CURS 2Dispozitive semiconductoare de putere:1. Introducere: Clasificare:Dispozitive-necomandabile(dioda(1- semicomandabile (tiristor(2- comandabile(!(1 diodele - starea de conductie"blocare comandata de circuitul de putere(2 tiristorul - comandabil in starea de conductie printr-un semnal de comanda# starea de blocare fiind comandata de circuitul de putere(! contactoare statice $ starea de blocare comandata prin semnal de comanda%odul de constructie- unidirectionala- bidirectionala $ triacumDispozilivele semiconductoare de putere au constante specifice in re&im static si dinamic' prezinta probleme diferite le&ate de re&imul termic# au modele diferite de semnal mic"mare(1(2(!DRUttUUGRK AEUCER URIBON2. () (tranzistor bipolar cu *onctiune- 2 aplicatii $1. comutatoare statice $ functioneaza in re&im +,-+--2. amplificatoare-te.nolo&ia de fabricatie e orientata pentru a face posibila amplificarea"comutarea unor puteri U/I cat mai mari-permit ca acestedispozitive sa aiba frecvente de comutatie cat mai mari ai amplificarea frecventelor cat mai mare- au o structuraverticala0rezenta n- conduce la modificarea zonei se saturatie in planul caracteristicii de iesire Ic(Uc si mareste capacitatea de sustinere in tensiune.1pare n stratul de drift siare concentratie redusa de impuritati de tip o.mic.%odificatea caracteristicii de iesire se modifica rep. incipienta de saturatie 23 disp. 4ste capabil sa sustina tensiuni mai mari.Bn+ 101050-200m10m~250m5-20mn- 1014p 1016n+1019ICUCELini !"iti! int"# RAN $i %A&R#'i(n# )# !*$i$t("ti#2.1. Caracteristici statice. 1ria de functionare si&ura:(1 curba de disipare ma5ima Ic 2 0dma5 6 Uce-1 (2 caracteristicfa de probabilitate de strapun&ere secundara Ic 27 6 Uce-mUC4 sustinere $ asimpltota la strapun&erea primaraIC% val ma5ima a curentluli pe care dispozitivul il poate suporta in caracteristica limitative-in strapun&erea secundara tranzistorul se poate strapun&e (nu mai sustine tensiunea aplicata c.iar laputeri mai mici decat cele date de 0dma5 -tranzistorul are baza slab polarizata# iar in circ de sarcina e5istasuficienta ener&ie acumulata pentru a mentine curentul de collector# UC4 scade iar Ic e limitat numai de componenta rezistiva a sarcinii.-strapun&erea secundara se poate produce pentru sarcina inductive si rezistiva (pt cele care pot sa acumuleze ener&ie-transferul punctului fiurativ de functionare0t UC( 829 apare linia critica-la strapun&ere pt valoi mari ale UC( purtatorii care trec prin *onctiunea de collector au ener&ie mare producand perec.i electron-voltIC 2 %(:, I4 ; IC+%-factor de multiplicare in avalansanCBCB01+U1U= n2 dependent de transistor 31>IC% ' IC4+ 89 pp ca comutatia se produce liniar avem o succesiune de impulsuri de perioada ?0c-puterea in comutatie0c20r;0f;0on;0offIC+ABiB:0U0ICICEOUCE