate:
! osciloscop cu dou canale6! mac7et laborator "fi%ura ,.,,#6! %enerator de impulsuri de putere
Figura 2.22
'F
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
19/56
(. Des&urarea lucrrii:
(.1. 3periment'. Se alimenteaz %eneratorul de impulsuri i se conecteaz n varianta impulsuri bipolare
la mac7eta de laborator cu sc7ema din fi%ura ,.,,. Pentru comparaie se utilizeaz un tranzistornormal #O" 5 i unul de comutaie #O" ; .
'G
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
20/56
,. Se alimenteaz monta(ul cu tensiune " /V=Vcc # i se conecteaz osciloscopul labornele A'$ A,i A5pentru vizualizarea tensiunilor vDi vC.
5. Se studiaz comutaia tranzistorului bipolar pe sarcin rezistiv$ analiz)nd influenacircuitului de comand asupra timpilor de comutaie "vezi fi%urile ,.B$ ,.G i ,.'
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
21/56
2. Introducere teoretic
2.1. Structur i mod de &abricaien canal n vertical
pentru un tranzistor =+S
de putere este fabricat peun substrat nH $ av)nddrena metalic aplicat pe
partea inferioar a sa "fi%.5.'#.
2easuprasubstratu!lui nH estecrescut un strat n!
epitaxial$ %rosimea irezistivitatea fiecruiadepinz)nd de tensiunea
pro%ramat s fie susinutn blocare ntre dren isurs. Structura canalului$format printr!un dubluimplant n suprafaastratului epitaxial n!$renun la modelul celular$astfel nc)t mai multe mii
de celule pot forma un sin%urtranzistor.
Poarta "n!polisiliciu# creat nstratul izolator de dioxid de siliciueste structura unic care lea% ntreele celulele aceluiai dispozitiv. Sursametalic acoper de asemeneantrea%a structur$ realizandconectarea n paralel a celulelorindividuale ntr!un sin%ur tranzistor.2ensitatea tipic este de .5Q'=
celule1cm" .
A seciune transversal printr!o celul este dat n fi%ura 5.,.
2.2. "arametrii =+SFului.
a. Tensi7nea de pra6 V#). 3ensiunea de pra% se msoar n mod normal conect)ndpoarta la dren i apoi cresc)nd tensiunea aplicat dispozitivului ntre dren i surs p)n seobine un curent de dren de '. m:. :ceast metod este foarte simpl i furnizeaz indicaii
precise asupra momentului n care se creeaz canalul indus.*actorii principali care controleaz tensiunea de pra% sunt %rosimea oxidului de sub
21
Fig. !.1
Fig. !.2
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
22/56
poart i concentraia de suprafa maxim din canal$ determinat de doza implantrii zoneip.0aloarea tensiunii de pra% este n %ama ,.';0 pentru tipul standard$ respectiv ',0 pentrutipul lo%ic.
b.Rezistena dren8 s7rs8 Hn starea de cond7cie on) - R&%on) .
Contribuia elementelor care determin R&%on) este dependent de valoarea tensiunii
dren!surs proiectat a fi susinut n blocare "fi%. 5.5#.Se observ c la tensiuni nalte
domin rezistivitatea i %rosimea stratuluiepitaxial$ iar la tensiuni (oase o ponderemare o are rezistena canalului i a stratuluidifuzat pH.Rezistena ntre%ului canal este determinatde lun%imea canalului$ %rosimea stratului deoxid al porii$ mobilitatea purttorilor$tensiunea de pra% i tensiunea aplicat pe
poart. Pentru o tensiune de poart dat$
rezistena canalului poate fi redussemnificativ micor)nd %rosimea stratului deoxid al porii. :cest mod de lucru esteutilizat pentru =+SF!ul comandat cunivele lo%ice$ permi)nd obinerea uneiR&%on) similar cu tipul standard cu numai
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
23/56
2.!. Caracteristicile electrice in curent continuu.
A familie de caracteristici de ieire tipice pentru un tranzistor =+Sde putere este dat nfi%ura 5.;. Se observ c depirea tensiunii V&%sat determin o limitare a curentului de dren"re%iunea de saturaie a caracteristicilor#.
