Dioda semiconductoareEste formată din două zone semiconductoare, una de tip p şi una de tip n, iar

la suprafaţa lor de contact definim joncţiunea p-n.

În figură am desenat golurile cu roşu , electronii cu albastru, iar zona desenată cu verde este chiar joncţiunea.

Polarizarea inversă a diodeiÎn continuare aplicăm pe joncţiune un câmp electric extern cu + pe catodul

diodei şi - pe anod. Dioda este polarizată invers, electronii care sunt purtători majoritari în zona n (desenaţi cu albastru) sunt atraşi de borna +, golurile care sunt purtători majoritari in zona p (desenate cu roşu) sunt atrase de borna -, regiunea de trecere desenată cu verde se măreşte şi prin ea nu vom avea circulaţie de purtători majoritari de la zona p la zona n şi invers şi deci nu circulă curent electric prin joncţiune.

Polarizarea directă a diodei

Inversăm acum polii sursei de alimentare aplicând + pe zona p şi - pe zona n. Ştim că, în acest caz, dioda conduce şi prin ea trece un curent semnificativ format din purtători majoritari (electronii din zona n şi golurile din zona p). Pentru ca dioda să conducă, este necesar ca potenţialul sursei exterioare să fie mai mare de 0,2 V pentru Germaniu şi de 0,6 V pentru Siliciu pentru ca să fie depăşită bariera de potenţial din zona joncţiunii care apare în mod natural atunci cand am realizat joncţiunea p-n, dar nu aplicăm nici un câmp electric exterior.

Diodele semiconductoare au marcat cu un cerc catodul, sau zona n, ca în figura de mai jos:

Caracteristica de transfer a diodei semiconductoare

Graficul din figura de mai sus reprezintă caracteristica de transfer a diodei semiconductoare. Ud reprezintă tensiune de polarizare directă a diodei iar U INV este tensiunea inversă de polarizare a diodei. În polarizare directă dioda începe să conducă numai dacă tensiunea directă aplicată pe ea este mai mare decât valoarea barierei de potenţial care este de 0,2 V la Ge şi 0,6 V la Si. În cazul în care tensiunea de polarizare inversă, UINV, aplicată diodei depăşeşte valoarea tensiunii de străpungere inversă, dioda va conduce din nou. Acest mod de lucru al diodei este însă periculos şi poate conduce la distrugerea diodei, dacă nu limităm curentul invers prin diodă cu rezistenţe exterioare. Fenomenul de străpungere al joncţiunii p-n în polarizare inversă este numit:

- efect Zener, dacă valoarea tensiunii inverse de străpungere este mai mică de 5V;- efect de avalanşă, dacă valoarea tensiunii inverse de străpungere este mai mare

de 5V;Dioda semiconductoare este foarte folosită în schemele electronice de amplificatoare, oscilatoare, circuite de detecţie şi modulaţie dar şi în alimentatoare ca diodă redresoare.

2.3.1. DIODE REDRESOARE

Simbolul diodei redresoare

    Simbolul utilizat pentru dioda redresoare este semnul general al diodei semiconductoare.      Simbolul sugerează că dispozitivul conduce într-un singur sens, cel direct (de la A la C), care este indicat de sageată. Această proprietate, de conducţie unidirecţională, este fundamentală pentru dioda redresoare.

    O dioda redresoare ideală ar trebui să posede o caracteristică statică de forma celei din figura de mai jos, adică dispozitivul să se comporte ca un scurtcircuit (rezistenţă nulă) în sens direct şi ca un întrerupător deschis (rezistentă infinită) în sens invers.

Caracteristica statică a diodei ideale

În sens direct, curentul prin diodă apare, practic, numai de la o anumită tensiune aplicată, numită tensiune de deschidere, VD (sau de prag VP), cu valori de 0,2 – 0,3 V la Ge şi 0,6 – 0,7 V la Si. Din acest punct de vedere, dioda redresoare cu Ge este mai avantajoasă, randamentul de redresare fiind mai bun.

IA

VA

0