Download - Electrotehnica -Teste Tecj

7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj

http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 1/24

75

Capitolul 5

Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune

12p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune esteprezentată în figura notată cu:a)

S G D

B

SiO2

p++ n++

n

n

canal

b)S G D

B

SiO2

n++

n++

p

canal

c)

G

D

G

canal

p

pn

S

n

joncţ iunep-n

joncţ iunep-n

d)S G D

B

SiO2

n++ n++

p

n

canal

2.1p

Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect decâmp cu joncţiune. Cu S a fost notat electrodul numit:

G

D

G

canal

p

pn

S

n

joncţ iunep-n

joncţ iunep-n

Figura 5.1

a) sursă;b) drenă;c) grilă;



Elemente de electronică analogică - teste

76

d) substrat

3.1p

Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect decâmp cu joncţiune. Cu G a fost notat electrodul numit:

a) sursă;b) drenă;c) grilă;d) substrat

4.1p

Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect decâmp cu joncţiune. Cu D a fost notat electrodul numit:

a) sursă;b) drenă;

c) grilă;d) substrat

5.1p

Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p esteprezentat în figura notată:a)

S

G

D

B

b)

S

G

D

B

c)

S

G

Dd)

S

G

D

6.1p

Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n esteprezentat în figura notată:



Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune

77

a)

S

G

D

B

b)

S

G

D

B

c)

S

G

D

d)

S

G

D

7.2p

Curentul principal din TECJ se stabileşte între:

a) grilă şi drenă;b) sursă şi drenă;c) sursă şi grilă;d) grilă şi drenă.

8.2p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din:

a) electronib) goluri;c) ioni pozitivi;d) ioni negativi.

9.2p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din:

a) electronib) goluri;c) ioni pozitivi;d) ioni negativi.

10.2p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electronitrec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca




78

în principiu:a) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers;b) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată direct;c) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată invers;d) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată direct.

11.3p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electronitrec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca în principiu ca joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers. Mecanismulde comanda este:

a) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tip

p ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii desarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificareageometriei canalului; modificarea geometriei canalului are caefect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţeicanalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -lacomandă – a curentului dintre drenă şi sursă.

b) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tipn ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii desarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificareageometriei canalului; modificarea geometriei canalului are caefect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţeicanalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -lacomandă – a curentului dintre drenă şi sursă.

c) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilorregiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc lamodificarea concentratiei de purtători; modificarea geometrieicanalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarearezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume lamodificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.

d) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilorregiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc lamodificarea geometriei canalului; modificarea geometrieicanalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarearezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume lamodificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.




79

12.1p Conexiunea sursă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

G

D

S

b)

vIN vO

iIN iO

S

G

D

c)

vIN

vO iIN

iO

G

S

D

d)

vO vIN

iO iIN

S

G

D

13.1p

Conexiunea drenă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:

a)

vIN

vO iIN

iO

G

D

S

b)

vIN vO

iIN iO

S

G

D

c)

vIN

vO iIN

iO

G

S

D

d)

vO vIN

iO iIN

S

G

D

14.1p

Conexiunea grilă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:




80

a)

vIN

vO iIN

iO

G

D

S

b)

vIN vO

iIN iO

S

G

D

c)

vIN

vO iIN

iO

G

S

D

d)

vO

vIN iO

iIN S

D

15.3p

Conexiunea sursă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă;

b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul desursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul dedrenă;

c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de

sursă;d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă.

16.3p

Conexiunea grilă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:



c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul desursă;




81

d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă.

17.3p

Conexiunea drenă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:



c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de

grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul desursă;

d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă.

18.3p

În mod uzual, un tranzistor cu efect de câmp este descris de două ecuaţiide forma:

a) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)b) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)c) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)d) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)

9.2p

Întrucât în funcţionarea normală joncţiunea grilei a unui TECJ estepolarizată invers curentul de grilă este:

a) .

)(const U

DS GG

GS

vii=

=

b) .

)(const U

GS GG

GS

vii=

=

c) 0≅Gi

d) DS

DS G

r

vi =

20.1p

Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu I a fostnotată:




82

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=2V

vGS=0V

vGS=0.1VIV.

III.

II.