2.(. Caracteristicile de comutaie.
Caracteristicile de comutaie pentru un =+SF de putere sunt determinate decapacitile inerente care apar n structur "fi%. 5.
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
24/56
Fig. !.*
2.). Circuite de comand
24
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
25/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
26/56
Fig. !.12
Fig. !.1! Fig. !.1(
Fig. !.1)
26
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
27/56
Fig. !.1' Fig. !.1*
(. Des&urarea lucrrii
(.1. 3periment:
'. Se alimenteaz %eneratorul de impulsuri i se conecteaz n varianta de comand cu
impulsuri monopolare pozitive la mac7eta de laborator cu sc7ema dat n fi%ura 5.'F.,. Se alimenteaz monta(ul cu tensiunea V&&-'0 i se conecteaz osciloscopul la borneleA'$ A,$ i A; pentru vizualizarea tensiunii ;J%si ;&%.
5. Se studiaz comutaia tranzistorului =+S pe sarcina rezistiv analiz)nd influenacapacitilor (6ssi (6dasupra timpului de comutaie "fi%. 5.'
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
28/56
(.2. Simulare:
tiliz)nd pro%ramul SPIC seanalizeaz&
B. influena capacitilor (6s i(6d asupra timpilor de comutaie
utiliz)nd dou tipuri de tranzistoare@AS "fi%. '
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
29/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
30/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
31/56
Fig. !.2(
31
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
32/56
Fig. !.2)
Lucrarea de laborator numrul (
iristorul1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri este nele%erea aspectelor teoretice "prin modelare!simulare# ipractice privind metoda uzual de amorsare a tiristorului prin curent de comand pe poart. Sevor face msurtori pentru determinarea curenilor de meninere I$ de blocareI.i de acroareIC$
precum i a altor parametrii specifici tiristoarelor.
2. Introducere teoretic
2enumirea %eneric de tiristor este atribuit unei familii de dispozitive semiconductoare deputere$ av)nd o funcionare de tip bistabil i similariti de structur intern.Caracteristica static curent "iA# ! tensiune ";AK# a unei structuri pnpn "cu sau fr electrozi
de poart ! fi%ura. ;.'# are forma tipic din fi%ura ;.,.
32
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
33/56
Fig. 4.1
La polarizarea direct astructurii pnpn "potenalul din anodmai mare dec)t cel din catod#$ pe
poriunea !' a caracteristicii$dispozitivul susine tensiunea aplicat"(onciunea ?, este blocat#$ fiind nstarea de blocare n direct. 2actensiunea direct aplicat ";AK# atin%evaloarea VF".L# "brea9over volta%e#dispozitivul trece rapid prin zona derezisten ne%ativ '!, "d;AK1diA #$a(un%)nd n conducie direct. /nconducie direct "poriunea ,!5 acaracteristicii# dispozitivul pnpn secomport ca o diod redresoare nconducie$ fiind utilizat un model liniar analo% diodei cu (onciunepnn conducie&
;AK= VT + rFTiAunde&
rFTeste rezistena n conducie direct a tiristorului6VT este tensiunea pe tiristorul aflat n
conducie direct "VT-',0 pentru
densiti de curent de aproximativ':1cm,#./n polarizare invers "! pe anod i H pe
catod# dispozitivulpnpnse afl n poriunea !; acaracteristicii n polarizare invers "(onciunea !'
blocat susine tensiunea aplicat$ deoareceV.R"?5#-'50#. 2ac tensiunea invers aplicatatin%e valoarea V.R"brea9doEn volta%e#$ curentulinvers prin dispozitiv crete foarte rapid$
provoc)nd distru%erea dispozitivului.:morsarea prin aplicarea unei tensiuni
directe ;AK=VF.) se utilizeaz pentru diodeletiristoare "dioda Sc7oc9le4 fi%ura ;.'.a$ diaculetc#$ fiind evitat la triodele i tetrodele tiristoare "fi%urile ;.'. c respectiv d# deoarece se pot
33
Fi . 4.2
Fig. (.!
