m . Ángeles h. vozmediano francisc o guinea dion ys baeriswyl simone fratini elisabeth nicol

Sistemas de electrones fuertemente Sistemas de electrones fuertemente correlacionadoscorrelacionados

en sistemas de baja dimensionalidad en sistemas de baja dimensionalidad Belén ValenzuelaBelén Valenzuela

MM. Ángeles H.. Ángeles H. Vozmediano VozmedianoFranciscFrancisco Guineao GuineaDionDionys Baeriswylys BaeriswylSimone FratiniSimone FratiniElisabeth NicolElisabeth NicolJules CarbotteJules CarbotteElena BasconesElena Bascones

Sistemas de electrones fuertemente Sistemas de electrones fuertemente correlacionadoscorrelacionados: Modelo de Hubbard: Modelo de Hubbard

Teoría de bandas’20Teoría de bandas’20 Transición de Mott’49Transición de Mott’49

Metal de banda

Aislante de banda

Aislante de Mott

Metal de Mott

Baja dimensionalidad: mayores fluctuaciones cuánticas y térmicas ymenor apantallamiento de la interacción de Coulomb

H t ci, s c j, s U n

i nii

i, j ;s

,,

,

00 )( kk

k

k ccHU

CupratosCupratos

Hubbard t-t’Hubbard t-t’

0(k) 2t(coskx cosky) 4t' coskx cos ky

sji iii

sjisjsisjsi nnUcctcctH

;, ;,,,,, '-

ARPES Bi2212

Deformación de la superficie de Fermi en el Deformación de la superficie de Fermi en el modelo de Hubbard extendidomodelo de Hubbard extendido

B.V., M.A.H. Vozmediano’01

Método: Campo medio autoconsistente: (k) 0(k) hartree 1

L2 V(q) n(k q)q

NestingPomeranchuk

Cambio en la topología

jiji

sji iii

sjisjsisjsi nnVnnUcctcctH

,;, ;,,,,, '-

Diferencia entre dopar con un Diferencia entre dopar con un electrónelectrón o o

con un huecocon un hueco

El efecto de t’ es localizar inhomogeneidades cuando dopamos al sistema con huecos

Hubbard tt’ a x=0

Hubbard a x=0

B.V, M.A.H. Vozmediano, F. Guinea’00

Non-resonant Raman scattering in electron Non-resonant Raman scattering in electron doped t-t’ Hubbard modeldoped t-t’ Hubbard model

B.V,’06

Sales de BechgaardSales de Bechgaard

El llenado es n=1/2 y El llenado es n=1/2 y la estructura del la estructura del aislante es (1010): La aislante es (1010): La teoría de bandas y el teoría de bandas y el modelo de Hubbard modelo de Hubbard predice un metal ¿?predice un metal ¿?

||/ ; ,;,

,, jiVVnnVnnUcctH ijjji

iijsji i

iisjsi

EsEsppíín para n=1/2n para n=1/2

TDee

ˆ ˆB

Método:

)()( argBG JEVEE spinech UbVaV

tJ

23

4

Resultado: separación de escalas de energía: J<<V

1 3 5

B.V, S.Fratini, D. Baeriswyl’03

Estabilidad del cristal de Wigner con respecto Estabilidad del cristal de Wigner con respecto a la generación de defectos kink-antikinksa la generación de defectos kink-antikinks

...)2/(1)2/(12/1 32 ddE

S. Fratini, B. V, D. Baeriswyl’04

M. Mayr, P. Horsch, cond-mat/0602015

Líneas de InvestigaciónLíneas de Investigación

Estructuras inhomogéneas en sistemas Estructuras inhomogéneas en sistemas Mott-Hubbard-Wigner. Mott-Hubbard-Wigner.

Deformación de la superficie de Fermi Deformación de la superficie de Fermi debida a las interacciones. Inestabilidad debida a las interacciones. Inestabilidad de Pomeranchuk.de Pomeranchuk.

Aislantes de Mott y cristal de Wigner. Aislantes de Mott y cristal de Wigner. Transición metal-aislante.Transición metal-aislante.

Conductividad óptica y respuesta Conductividad óptica y respuesta Raman en sistemas Mott-Hubbard-Raman en sistemas Mott-Hubbard-Wigner. Wigner.