dioda zender

5
Hogas Sergiu Sorin automatica anul I semetrul I DIODA ZENDER Scopul lucrarii: 1. Sa se trateze caracteristicile directe si inverse ale unei diode cu jonctiune p-n cu siliciu 2. Sa se determine tensiunea zenelorde prabusire a diodei Echipamentul necesar: 1. Voltmetre electronice. 2. Miliampermetru 3. Sursa de tensiune continua 0-40V Introducere teoretica: Caracteristicile diodelor dender (DZ) au la baza proprietatile fizice ale joctiunii p-n. Jonctiunea p-n este formata din 3 regiuni. - Regiunea de tip neutra (fara camp electric). - Regiunea de sarcia spatiala saraca din puratorii mobili cu camp electic indreptt de la regiunea n inspre regiunea p. - Regiunea de tip neutru(fara camp electric). Daca sa aplica din exterior o tensiune de polarizarw constanta o caracteristica curent-tensiune neliniara. La prima polrizare directa a jonctiunii pn curentul prin jonctiune creste ecponential cu tensiune aplicata dupa legea:

Upload: marina-cirstea

Post on 16-Nov-2015

218 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

Hogas Sergiu Sorinautomatica anul I semetrul I

DIODA ZENDER

Scopul lucrarii:1. Sa se trateze caracteristicile directe si inverse ale unei diode cu jonctiune p-n cu siliciu2. Sa se determine tensiunea zenelorde prabusire a diodei

Echipamentul necesar:1. Voltmetre electronice.2. Miliampermetru3. Sursa de tensiune continua 0-40VIntroducere teoretica: Caracteristicile diodelor dender (DZ) au la baza proprietatile fizice ale joctiunii p-n. Jonctiunea p-n este formata din 3 regiuni. Regiunea de tip neutra (fara camp electric). Regiunea de sarcia spatiala saraca din puratorii mobili cu camp electic indreptt de la regiunea n inspre regiunea p. Regiunea de tip neutru(fara camp electric). Daca sa aplica din exterior o tensiune de polarizarw constanta o caracteristica curent-tensiune neliniara. La prima polrizare directa a jonctiunii pn curentul prin jonctiune creste ecponential cu tensiune aplicata dupa legea: IF=Isep Unde s-a neglijat rezistenta ohmica a regiunilor neutre. Cresterea nelimitata a curentului IF cu UF se datoreaza campului electric care apare in regiunea de sarcina spatiala datorita polarizarii direxte externe si care este de semn contrar campului electric intern.

(I)(I)

5 4 3 2 1(V) 5 4 3 2 1 (V)25oC60oC60oC250C

In efectul Zender caracxteristica de prabusire se deplaseaza catre valori de tensiune mai reduse cand temperatur este iar efectul multiplicarii prin avalansa caracteristica de prabusire se deplaseaza catre valori mai mari la cresterea temperaturii. Fctorul determinant in cele doua mecanisme de prabusire il constituie conceptia relativa de impuritati in materiale ce compun jonctiunea. Regiunea de sarcina spatiala va avea o ntindere mai mica in regiunea cu rezistivitate mai mica, campul electric in aceste semiconductoare va fi mai intens datorita concentratiei cai mari de ioni ficsi. O jocntiune cu o rrgiune de sarcina spatiala ingusta vaavea camp electric intern foarte puternic iar prabusirea are loc atorita efectului Zender in timp ce o jonctiune cu e regiune spatiala larga si deci un camp inter redus se va prabusii prin efectul multiplicarii in avalansa, In consecinta diodeke zender se pot imparti in : Diode cu UZ < 5v(campul electric E>3*105 v/cm). In care prabusire as e face prin efectul Zender Diode cu 5v