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
34/56
distru%e dispozitivele respective.:morsarea tiristoarelor convenionale "fi%ura ;.'.c# se obine prin aplicarea unui curent
pozitiv de poart iJ@ "obinut prin aplicarea unei tensiuni;JK@ # c)nd tiristorul este polarizatdirect$ amorsarea av)nd loc la tensiuni ;AK@ din ce n ce mai mici dac valoarea curentului de
poart crete "fi%ura ;.5#.
34
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
35/56
2up amorsare$ tiristorul rm)ne n starea de conducie dac curentul anodic iAeste maimare dec)t valoarea curentului de a%areIC"latc7in% current#. 2ispozitivul rm)ne n conducieat)ta timp c)t curentul anodic este mai mare dec)t curentul de meninere I "7oldin% current#.:vemIC@ I.
2enumirea de +redresor comandat din siliciu+$ prescurtat SCR "Silicon ControlledRectifier#$ este utilizat i n prezent "vezi biblioteca utilizat de SPIC# pentru tiristorul
convenional. Comutarea n conducie a tiristoarelor convenionale se face uzual prin curent decomand pozitiv pe poart$ continuu sau n impulsuri. 3ensiunea minim continu "VJT# aplicat
pe poart fa de catod i curentul continuu minim de poart "IJT#$ care determin o amorsaresi%ur a tiristorului sunt parametri importani ai acestora. /mpreun cu puterea disipat n poart$acetia determin valorile componentelor din circuitul de comand.
2omeniul de amorsaresi%ur "fi%ura ;.;# este limitatsuperior de puterea de v)rf decomand "n impulsuri# saumedie de comand "n curentcontinuu#. Inferior$ domeniul se
extinde odat cu cretereatemperaturii dispozitivului.
Adat cu cretereatemperaturii$ curentul rezidualdin (onciunea !, poate devenicomparabil cu IJT$ tiristorul
put)nd amorsa termic "frcomand pe poart#.
:plicarea unui curent npoarta unui tiristor determin o in(eciede %oluri "purttori ma(oritari# n
stratulp,$ polariz)nd direct (onciunea!5. /n momentul n care (onciunea!5se desc7ide$ stratul n, in(ecteazelectroni n zonap,$ care a(un%)nd nc)mpul electric al (onciunii !, sunttransferai n stratul n'"%olurile nu trec
prin (onciunea!,#. :cest fenomen deseparare determin scdereaconcentraiei purttorilor n zona
(onciunii!,.2eoarece&
7AK=V!/+V!"+V!?scderea tensiunii de blocare a (onciunii ?,"fi%ura ;.
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
36/56
Curentul anodic continu s produc fenomene de in(ecie de purttori prin (onciunile ?'i ?5$ determin)nd extinderea canalului de amorsare pe toat suprafaa catodului. 0iteza ;scu carese desfoar acest fenomen crete cu densitatea curentului anodic i are valori n %ama$5$'mm1s.
2ispozitivele pnpn pot fi amorsate cu semnale optice situate n banda de rspuns spectral asiliciului.
Pe l)n% amorsare prin brea9over "autoamorsarea#$ care este de tip parazit i distructiv$pentru tiristoarele cu terminal de poart$ amorsarea prin efect dv1dt este de asemenea distructiv.
La aplicarea unei tensiuni anodice ;& de tip ramp$ datorit capacitii de barier a(onctiunii ?,
#"
,#" '.
, tq;
t(
&
&r!
=
apare un curent de deplasare av)nddensitatea&
dt
t)d;t)(
dt
t)d(t);+
dt
t)d;t)(=
dt
dq=* &!
!&
&!d ,
,
,
0aloarea sa medie este&
dt
t)d;
)V"(=dt
t)d;
(=*&
RF!&
!d ,,
unde& VRFeste valoarea final a tensiunii anodice.@rirea capabilitii de protecie la efectul d;:dtpentru dispozitivele pnpn se poate obine
prin conectarea unui %rup RC "denumit snubber# n paralel pe dispozitiv "fi%. ;.B.a#.Conectarea unui rezistor RJ ntre poart i catod determin devierea unei pri din
curentul de deplasare din bazap"$ mrind capabilitatea de protecie la d;:dt"fi%.;.F.#.