I.

vGS=VT

vGS-vT

Figura 5.2

a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;c) regiunea de cot;

d) regiunea de saturaţie.21.1p

Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu II a fostnotată:

a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;c) regiunea de cot;d) regiunea de saturaţie.

22.1p

Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu III a fostnotată:

a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;

c) regiunea de cot;d) regiunea de saturaţie.

23.1p

Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu IV a fostnotată:

a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;c) regiunea de cot;d) regiunea de saturaţie.

24.2p

Un TECJ care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca

a) rezistenţă comandată;

b) un generator de curent comandat;c) un circuit întrerupt;d) un generator de tensiune comandat.




83

25.2p

Un TECJ care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca

a) rezistenţă comandată;b) un generator de curent comandat;c) un circuit întrerupt;d) un generator de tensiune comandat.

26.2p

Un TECJ care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca

a) rezistenţă comandată;b) un generator de curent comandat;c) un circuit întrerupt;

d) un generator de tensiune comandat.

27.3p

Caracteristica de ieşire a unui TECJ este prezentată în figura notată:

a)

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=0V

vGS=2V

vGS=4VRegiune de saturatie

Regiune

de cot

Regiune

liniara

Regiune de

blocare

vGS=VT

vGS-vT

b)

vDS

iD

vGS=2V

vGS=4V

vGS=6V

vGS=8VRegiune de saturatie

Regiunede cot

Regiuneliniara

Regiune deblocare

vGS=VT

vGS-vT

c)

vDS

iD

vGS=-4V

vGS=2V

vGS=0V

vGS=0.1VRegiune de saturatie

Regiune

de cotRegiune

liniara

Regiune deblocare

vGS=VT

vGS-vT

d)

vCE

iC

iB1

iB2

iB3

iB4Regiunea activă normalăvCB=0

Regiunea desaturatie

Regiunea de

blocare

28.3p

Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentată în figura notată:

a)

1V

iD

vGS

IDSS

VT

b)iD

vGSVT




84

c)iD

vGS

IDSS

VT 1V

d)

vBE

iB

vCE1

vCE2>vCE1

γV

29.3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiuneade blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi

2

1

−=T

GS

DSS DV

v

I i

c) iG=0 şi DS

T

GS o D v

V

vGi

−=

21

1

d)

=

T

BE

S C e

v I i exp şi

=

T

BE

F

S B

e

v I i exp

β

30.3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiuneade saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi

2

1

−=

T

GS DSS D

V v I i

c) iG=0 şi DS

T

GS o D u

V

vGi

−=

21

1

d)

=

T

BE

S C e

v I i exp şi

=

T

BE

F

S B

e

v I i exp

β

31.3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiunealiniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi2

1

−=

T

GS

DSS DV

v I i




85

c) iG=0 şi DS

T

GS o D u

V

vGi

−=

21

1

d)

=

T

BE

S C e

v I i exp şi

=

T

BE

F

S B

e

v I i exp

β

32.3p

Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea liniară - regimcvasistatic de semnal mare - este:a)

B

E

C

βFiBvBE

iB

b)G

S

D

RvGS

c)

G

S

D

IDSS

2

1

−

T

GS

V

vvGS

d)G D

S

G

vGS vDS

33.3p

Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de saturaţie -regim cvasistatic de semnal mare - este:a)

B

E

C

βFiBvBE

iB

b)G

S

D

RvGS

c)

G

S

D

IDSS

2

1

−

T

GS

V

vvGS

d)G D

S

G

vGS vDS

34.3p

Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de blocare -regim cvasistatic de semnal mare - este:a)

B

E

C

βFiBvBE

iB

b)G

S

D

RvGS




86

c)G

S

D

IDSS

2

1

−

T

GS

V

vvGS

d) G D

S

G

vGS vDS

35.3p

Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul destrăpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.

uDS

iD

UDS(BR)

IDmax

Figura 5.3

a) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătuldinspre sursă al canalului.

b) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătuldinspre drenă al canalului.

c) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre drenă alcanalului.

d) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre sursă alcanalului.

36.3p

Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul destrăpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.Există, de asemenea străpungere la nivelul joncţiunii de poartă. Evitareaacestui fenomen se face prin:

a) limitarea tensiunilor inverse pe poartă;b) limitarea tensiunilor directe pe poartă;c) limitarea tensiunilor inverse pe drenă;d) limitarea tensiunilor directe pe drenă.

