1 Conductibilitatea electrică este:proprietatea materialului de a permite trecerea curentului prin el

2 Pentru materialele semiconductoare conductibilitatea electrică este 10^-10-10^3. Teorema benzilor

energetice.

3 Lăţimea benzii interzise se notează prin Eg

4 Purtătorii de sarcină cu încărcare negativă se numesc electronii

5 Pentru materialele semiconductoare lăţimea benzii interzise este 0< Eg<3

6 Pentru doparea siliciului cu impurităţi donoare se utilizează materiale din grupa: III P, B

7 Concentraţia purtătorilor de sarcină electroni se determină după formula

8 Concentraţia purtătorilor de sarcină goluri se determină după formula

9 Dacă asupra semiconductorului se aplică un cîmp electric, apare o mişcare ordonată a purtătorilor de

sarcină căreia îi corespunde o viteză medie de deplasare care se determină după formula

unde µ -reprezinta mobilitatea iar E-energia cimpului aplicant

10 Densitatea curentului determinat de purtătorii de sarcină electroni este determinată după formula

jn=qnµE – semiconductoare n

jp=qnµE- semiconductoare p

n,p-concentrația electronilor și golurilor

11 În cazul în care în semiconductori există concentraţii neuniforme de purtători mobili de sarcină

electroni, aceştea au tendinţa de a se deplasa din regiuni cu sarcina mare în regiuni cu sarcina joasă dînd naştere

unui curent numit curent de difuzie.

12 Joncţiunea p-n se formează intr-un semiconductor eterogen format din 2 regiuni una dopat cu

impuritatii acceeptuale alta cu donale. Aceste 2 regiuni formeaza o retea cristalina, doparea se efectuază prin

procese tehnologice.

13 La conectarea anodului diodei a unei tensiune negative joncţiunea se polarizează direct

14 desenul alăturat reprezintă diagrama benzilor energetice

pentru jonctiunea p-n

15 Timpul de la ruperea electronului de la atom pînă la

recombinarea lui se notează prin τ

16 În desenul alăturat este dată caracteristica voltamperica a diodei

semiconductoare

17 Se dă desenul, Tensiunea E este suma caderilor de tensiune pe rezistenta si dioda

E=iDR+UD

18 Rezistenţa dinamică a diodei semiconductoare se determină după formula

19 Tranzistorul bipolar este un dispozitiv la care conducţia electrică este asigurată atit de electronii cit si

de goluri.

20 Tranzistorul bipolar este comandat în curent

21 Tranzistorul bipolar este format din 3 zone si 2 jonctiuni pn astfel deosebim tranzistor de tip p-n-p , n-p-n

22 În desenul alăturat este prezentată însemnarea convenţională a tranzistorului emitor, conector

si baza

23 Cerinţele faţă de construcţia Emitorului tranzistorului bipolar , el trebuie sa fie dopat cu impuritatii

24 Cerinţele faţă de construcţia Bazei tranzistorului bipolar, baza trebuie sa aiba latime foarte mica la nivel

de 10 µm si de o puritate inalta

25 Regimurile de funcţionare a tranzistorului bipolar regimul Activ direct – jonctiunea emitorului este

polarizata direct iar conectorul invers

26 Regimurile de funcţionare a tranzistorului bipolar regimul Activ invers -jonctiunea conectorului

polarizat direct iar emitorului invers

27 Regimurile de funcţionare a tranzistorului bipolar regimul de blocare – ambele joncțiunii sunt polarizate

invers

28 Regimurile de funcţionare a tranzistorului bipolar regimul de saturaţie – ambele joncțiunii sunt

polarizate direct

29 Ecuaţia curenţilor pentru tranzistor curentul colectorului este:

IC=αIE+ICBO

30 Ecuaţia curenţilor pentru tranzistori curentul bazei se determină după formula IB=IE(1-α)-ICBO

IE= IC+ IB; B= IC/ IB

31În figura alăturată este reprezentată conexiunea tranzistorului bipolar

32 Caracteristicile statice de intrare a tranzistorului bipolar în

conexiune cu emitor comun se reprezintă prin formula

33 Caracteristicile statice de ieşire a tranzistorului bipolar în conexiune

cu emitor comun se reprezintă prin formula

34 Punctul static de funcţionare a tranzistorului bipolar conectat întrun etaj de amplificare cu emitor

comun se ia la: intersectia caracteristicilor externe cu dreapta de sarcina

UCE=EC

35 Dreapta de sarcină a tranzisorului bipolar conectat într-un etaj de amplificare cu emitor comun se

detrmină după formulele EC=ICRC+UCE EC=ICRC+UBE

36 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor tranzistorului bipolar, la creşterea temperaturii, curentul

colectorului creste la fel ICOꜛceia ce duce la cresterea factorului de amplificare, astfel crește curentul

colectorului ceia ce duce la deplasarea punctului static de functionare, un alt efect este micsorarea tensiunii

baza-emitor UBE pentru curentul IE si curentul bazei constant IB =const, ca urmare se modifica caracteristicile de

intrare deasemenea cresc factorii staticii de curent α, β.

37 Pentru restabilirea punctului static de funcţionare a tranzistorului bipolar în schema cu emitor comun

au fost elaborate mai multe metode cea mai răspîndită este:schema de stabilizare a punctului static de

functionare la variatia temperaturii care consta in adugarea unei rezistente adaugatoare la emitor.