Fig.(.,
Procesul de amorsare a tiristoarelor de putere$ deci care au o arie a catodului mare$ in)ndcont c extinderea zonei de conducie direct "on!zone spreadin%# se face cu viteza finit$ ;sGdetermin limitri ale ratei de variaie a curentului anodic di:dt.
g. 4.7
36
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
37/56
/n circuitele care utilizeaz tiristoare convenionale$ cu capabilitate n di1dt limitat la
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
38/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
39/56
3impul de cdere a tensiunii tf7 nu mai depinde de IJci$ n principal de caracterul circuituluianodic$ scz)nd odat cu creterea inductanei din circuitul anodic. 3impul de stabilizare tstdepinde de parametrii constructivi ai tiristorului. /n timpul amorsrii$ n tiristor$ ener%ia electricse transform n ener%ie termic. Puterea disipat n timpul amorsrii#deste reprezentat n fi%.;.'5.c.
Fig. 4.13.b
Fig. 4.13.c
!. -parate i ec#ipamente utilizate:
- ampermetru de c.c. i c.a639
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
40/56
- voltmetru de c.c.6- surs de tensiune continu6- transformator reea ,,1',H',6- osciloscop cu dou canale6- reostat6- mac7et de laborator "fi%. ;.';#. Cu a(utorul comutatorului T se selecteaz tiristorul de mic$
respectiv medie putere care va fi testat$ iar cu T' se aplic impulsurile de comand c)nd estecazul.
Fig. (.1(
(. Des&urarea lucrrii
(.1. 3periment
'. Caracteristica static de amorsare n c.c. a tiristoruluia. Se verific datele de catalo% ale tiristoarelor de pe mac7eta de laborator6
b. Se identific componentele de pe mac7eta de laborator "fi%ura ';#6c. Se realizeaz monta(ul din fi%ura ;.'
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
41/56
exemplu$ amorsarea este semnalizat optic prin stin%erea becului.6f. Se noteaz valoarea tensiunii i curentului de amorsare$ indicat de voltmetrul V' i
ampermetrulA'6%. Se repet experimentul pentru celalalt tiristor i apoi se urmrete efectul modificrii
curentului anodic asupra parametrilor de amorsare "o valoare medie i maxim de re%la( areostatului#. Se noteaz valoarea re%lat iA6
7. Se ridic caracteristica 7JGiJ)MiAla amorsare pentru tiristoarele testate.
,. @surarea curentului de meninere$ blocare i acroarea. Se realizeaz monta(ul din fi%. ;.'=.
Fig. (.1'
b. Se re%leaz reostatul la valoarea minim i se fixeaz sursa de tensiune continu laaproximativ '0.
c. Se alimenteaz monta(ul6 voltmetru Vva indica prezena tensiunii n starea blocat directa tiristorului.
d. Cu comutatorul K' se aplic impuls de amorsare a tiristorului. Se citete valoareatensiunii anodice c)nd tiristorul este n conducie.
e. Se mrete rezistena din circuitul anodic$ urmrindu!se indicaia ampermetruluiA. Laun moment dat tiristorul se va bloca "indicaia ampermetrului este $ iar a voltmetrului este dinnou e%al cu valoarea tensiunii de alimentare#. Se reine ultima indicaie a ampermetrului$ curentulanodic minim n conducie$ deci valoarea curentului de meninereI>.
f. La valori i mai mare ale rezistenei anodice$ se nc7ide ! desc7ideK'i se urmretemodul cum conduce tiristorul6 practic tiristorul are o funcionare asemntoare cu a unuitranzistor p)n c)nd curentul anodic scade sub valoarea de blocare ID. Se msoar curentul de
blocareIDmrind rezistena reostatului p)n se observ blocarea tiristorului.
