cup rins

3
CUPRINS Introducere.................................................... .................................................................. 1. Circuite de protecţie de tip snubber pentru tranzistorul MOS................... 1.1. Introducere....................................................... ........................................ 1.2 Caracteristicile tranzistorului de tip MOS............................................... 1.2.1. Caracteristicile tranzistorului MOS aflat în starea „ON”......................... 1.2.2. Caracteristicile tranzistorului MOS aflat în starea „OFF”........................ 1.2.3. Aria de funcţionare sigură........................................................ ................ 1.3 Snubber RCD fară pierderi pentru convertoare PWM DC/DC neizolate......... 1.3.1 Introducere................................................... ............................................. 1.3.2. Convertor boost cu snubber RCD pasiv................................................... 1.3.3. Concluzii..................................................... .............................................. 1.4. Snbber pasiv cu capacitate comutantă aplicat unui convertor boost................ 1.4.1. Introducere................................................... ............................................. 1.4.2. Principiul de operare....................................................... ........................... 1.4.3. Concluzii..................................................... ..............................................

Upload: impressara

Post on 30-Nov-2015

4 views

Category:

Documents


1 download

DESCRIPTION

doc

TRANSCRIPT

Page 1: Cup Rins

CUPRINS

Introducere......................................................................................................................1. Circuite de protecţie de tip snubber pentru tranzistorul MOS...................

1.1. Introducere...............................................................................................1.2 Caracteristicile tranzistorului de tip MOS...............................................

1.2.1. Caracteristicile tranzistorului MOS aflat în starea „ON”......................... 1.2.2. Caracteristicile tranzistorului MOS aflat în starea „OFF”........................

1.2.3. Aria de funcţionare sigură........................................................................1.3 Snubber RCD fară pierderi pentru convertoare PWM DC/DC neizolate.........

1.3.1 Introducere................................................................................................ 1.3.2. Convertor boost cu snubber RCD pasiv...................................................

1.3.3. Concluzii...................................................................................................1.4. Snbber pasiv cu capacitate comutantă aplicat unui convertor boost................

1.4.1. Introducere................................................................................................1.4.2. Principiul de operare..................................................................................1.4.3. Concluzii...................................................................................................

2. Modelarea şi simularea circuitelor prezentate în Capitolul 1.......................2.1 Considerente pentru proiectarea circuitului snubber RCD pasiv pentru convertorul boost prezentat în capitolul 1.3 ...............................................................2.2.Considerente pentru proiectarea circuitului snubber cu capacitate comutantă aplicat unui convertor boost prezentat în capitolul 1.4..............................................2.3 Concluzii.....................................................................................................................

3. Circuite de protecţie pentru convertoare DC/DC ZVS-ZCS cuTranzistorul Bipolar cu poartă izolată (IGBT) .................................................

3.1 Introducere..................................................................................................................3.2. Tranzistorul IGBT.....................................................................................................

3.2.1 Caracteristici..................................................................................................3.2.2 Structura tranzistorului IGBT........................................................................

3.3 Convertoare Full-Bridge DC/DC ZVS-ZCS ce folosesc snubber-e de recuperare a energiei .............................................................................................

3.4 Convertoare Full-Bridge DC/DC ZVS-ZCS ce folosesc snubber-e de recuperare a energiei modificate...........................................................................

3.5 Caracteristicile de semnal mic ale convertorului Full-Bridge DC/DC ZVS-ZCS.....................................................................................................

3.6 Rezultate experimentale .............................................................................................3.7 Concluzii......................................................................................................................

Concluzii finale........................................................................................................................Bibliografie...............................................................................................................................