37.3p

Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:




87

a) IDSS scade iar VT creşte;b) IDSS creşte iar VT scade;c) IDSS şi cresc;d) IDSS şi VT scad.

Pentru notaţii vezi figura 5.4

38.3p

Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:

a) iD scade dacă iD>IZ;b) iD creşte dacă iD>IZ;c) iD scade dacă iD<IZ;d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;

pentru notaţii vezi figura 5.4

39.4p

Pentru un tranzistor cu efect de câmp:

iD

vGS

T2

VT1

T1 T2>T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

Figura 5.4

a) problema ambalării termice se rezolvă ca şi în cazultranzistoarelor bipolare;

b) problema ambalării termice nu se pune;

c) problema ambalării termice nu se pune dacă ID<IZ;d) problema ambalării termice nu se pune dacă ID>IZ.unde ID curentul de drenă din punctul static de funcţionare, iar pentru IZ vezi figura 5.4.

40.3p

O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECJ semodifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):

a)iD

vGS

T2

VT1

T1 2<T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

b)iD

vGS

T2

VT1

T1 2>T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ




88

c)21 T T ≤

iD

vGS

T2

VT1

T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

d)21 T T ≥

iD

vGS

T2

VT1

T1

VT2

IDSS1

IDSS2

Z

VGZ

IZ

41.3p

Un posibil model matematic pentru un TECJ – pentru regimul cvasistaticde semnal mic – este:

a)

id =0 şi id =gmvdsb) ig=0 şi id =gmvgs c) id =0 şi id =gmvds

d) ig=0 şi id =gmvgs

undeig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)

T GS

Dm

vV

I g

−=

2

423p

Tranconductanţă mutuală a unui TECJ are expresia:

a) T GS

d mV V

I g −=

2;

b) T gs

Dm

V V

I g

−=

2 ;

c) T GS

Dm

V V

I g

−=

2 ;

d) T gs

d m

V V

I g

−=

2 .

433p

Schema echivalentă ce corespunde modelului matematicig=0 id =gmvgs

al unui TECJ – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – esteprezentată în figura:




89

a)

gmvgs

D

S

G

vgs

b)

gmvgs

D

S

G

vgs

c)

gmvgs

D

S

G

vgs

d)

gmvgs

D

S

G

vgs

44.2p

Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:

a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;

b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;

c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;

d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

45.3p

Aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat pentru polarizareaunui TECJ este prezentat în figura notată:

a)ED

RG

b)ED

RS




90

c) ED

RS RG

d) ED

RS

46.3p

Figura 5.5 prezintă aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizatpentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalentă de semnal mare ce îicorespunde este:

ED

RS RG

Figura 5.5 a)

ID

RS RG ED

VGS

G D

S

VDS

b)

ID

RS RG ED

VGS

G D

S

VDS

c)

ID

RS RG ED

VGS

G D

S

VDS

d)

ID

RS RG ED

VGS

G D

S

VDS

474p

Figura 5.6 prezintă schema echivalentă de semnal mare a circuitului dinfigura 5.5. Căderea de tensiune VGS are expresia:




91

ID

RS RG ED

VGS

G D

S

VDS

Figura 5.6

a) VGS=RSID b) VGS=-RGID c) VGS=-RSID d) VGS=-RGIG

48.

2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună

construit cu un TECJ. Tranzistorul este blocat dacă:ED

RD

vIN vO

iD iIN

iO

Figura 5.7

a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

49.2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.Tranzistorul este în regiunea de saturaţie dacă:


50.2p

Figura 5.8 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.Tranzistorul este în regiunea liniară dacă:


51.2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul este blocat schema se modelează ca în figura notată:




92

a) ED

RD

vIN vO

iDiINiO

vGS

G D

S

b) ED

RD

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

iD

c)

ED

RD

vIN vO

iIN

vGSE

G D

S

R

d)ED

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

R

52.2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca înfigura notată:a)

ED

RD

vIN vO

iDiINiO

vGS

G D

S

b)ED

RD

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

iD

c)ED

RD

vIN vO

iIN

vGSE

G D

S

R

d)ED

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

R

53.2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca înfigura notată:




93

a) ED

RD

vIN vO

iDiINiO

vGS

G D

S

b) ED

RD

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

iD

c)

ED

RD

vIN vO

iIN

vGSE

G D

S

R

d)ED

vIN vO

iIN

vGS

G D

S

R

54.4p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:

a) vO=ED;

b) vO=ED-

2

1

−

T

GS DSS D

V

v I R ;

c) vO= ER

R RD

D+;

d) vO=ED+

2

1

−

T

GS

DSS D

V

v I R .