41
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
42/56
%. Se micoreaz apoi$ treptat$ rezistena reostatului$ aplic)ndu!se totodat i impulsuri decomand. Pentru o anumit valoare a curentului anodicIL$ numit curent de acroare$ tiristorulrm)ne n conducie i dup dispariia impulsului de comand "K' desc7is#. Se reine aceastvaloareIL.
7. Se fac msurtorile pentru ambele tiristoare.
5. :morsarea tiristorului cu impulsuri de comand
Fig. (.1*
a. Se realizeaz monta(ul din fi%. ;.'B. eneratorul de impulsuri sincronizate cu reeaua dealimentare are posibilitatea re%lrii amplitudinii "ntre '0 cu R5# i duratei "ntre $, ! ,scu R,# acestora. /nt)rzierea fa de trecerile prin zero se fixeaz din semire%labilul R'.
b. Se unteaz inductanaC6 i se re%leaz reostatul din circuitul anodic laR-Rmin.c. Se vizualizeaz curentul ii tensiunea de poart ;n momentul amorsarii tiristorului"K'nc7is# pentru diverse combinaii amplitudine ! durat impuls. Se noteaz combinaiile caredetermin limita inferioar a domeniului de amorsare si%ur.
d. Se introduce inductanaCn circuitul anodic i se repet punctul c.$ pentru combinaiileRmin!CminiRmin!Cma
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
43/56
Indicaie& Se vor utiliza relaiile cunoscute&
)
/+
/
q
)-V"=l+l=9
&A
i&rpn
.
K:lp - K2ln
n
--
q
kT=
"i
&Ai ln
)-
/+
-
/
V
"q=
E &ARr.max
Se dau constantele&ni-'$;
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
44/56
Student:;rupa: !22
Dispozitive de putere. Dioda
19 Comutaia diodei pe sarcin rezistiv:
D 1
D 1 N 4 1 4 8
V 1
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = - 5
T R = 1 n
V 2 = 5
0
R 1
1
V+
I
V-
0izualizarea cderii de tensiune i a curentului prin diod&
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
45/56
29 Comutaia diodei pe sarcin inductiv:
R 2
1 0
L 2
3 0 m H
1 2
D 2
D 1 N 4 1 4 8
V 2
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = - 5
T R = 1 n
V 2 = 5
0
V-
V+
I
0izualizarea cderii de tensiune i a curentului pe diod&
Time
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18msI(D1)
-4.0A
0A
4.0A
V(D1:1,0)-8.0V
-4.0V
0V
4.0V
SEL>>
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
46/56
!9 Comutaia diodei pe sarcin capacitiv:
R 3
1
D 3
D 1 N 4 1 4 8
V 3
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = - 5
T R = 1 n
V 2 = 5
C 3
2 2 0 u
0
V+
I
V-
0izualizarea cderii de tensiune i a curentului pe diod&
Time
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20msI(D2)
00mA
0A
00mA
00mA
V(D2:1,0)8.0V
4.0V
0V
4.0V
SEL>>
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
47/56
Tranzistorul bipolar de putere i tensiune mare
Circuite de baz pentru comanda tranzistorului bipolar:
1)
V 1
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 1
1 0 0
L 1
1 0 u H
1 2
0
R 2
0 . 0 1
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
R 3
1 0 0
V 2
1 0 VI
Curentul de colector:
Time
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18msI(D3)
-20A
-10A
0A
10AV(C3:2,0)
-10V
-5V
0V
5V
SEL>>
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
48/56
Ti me
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
I C(Q1)
- 50mA
0A
50mA
100mA
V 1
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 1