38 Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare a tranzistorului bipolar în conexiune în etajul de

amplificare cu emitor comun se pot utiliza elemente de compensare cu caracteristici neliniare ca diodele,

termistoarele

39 Funcţia condensatorului CB este de a exlude circulatia

curentului continuu prin sursa de semnal Eg(exlude influenta

sursei de semnal asupra regimului de repaus)

40 Parametrul principal al unui etaj de amplificare este

coeficientul de amplificare în tensiune și curent AU şi AI unde AU este dat de formula

42 Amplificator se numeşte un dispozitiv care realizeaza cresterea nivelului energetic al semnalului fara a

modifica forma sau structura lui.

43 Unitatea de măsură a nivelului zgomotului decibeli dB

44 În desenul alăturat este prezentat desenul caracteristicii amplificarii frecventei(Caract de frecv a etajului

de amplificare)

45 O altă caracteristică importantă a etajului de

amplificare este proprietatea de a nivela distorsiunile, distorsiunile pot fi liniare si neliniare

distorsiunii neliniare- constau in modificarea formei semnalului in componenta spectrala a semnalului de iesire

distorsiunii liniare- sunt distorsiunile de faza si de frecventa, ele schimba spectrul semnalului adica nu apar

elemente spectrale suplimentare.

46 Randamentul unui etaj de amplificare se determină după formula

care reprezinta raportul dintre

puterea de iesire si puterea consumata la sursa de alimentare

47 Amplificatorul poate fi format din mai multe tipuri de etaje, etaje de intrare, etaje intermediare, şi

etaje de ieşire. Etajul de intrare trebuie :sa posede impendanta mare, nivel de zgomot mic si sensibilitate

mare.

48 Amplificatorul poate fi format din mai multe tipuri de etaje, etaje de intrare, etaje intermediare, şi

etaje de ieşire. Etajul intermediar trebuie :sa amplifice nivelul de tensiune pina la valoarea necesara.

49 Amplificatorul poate fi format din mai multe tipuri de etaje, etaje de intrare, etaje intermediare, şi

etfrecventa ele schimba spectru semnaluluiaje de ieşire. Etajul de ieşire trebuie : sa asigure puterea de

iesire maximala si sa serveasca pentru adaptarea iesirii amplificatorului cu sarcina

50 Elementul principal al unui etaj de amplificare este elementul activ(DA) care are funcţia de a asigurare a

procesului de amplificare corespunzator (poate fi tub electronic, transistor bipolar), E-sursă de alimentare, R-

rezistența pe care o format semnalul de ieșire și de pe care el se culege.

51 Procesul de amplificare constă în transformarea energie sursei alimentarei de curent continuu in curent

alternativ in circuitul de iesire , datorita modificarii rezistentei dispozitivului activ sub actiunea semnalului de

intrare.

52 Regimul de repaos a etajului de amplificare se stabileşte cînd: in circuitele amplificatorului este absent

semnalul de intrare.

53 Se dă etajul de amplificare cu emitor comun ce funcţie au

rezistenţele R1 şi R2- formeaza divizor de tensiune care asigura

componenta curentului continuu UBE si determina regimul de repaos la

intrare

54 Etajul de amplificare în emitor comun este un etaj inversor

aceasta înseamnă că el este caracterizat de impendanta de iesire mare si defazaj intre semnalul de intrare si

semnalul de iesire de 180

55 Dreapta de sarcină în curent continuu pentru etajul de amplificare în emitor comun este trasată prin

două puncte care sunt reprezentate de formulele

1 punct UCE=0 ,

2 punct IC=0 ,UCE=EC

56 În dependenţă de poziţia punctului de repaos şi amplificarea semnalului se deosebesc 3 clase de

funcţionare A, B, C şi clasa mixtă AB. Clasa A se caracterizează prin : punctul de repaus este mijlocul

portiuniii liniare iar amplitudinea srmnalului varibil este limitata de dreapta statica de functionare. Clasa A are

distorsiuni liniare minime si randament pina la 50%

57 În dependenţă de poziţia punctului de repaos şi amplificarea semnalului se eosebesc 3 clase de

funcţionare A, B, C şi clasa mixtă AB. Clasa B se caracterizează prin : punctul de repaus este situat la

originea coordonatelor caracteristicii de transfer, prin urmare curentul bazei prin transfer este zero. Pe sarcina

apare curent si tensiune numai la o alternanta in timpul careia tranzistorul bipolar este in regim activ direct.

Distorsiunile liniare sunt foarte mari si randamentul are valori mari

58 În dependenţă de poziţia punctului de repaos şi amplificarea semnalului se eosebesc 3 clase de

funcţionare A, B, C şi clasa mixtă AB. Clasa C se caracterizează prin : punctul de repaus este situat in zona

punctului de taiere, va fi amplificata doar o portiune a alternantei semnalului de intrare. Distorsiunile neliniare

sunt foarte mari , randamentul pina la 85%. Clasa C sse utilizeaza in cazul cind este necesitatea de a obtine o

singura armonica, pt amplif. selective.

59 Repetor pe emitor se numeşte etajul de amplificare care:are factorul de amplificare unitar si faza

semnalului de iesire coincide cu faza semnalului de intrare.

60 Etaj repetor pe emitor poate fi numit etajul de amplificare cu conectarea tranzistorului în

Întrebari teoretice

Dioda Semiconductoare joncţiunea p-n

Tranzistorul bipolar caracteristicile

Tranzistorul bipolar scheme de conexiune