determinarea lărgimii benzii interzise Și a energiei de activare a impurităților În...
DESCRIPTION
SemiconductoriTRANSCRIPT
DETERMINAREA LĂRGIMII BENZII INTERZISE ȘI A ENERGIEI
DE ACTIVARE A IMPURITĂȚILOR ÎN SEMICONDUCTORI
Scopul lucrării -determinarea lărgimii benzii interzise, și a energiei de activare a impurităților în grafică a lnσ = f(103/T)semiconductor
-reprezentarea grafică a lnσ = f(103/T)
Noțiuni teoretice Semiconductorii sunt considerați în practică conductori electrici cu valori ale conductibilității
electrice la temperatura camerei curprinse între 10-10 (Ω∙cm)-1 pâna la 102 (Ω∙cm)-1.
În semiconductorii intrinseci pentru ca un electron să poată participa la transportul curentului
electric, acesta trebuie să treacă din banda de valență în banda de conducție.
Energia necesară trecerii electronului din banda de valenţă în banda de conducţie se numeşte
energie de ionizare (sau activare) Ea=EC-EV.
Pentru semiconductorii extrinseci energia de ionizare a impurităților este mult mai mică decât
energia de ionizare a atomilor cristalului de bază (𝐸𝐸𝑑𝑑≪𝐸𝐸𝑎𝑎) și conducția electrică se
realizează prin purtătorii de sarcină proveniți de pe nivelele de impuritate.
Metoda experimentală
Proba investigată este bioxidul de titan dopat cu crom. TiO2 este un semiconductor cu o
lărgime mare a benzii interzise , absoarbe în domeniul UV.
Se reprezintă grafic lnσ = f(103/T) și se calculează pe baza acestuia energia de activare.
T U I σ ln(σ) 10^3/T ln(σ)
294.15 4.57 2.54 0.04502 -3.10066 3.399626 1.223665
353.15 4.58 28.5 0.504039 -0.6851 2.831658 1.040862
373.15 4.58 33.4 0.590699 -0.52645 2.679887 0.985775
393.15 4.57 63.8 1.13081 0.122934 2.543558 0.933564
413.15 4.57 91.5 1.621772 0.48352 2.420428 0.883945
433.15 4.57 152.02 2.694446 0.991193 2.308669 0.836671
453.15 4.57 206.2 3.654748 1.296027 2.206775 0.791532
473.15 4.57 266.37 4.721219 1.552067 2.113495 0.748343
493.15 4.56 473.4 8.409079 2.129312 2.027781 0.706942
513.15 4.56 604.5 10.73783 2.373773 1.948748 0.667187
533.15 4.56 730.6 12.97776 2.563237 1.875645 0.628952
553.15 4.56 1106.5 19.65493 2.978328 1.807828 0.592126
573.15 4.55 1200.5 21.37154 3.06206 1.744744 0.556608
593.15 4.55 1347.2 23.98312 3.17735 1.685914 0.522308
613.15 4.55 1331.9 23.71075 3.165928 1.630922 0.489146
633.15 4.54 1524.3 27.19566 3.303057 1.579405 0.457048
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
ln(σ
)
T*1000