1 0 0
L 1
1 0 u H
1 2
0
R 2
0 . 0 1
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
R 3
1 0 0
V 2
1 0 VV
ensiunea de colector:
Ti me
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
V(Q1:c )
0V
4V
8V
12V
2)
V 3
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 4
1 0 0
0
Q 2
Q 2 N 2 2 2 2
R 6
1 0 0
V 4
1 0 V
C 1
1 n
I
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
49/56
Curentul de colector:
Ti me
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
I C(Q2)
- 40mA
0A
40mA
80mA
120mA
V 3
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 4
1 0 0
0
Q 2
Q 2 N 2 2 2 2
R 6
1 0 0
V 4
1 0 V
C 1
1 n
V
ensiunea de colector:
Ti me
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
V(Q2: c)
- 4V
0V
4V
8V
12V
3)
V 5
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 5
1 0 0
L 2
1 5 0 u H
1 2
0
Q 3
Q 2 N 2 2 2 2
R 8
1 0 0
V 6
1 0 V
C 2
1 n
I
Curentul de colector:
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
50/56
Ti me
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
I C(Q3)
- 50mA
0A
50mA
100mA
V 5
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 5
1 0 0
L 2
1 5 0 u H
1 2
0
Q 3
Q 2 N 2 2 2 2
R 8
1 0 0
V 6
1 0 V
C 2
1 n
V
ensiunea de colector:
Ti me
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
V(Q3:c )
0V
4V
8V
12V
4)
V 7
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 7
1 0 0
L 3
1 0 u H
1 2
0
Q 4
Q 2 N 2 2 2 2
R
0 . 0 1
V 8
1 0 V
C 3
1 n
L 4
5 u H
1 2
I
Curentul de colector:
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
51/56
Ti me
0s 10s 20s 30s 40s 50s 60s !0s 80s "0s 100s
I C(Q4)
- 1 . 0 A
0A
1.0A
2.0A
V 7
T D = 0
T F = 1 n
P W = 2 m
P E R = 4 m
V 1 = 5
T R = 1 n
V 2 = 0
R 7
1 0 0
L 3
1 0 u H
1 2
0
Q 4
Q 2 N 2 2 2 2
R
0 . 0 1
V 8
1 0 V
C 3
1 n
L 4
5 u H
1 2
V
ensiunea de colector:
Ti me
0s 10s 20s 30s 40s 50s 60s !0s 80s "0s 100s
V(Q4: c)
- 50V
0V
50V
100V
150V
Tranzistorul MO de putere
Circuite de comand:
1)
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
52/56
V 1
T D = 2 u
T F = 1 n
P W = 2 u
P E R = 4 u
V 1 = 0
T R = 1 n
V 2 = 3
R 1
5 0
D 1
1 N 4 0
1
2
0
I
R 2
0 . 1
R 3
1 0 0
V 2
1 0 0 V
! 1
! 2 N 6 7 8 4
Curentul de dren:
Ti me
0s 2s 4s 6s 8s 10s 12s 14s 16s 18s 20s
I D( #1)
- 2. 0mA
- 1. 0mA
0A
1. 0mA
2. 0mA
ensiunea de dren:
Ti me
0s 2s 4s 6s 8s 10s 12s 14s 16s 18s 20s
V(#1: $)
"".8V
""."V
100. 0V
100. 1V
100. 2V
2)
V 3
T D = 2 u
T F = 1 n
P W = 2 u
P E R = 4 u
V 1 = 0
T R = 1 n
V 2 = 3
R 4
5 0
D 2
1 N 4 0
1
2
0
R 5
0 . 1
R 6
1 0 0
V 4
1 0 0 V
! 2
! 2 N 6 7 8 4
D 3
D 1 N 4 1 4 8
I
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
53/56
Curentul de dren:
Ti me
0s 2s 4s 6s 8s 10s 12s 14s 16s 18s 20s
I D( #2)
- 2. 0mA
0A
2. 0mA
4. 0mA
ensiunea de dren:
Ti me
0s 2s 4s 6s 8s 10s 12s 14s 16s 18s 20s
V(#2: $)
"".6V
"".8V
100. 0V
100. 2V
3)
V 5
T D = 2 u
T F = 1 n
P W = 2 u
P E R = 4 u
V 1 = 0
T R = 1 n
V 2 = 3
R 7
5 0
D 4
1 N 4 0
1
2
0
R 8
0 . 1
R
1 0 0
V 6
1 0 0 V
! 3
! 2 N 6 7 8 4
C 1
1 n
I
Curentul de dren:
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
54/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
55/56
-
8/13/2019 Electronica de Puter-Laboratoare
56/56