55.2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire areexpresia:

a) vO=ED;

b) vO=ED-

2

1

−

T

GS DSS D

V

v I R ;

c) vO= ER

R RD

D+;

d) vO=ED+

2

1

−

T

GS DSS DV

v I R .




94

56.2p

Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul este blocat tensiunea de ieşire are expresia:

a) vO=ED;

b) vO=ED-

2

1

−

T

GS

DSS DV

v I R ;

c) vO= ER

R RD

D+;

d) vO=ED+

2

1

−

T

GS

DSS DV

v I R .

57.2p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:a)

ED

RS RG

RD

C1

C2

V0

Vin

b)ED

RS

RD

C1

C2

CS

V0

Vin

c)ED

RS RG

RD

C1

C2

CS

V0

Vin

d)ED

RS

RD

C1

C2

V0

Vin

58.1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RG:




95

ED

RS RG

RD

C1

C2

CS

V0

Vin

Figura 5.8

a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

59.1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RS


60.1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RD


61.1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C1

a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativneavând nici un efect.

b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,dar lasă să treacă componenta continuă.

c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.

d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocândcomponenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

62.1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C2

a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ




96

neavând nici un efect.b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,dar lasă să treacă componenta continuă.

c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.

d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocândcomponenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

63.1p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul CS

a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativneavând nici un efect.

b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,

dar lasă să treacă componenta continuă.c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,

în curent continuu neavând nici un efect.d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând

componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

64.3p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Amplificarea în

tensiune definită prin:in

o

V V

V A = este:

a) Av=gm R D b) Av=-gm R D

c) Av=gm RS d) Av=-gm RS

65.3p

Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună esteprezentată în figura 5.8. Schema echivalentă de semnal mic regimcvasistatic este prezentată în figura notată:

a)

RG Vin

Iin

Vgs gπVgs

Io

VoRD

G D

S

b)

RG Vin

Iin

Vgs gmVgs

Io

VoRD

G D

S




97

c)

RG Vin

Iin

Vgs gmVgs

Io

VoRD

G D

S

d)

RG Vin

Iin

Vgs gmVgs

Io

VoRD

G D

S

66.3p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa deintrare este:

a) Rin=RG b) Rin=βRS c) Rin=βRG

d) Rin=RS

67.3p

Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa deieşire este:

a) Ro=RD b) Ro=βRD c) Ro=RS d) Ro=βRS

Răspuns corect a.)




98

Ră spunsuri

1 Răspuns corect a) 35. Răspuns corect b.)2. Răspuns corect a) 36. Răspuns corect a.).3. Răspuns corect c) 37. Răspuns corect d.)4. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a.)5. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect d)6. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect b)7. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect d.)8. Răspuns corect a) 42. Răspuns corect c)9. Răspuns corect b) 43. Răspuns corect a)

10. Răspuns corect a) 44. Răspuns corect a)11. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect c)12. Răspuns corect a) 46. Răspuns corect b)13. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect c)14. Răspuns corect b) 48. Răspuns corect a)15. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect b)16. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect b)17. Răspuns corect c) 51. Răspuns corect a)18. Răspuns corect a) 52. Răspuns corect b)19. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect c)20. Răspuns corect a) 54. Răspuns corect c)21. Răspuns corect b) 55. Răspuns corect b)

22. Răspuns corect c) 56. Răspuns corect a)23. Răspuns corect d) 57. Răspuns corect c)24. Răspuns corect a) 58. Răspuns corect a)25. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect a)26. Răspuns corect b) 60. Răspuns corect b)27. Răspuns corect c) 61. Răspuns corect d)28. Răspuns corect a) 62. Răspuns corect d)29. Răspuns corect a) 63. Răspuns corect d)30. Răspuns corect b) 64. Răspuns corect b)31. Răspuns corect a) 65. Răspuns corect c)32. Răspuns corect b) 66. Răspuns corect a.)33. Răspuns corect c) 67. Răspuns corect a.)34. Răspuns corect d)

Download - Electrotehnica -Teste Tecj

Top Related